周星工程交付原子层生长设备 攻克3D垂直堆叠晶体管制造难题

周星工程近日宣布，已成功向一家全球头部半导体企业交付了全球首套原子层生长原子层生长晶体管集成系统。这套设备专门用于下一代3D垂直堆叠半导体晶体管的制造。由于双方签订了商业保密协议，客户的具体名称以及设备的供货数量暂未对外披露。

随着半导体工艺持续向纳米级节点推进，传统平面晶体管已逼近物理极限。晶体管尺寸的过度微缩导致漏电流问题显著加剧，芯片功耗随之急剧攀升。为突破这一瓶颈，全球半导体产业正加速从平面结构向鳍式场效应晶体管、环栅晶体管以及垂直堆叠晶体管单元等三维架构转型。周星工程此次交付的原子层生长设备，正是瞄准了高纵横比垂直堆叠结构的制造难题。

在技术原理层面，传统原子层沉积技术的薄膜堆叠方式类似于“向上堆雪”，每层沉积厚度较薄但结构相对松散；而原子层生长技术的生长过程更接近于“冰的冻结”，原子自行结合并逐层生长，所生成的薄膜质量更高、结构更致密、物理强度更坚硬。原子层生长设备通过重复原子层沉积工艺直接构建三维薄膜结构，能够有效减少光刻与刻蚀步骤，同时保证下一代晶体管所需的步进覆盖率与厚度均匀性。

值得注意的是，原子层生长技术不受底层衬底材料类型的限制。除非存储芯片、存储电容器、存储晶体管等半导体应用外，该技术还可拓展至太阳能电池和显示面板等光电领域。此外，该技术成功解决了高杂质浓度带来的生产难题，可用于制造玻璃衬底以及基于氮化镓、砷化镓、磷化铟等第Ⅲ - Ⅴ族和第Ⅲ - Ⅵ族化合物的下一代高性能半导体器件。

目前，周星工程正与北美、亚洲、欧洲以及中东地区的多家全球领先企业展开设备开发合作，相关合作覆盖了从工艺验证到量产导入的多个环节。