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在电子工程师的日常工作中,为小电器电机驱动选择合适的功率模块至关重要。今天,我们就来深入了解一下国际整流器公司(International Rectifier)推出的IRSM807 - 105MH半桥IPM(智能功率模块),看看它有哪些特性和优势。
文件下载:IRSM807-105MH.pdf
IRSM807 - 105MH是一款专为先进家电电机驱动应用设计的10A、500V半桥模块,适用于节能风扇和水泵等设备。它采用了国际整流器公司的先进技术,在隔离封装中提供了极为紧凑、高性能的半桥拓扑结构。该模块将低RDS(on) Trench FREDFET技术与行业标杆的半桥高压、坚固驱动器相结合,封装在小巧的PQFN 8x9mm表面贴装封装中,且集成了自举功能,非常适合空间受限的应用,甚至无需散热片即可正常工作。
绝对最大额定值表示模块能够承受的持续极限,超过这些值可能会导致模块损坏。例如,MOSFET的阻断电压(BVDSS)最大为500V,直流输出电流(IO)在TC = 25°C时最大为10A,最大工作结温(TJ)为150°C等。需要注意的是,这些参数在制造过程中并不进行测试。
为了确保模块的正常运行,应在推荐的工作条件下使用。例如,正直流母线输入电压(V +)最大为400V,低侧和逻辑电源电压(VCC)在13.5 - 16.5V之间,PWM载波频率(Fp)最大为20kHz等。
在VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C的条件下,测量了一系列静态电气特性。如漏源击穿电压(BVDSS)在TJ = 25°C,ILK = 3mA时为500V,漏源导通电阻(RDS(ON))在TJ = 25°C,VCC = 10V,Id = 6A时典型值为0.58Ω等。
同样在VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C的条件下,测量了输入到输出的传播导通延迟时间(TON)和关断延迟时间(TOFF)等动态特性。例如,TON和TOFF的典型值均为0.8µs。
每个MOSFET的结到安装垫的热阻(Rth(J - B))典型值为0.9°C/W(标准回流焊工艺),结到环境的热阻(Rth(J - A))典型值为40°C/W(安装在13.2cm²的两层FR4板上,有36个过孔)。这表明该模块在散热方面具有一定的优势,无需额外的散热片也能正常工作。
模块采用PQFN 8x9mm封装,具体的封装尺寸在文档中有详细说明。这种小巧的封装设计使得模块在空间受限的应用中具有很大的优势。
输入输出逻辑电平表明确了HIN和LIN输入与相位输出之间的关系。例如,当HIN为高电平,LIN为低电平时,相位输出为V +;当HIN为低电平,LIN为高电平时,相位输出为0。需要注意的是,当HIN和LIN都为低电平时,输出情况取决于电机电流的流向;当HIN和LIN都为高电平时,会出现直通情况。
在典型应用连接中,有几个关键要点需要注意:
IRSM807 - 105MH半桥IPM以其紧凑的封装、丰富的集成功能、良好的电气性能和热学特性,为小电器电机驱动应用提供了一个优秀的解决方案。电子工程师在设计相关电路时,可以充分考虑该模块的特点,合理应用其各项功能,以实现高效、可靠的电机驱动系统。同时,在实际应用中,还需要根据具体的需求和条件,进一步优化电路设计,确保系统的稳定性和性能。大家在使用这款模块的过程中,有没有遇到什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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