被特斯拉砍掉 75% 之后，SiC 怎么又被市场盯上？

 

2023 年，特斯拉在 Investor Day 上提出，下一代动力平台将减少 75% 的碳化硅（SiC）用量，同时不牺牲车辆性能和效率。

三年前的这句话一度改变了市场对 SiC 的预期。作为最早大规模采用 SiC 的整车厂之一，特斯拉是市场理解 SiC 车规化放量的核心样本。当它开始强调“用更少的 SiC 实现相近的系统效果”，一个关键疑问浮出水面：新能源汽车渗透率提升与 800V 高压平台普及，单车 SiC 价值量是否还能像市场过去预期的那样持续上涨？

此后几年，SiC 如期进入调整期。汽车需求增速放缓、车企价格战愈演愈烈、前期扩产产能逐步释放，叠加单车 SiC 价值量承压，行业陷入产能消化、价格下行与估值收缩的三重压力。直白地说，SiC 过去那套“电动车销量涨、800V 渗透率升、单车价值量增”的线性增长故事，已然难以为继。

但近期，资本市场与产业链的信号却出现反转：Wolfspeed 的 AI 数据中心应用收入连续两个季度环比增长，上一季度增幅约 50%，最新季度继续增长约 30%；AIXTRON 年内涨幅一度突破 130%，化合物半导体设备重回市场视野；Soitec 年内涨幅更是高达 300%，其工程衬底、硅光子及宽禁带材料平台被重新定价。与此同时，onsemi 的 EliteSiC 也在 900V EV、光伏逆变器和储能系统中继续推进。几个信号放在一起看，SiC 似乎正在从“电动车单一叙事”，转向更广义的高功率基础设施叙事。

一边是特斯拉“75% 减量”的警示，提醒市场 SiC 在汽车端需持续面对降本与价值量压缩压力；另一边是高压功率链条的集体回暖，SiC 重新获得资本与产业端关注。

核心问题随之而来：当旧增长公式被打破之后，SiC 新的定价锚到底在哪里？

 

01

特斯拉砍掉的，是 SiC 的旧增长公式

 

特斯拉表态之前，市场对 SiC 的理解简单且线性：电动车渗透率提升带动 800V 高压平台普及，进而推动主逆变器与快充系统升级，最终持续推高单车 SiC 价值量。这套逻辑曾无懈可击，构成了 SiC 在新能源半导体领域最核心的成长叙事。

图1.SiC过去的增长公式
 

 

SiC 能成为电动车高压平台的核心器件，绝非概念炒作。相较于传统硅基功率器件，它更适配高压、高频、高温环境，可有效降低开关损耗、提升逆变器效率，同时缩小散热系统体积——这些优势在 800V 高压平台、主逆变器、车载充电机及快充系统中，均得到充分验证。

图2.SiC在车载应用场景的价值
 

 

但车企的核心诉求，从来不是“选用性能最优的器件”，而是“实现整个动力系统的最优性价比”。对整车厂而言，SiC 是高效器件，更是高成本器件：只要通过芯片面积优化、封装改进、逆变器拓扑升级、控制策略迭代及热管理优化，能以更少的 SiC 实现相近的系统效率与性能，降本动作便会顺势推进。

图3.车企的系统的降本逻辑

 

因此，特斯拉“减少 75% SiC 用量”的核心，并非否定 SiC 的技术价值，而是标志着汽车端 SiC 用量正式进入系统级降本阶段。它打破的，是市场对“电动车销量增长→800V 渗透率提升→单车 SiC 价值量持续上升”的简单线性外推。SiC 并未被淘汰，只是不能再依赖汽车单一赛道，讲述高增长故事。

 

02

从寒冬到异动，SiC 的反转来自哪里
 

 

如上一轮 SiC 行业寒冬，本质是需求锚点过于单一。此前市场几乎将 SiC 与新能源汽车完全绑定，800V 平台推进、主逆变器升级、车规级导入，构成了其最清晰的增长路径。这套逻辑在行业上行期极为顺畅——电动车为 SiC 提供了规模化应用场景，也推动其完成产业化落地。

