IRSM807 - 105MH半桥IPM:小电器电机驱动的理想之选

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IRSM807 - 105MH半桥IPM:小电器电机驱动的理想之选

在电子工程师的日常工作中,为小电器电机驱动选择合适的功率模块至关重要。今天,我们就来深入了解一下国际整流器公司(International Rectifier)推出的IRSM807 - 105MH半桥IPM(智能功率模块),看看它有哪些特性和优势。

文件下载:IRSM807-105MH.pdf

一、产品概述

IRSM807 - 105MH是一款专为先进家电电机驱动应用设计的10A、500V半桥模块,适用于节能风扇和水泵等设备。它采用了国际整流器公司的先进技术,在隔离封装中提供了极为紧凑、高性能的半桥拓扑结构。该模块将低RDS(on) Trench FREDFET技术与行业标杆的半桥高压、坚固驱动器相结合,封装在小巧的PQFN 8x9mm表面贴装封装中,且集成了自举功能,非常适合空间受限的应用,甚至无需散热片即可正常工作。

二、产品特性

2.1 集成功能

  • 集成栅极驱动器和自举功能:这使得模块在电路设计中更加简洁,减少了外部元件的使用,提高了系统的可靠性和稳定性。同时,适用于正弦调制应用,为电机的高效运行提供了保障。
  • 低RDS(on) Trench FREDFET:低导通电阻可以降低功率损耗,提高模块的效率,减少发热,延长模块的使用寿命。

2.2 保护与性能优化

  • 欠压锁定功能:两个通道都具备欠压锁定功能,当电源电压低于设定阈值时,模块会自动保护,防止因电压过低而损坏。
  • 匹配的传播延迟:所有通道的传播延迟相匹配,确保了信号的同步性,提高了电机控制的精度。
  • 优化的dV/dt:通过优化dV/dt,可以在损耗和电磁干扰(EMI)之间取得良好的平衡,减少对周围电子设备的干扰。

2.3 兼容性与其他特性

  • 3.3V输入逻辑兼容:方便与各种微控制器和数字电路接口,降低了系统设计的难度。
  • 高电平有效输入:HIN和LIN输入为高电平有效,符合常见的控制逻辑。
  • 电机功率范围:适用于80 - 200W的电机功率范围,满足了大多数小电器电机的驱动需求。
  • 隔离电压:最小隔离电压为1500V RMS,提供了良好的电气隔离,保障了系统的安全性。
  • ROHS合规:符合环保要求,满足全球市场的法规标准。

三、电气参数

3.1 绝对最大额定值

绝对最大额定值表示模块能够承受的持续极限,超过这些值可能会导致模块损坏。例如,MOSFET的阻断电压(BVDSS)最大为500V,直流输出电流(IO)在TC = 25°C时最大为10A,最大工作结温(TJ)为150°C等。需要注意的是,这些参数在制造过程中并不进行测试。

3.2 推荐工作条件

为了确保模块的正常运行,应在推荐的工作条件下使用。例如,正直流母线输入电压(V +)最大为400V,低侧和逻辑电源电压(VCC)在13.5 - 16.5V之间,PWM载波频率(Fp)最大为20kHz等。

3.3 静态电气特性

在VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C的条件下,测量了一系列静态电气特性。如漏源击穿电压(BVDSS)在TJ = 25°C,ILK = 3mA时为500V,漏源导通电阻(RDS(ON))在TJ = 25°C,VCC = 10V,Id = 6A时典型值为0.58Ω等。

3.4 动态电气特性

同样在VBIAS (VCC, VBS) = 15V,TJ = 25°C的条件下,测量了输入到输出的传播导通延迟时间(TON)和关断延迟时间(TOFF)等动态特性。例如,TON和TOFF的典型值均为0.8µs。

四、热学与机械特性

4.1 热阻

每个MOSFET的结到安装垫的热阻(Rth(J - B))典型值为0.9°C/W(标准回流焊工艺),结到环境的热阻(Rth(J - A))典型值为40°C/W(安装在13.2cm²的两层FR4板上,有36个过孔)。这表明该模块在散热方面具有一定的优势,无需额外的散热片也能正常工作。

4.2 封装尺寸

模块采用PQFN 8x9mm封装,具体的封装尺寸在文档中有详细说明。这种小巧的封装设计使得模块在空间受限的应用中具有很大的优势。

五、输入输出逻辑电平

输入输出逻辑电平表明确了HIN和LIN输入与相位输出之间的关系。例如,当HIN为高电平,LIN为低电平时,相位输出为V +;当HIN为低电平,LIN为高电平时,相位输出为0。需要注意的是,当HIN和LIN都为低电平时,输出情况取决于电机电流的流向;当HIN和LIN都为高电平时,会出现直通情况。

六、典型应用连接

在典型应用连接中,有几个关键要点需要注意:

  • 总线电容:应尽可能靠近模块的总线端子安装,以减少振铃和电磁干扰问题。此外,在模块引脚附近安装额外的高频陶瓷电容可以进一步提高性能。
  • 去耦电容:为了在VCC - VSS和VB - VS端子之间提供良好的去耦,连接在这些端子上的电容应靠近模块引脚。建议使用典型值为0.1uF的额外高频电容。
  • 自举电容:自举电容的值取决于开关频率,其选择应基于IR Design tip DT04 - 4或应用笔记AN - 1044。

七、总结

IRSM807 - 105MH半桥IPM以其紧凑的封装、丰富的集成功能、良好的电气性能和热学特性,为小电器电机驱动应用提供了一个优秀的解决方案。电子工程师在设计相关电路时,可以充分考虑该模块的特点,合理应用其各项功能,以实现高效、可靠的电机驱动系统。同时,在实际应用中,还需要根据具体的需求和条件,进一步优化电路设计,确保系统的稳定性和性能。大家在使用这款模块的过程中,有没有遇到什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。

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