但当车端增速放缓、整车厂陷入价格战、单车 SiC 用量被系统级降本压缩，再叠加前几年盲目扩产释放的衬底、外延、器件及模块产能，供需失衡的问题集中爆发，行业寒冬如期而至。本轮 SiC 异动的核心价值，不在于汽车需求突然回暖，而在于市场关注点的根本性转变：上一轮新能源周期沉淀的高压功率器件、化合物半导体设备、工程衬底及材料平台，能否在新的高功率应用场景中，重新找到自身定位？

 

Wolfspeed 是最具反差感的样本。尽管公司仍处于周期修复阶段，但 AI 数据中心应用收入已连续两个季度环比增长，同时推出面向 AI 数据中心的下一代 TOLT 封装组合及首款商用 10kV SiC power MOSFET。这一信号的意义，不在于 Wolfspeed 已彻底走出困境，而在于市场开始重新评估 SiC 在高压、高功率场景中的核心价值，不再局限于汽车领域。

onsemi 的布局则印证了 SiC 应用边界的拓展：其 EliteSiC 系列仍在 900V EV 架构中稳步推进，同时成功切入光伏逆变器、储能系统等高功率能源转换场景。SiC 并未脱离汽车这一主战场，却已跳出单一赛道的局限。

向上游延伸，AIXTRON 与 Soitec 的异动，更适合作为“高压功率链条被重新看见”的信号，而非单纯的 SiC 需求爆发。AIXTRON 代表化合物半导体设备赛道，Soitec 则代表工程衬底、硅光子及高性能材料平台，二者的回暖共同说明：资本市场正重新审视底层材料、设备及电力转换能力，在下一代基础设施中的核心价值。

这正是本轮异动与上一轮 SiC 牛市的核心区别：上一轮市场追问的是电动车销量、800V 渗透率、单车 SiC 价值量的变化；这一轮，市场更关注的是，在高功率基础设施扩张背景下，谁掌握了高压功率器件、宽禁带材料、工程衬底、外延设备及系统级电力转换能力——这也是 SiC 重新进入视野的核心原因。

 

03

AI 正在继承 EV 供应链

 

Citrini 半导体报告《Supply Chain Inheritance》中的一句话，点透了本轮产业变化的核心：“AI capex buildout is simply inheriting the EV buildout supply chain.”这句话并非为某家 SiC 公司背书，也不是预判行业会立刻全面反转，而是提供了一套全新的分析框架：过去市场始终在等待汽车周期修复，期待 EV 领域压力消散后，模拟与功率半导体行业重新回暖；但现在，AI 领域的资本支出无需等待汽车周期自行修复，它正直接继承电动车扩张留下的供应链能力。

图5.AI正在继承EV供应链

 

上一轮 EV、光伏、储能周期，不仅培育出 SiC、GaN 等宽禁带功率器件，更构建了一整套完整的高压功率转换供应链，涵盖电源管理芯片、无源元件、储能变流器、高压配电模块、热管理系统及高端封装工艺。这些能力过去主要服务于新能源整车、充电桩、光伏逆变器和储能系统，如今，当 AI 基础设施进入发展第二阶段，它正面临与电动车高压化升级相似的核心难题。

早期 AI 产业的瓶颈集中在算力层面，GPU、HBM、光模块、交换机直接决定算力增长的上限。但随着单机柜算力密度持续提升，机柜供电功率同步上行，电力供给侧的短板愈发凸显：如何高效输入电能、完成多级精准转换、降低传输与转换损耗、控制高负载下的设备发热，成为算力集群扩容的新瓶颈。

这也是 800V 级高压直流供电架构被推到台前的核心原因。NVIDIA 正推动 800VDC 作为新一代 AI 工厂的标准电力架构；Google 在 OCP EMEA Summit 上明确提出，数据中心供电将从传统 48VDC 向 ±400VDC 转型，以支撑单机柜功率从 100kW 突破至 MW 级；TI 和 STMicroelectronics 也紧跟 NVIDIA 800VDC 参考架构，快速推出配套电源转换方案。

其底层逻辑极为简单：功率持续上涨时，若供电电压保持不变，工作电流必然同步激增；而电流变大，会直接导致铜损上升、线缆加粗、连接器压力增加及散热压力放大。提高母线电压、降低工作电流，是高功率系统降损耗、减布线压力的最优路径。

从行业公开方案来看，800VDC 供电并非只有单一路径：可先将 800V 压降为 48V/50V，再二次降压至 12V 或 6V；也可直接从 800V 直降 12V 或 6V，最终通过多相 VRM 调压至 GPU Core 所需的约 1V。

图6.800VDC 到 GPU Core 供电路径

 

这条供电链路，也精准划定了 SiC 的应用边界。在 AC/DC 前端、PFC、整流/隔离、UPS、高压直流母线侧，以及部分高压 DC/DC 环节，系统长期面临高电压、大功率、高效率的核心要求，器件的开关损耗、导通损耗、耐压等级及热稳定性，直接决定系统效率与可靠性——SiC 的高耐压、低损耗、耐高温特性，恰好能在这些高压前端环节最大化发挥价值。

顺着供电链路向后延伸，电压从 800V 逐级下调至 48V、12V、6V，最终适配 GPU Core 约 1V 的低压需求。越贴近算力负载，系统对高频运行、快速瞬态响应及低压大电流能力的要求越高，GaN、低压硅 MOSFET、DrMOS 与多相 VRM 会发挥更关键的作用。

可见，AI 数据中心带给 SiC 的，并非简单的“替换故事”，而是高功率电力系统的重新分工：SiC 主攻高压、大功率前端环节，GaN 与低压硅方案则聚焦中后级及近负载转换。这套逻辑，与新能源汽车从 400V 升级至 800V 的底层逻辑高度一致——一个发生在汽车上，一个发生在 AI 机柜里，场景不同，但核心均围绕高功率电气化系统重构展开。

这正是“供应链继承”的核心内涵：AI 并非从零搭建全新电力供应链，而是复用并放大上一轮 EV、光伏、储能周期中，已完成技术迭代、产能释放与场景验证的高压电力能力。SiC 能重新获得关注，本质不是新能源车需求强势回暖，而是它深度绑定高压功率产业链；只要全球高功率基础设施持续向高电压、高功率密度、高转换效率演进，SiC 就会始终占据电力系统设计的核心选型名单。

 

04

第二春不是旧故事重演

 

若 SiC 真的迎来第二春，必然不是上一轮故事的简单重演。SiC 的第一春，完全依赖电动车赛道：电动车从 400V 向 800V 升级，主逆变器效率成为决定续航与性能的关键变量，快充和高压平台成为车企核心卖点，SiC 凭借高压、高效、低损耗的优势，成为行业明星材料。

但第一春的隐患同样突出：过度依赖汽车单一赛道，导致行业抗风险能力极弱。车企一旦启动降本，单车 SiC 价值量便会被压缩；汽车需求一旦放缓，前期扩产的产能就会成为行业负担；特斯拉这样的标杆客户释放减量信号，市场便会全面怀疑 SiC 的增长逻辑——这也是上一轮行业寒冬的核心根源。

SiC 第二春的核心差异的在于：它不再只被定义为“车规半导体”，而是被纳入更广阔的高压、高效率、高功率密度电力转换场景中审视。这并不意味着 SiC 行业已全面复苏：汽车端降本压力仍在持续，行业产能利用率、产品价格及毛利率的压力尚未完全缓解；Wolfspeed 仍需证明自身能实现产能、成本与需求的重新匹配；AIXTRON 和 Soitec 的上涨，也不能简单归因于 SiC 单一需求的爆发。

但最关键的变化已经发生：市场不再只用汽车一个变量，来理解 SiC 的价值。过去看 SiC，核心问题集中在三点：电动车销量能增长多少？800V 平台渗透率能达到多少？单车 SiC 价值量能否持续提升？现在看 SiC，还需追问另一组更核心的问题：AI 机柜功率会提升至什么水平？数据中心是否会全面转向高压直流架构？UPS、固态变压器、储能、光伏等高压电源链条，会不会成为算力基础设施的重要组成部分？上一轮新能源周期培育的 SiC 供应链，能否被新一轮高功率基础设施充分吸收？

特斯拉的那一刀，打破了 SiC 过去最顺畅的增长公式，也让行业摆脱了对单一赛道的依赖。而如果下一轮高功率基础设施开始重构全球电力系统，那么上一轮 EV、光伏、储能周期沉淀下来的 SiC 供应链，就不会只是过剩产能——它终将成为下一轮产业周期的底层资产。SiC 的第二春，未必是回到电动车那条旧曲线，而是从车规半导体，走向更广义的电力基础设施半导体。