电子说
在电子设计领域,双极晶体管是一种常见且重要的元件。今天,我们要介绍的是Onsemi公司的NSS1001CL -100 V、 -2.5 A、低 (V_{C E (sat) }) PNP单晶体管,它在汽车应用等领域有着出色的表现。
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NSS1001CL是一款双极结型晶体管,具有高电流、低饱和电压和高速开关的特点,非常适合汽车应用。它通过了AEC - Q101认证,并且具备PPAP能力(NSVS1001CLTWG),这意味着它在汽车电子的可靠性和质量控制方面达到了较高的标准。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | -120 | V |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | -100 | V |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | -7 | V |
| 集电极电流 | (I_{C}) | -2.5 | A |
| 集电极电流(脉冲) | (I_{CP}) | -4 | A |
| 集电极耗散功率 | (P_{C})(注1) | 0.8 | W |
| (P_{C})(注2) | 2.2 | W | |
| 结温 | (T_{J}) | 175 | °C |
| 存储温度范围 | (T_{stg}) | -55 至 +175 | °C |
注:1. 安装在最小2 oz铜焊盘的FRB上;2. 安装在1平方英寸2 oz铜焊盘的FRB上。
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极截止电流 | (I_{CBO}) | -0.1 | μA | |||
| 发射极截止电流 | (I_{EBO}) | (V{EB} = -7V),(I{C} = 0A) | -0.1 | μA | ||
| 直流电流增益 | (h_{FE}) | (I_{C} = -100 mA) | 140 | |||
| 增益 - 带宽积 | (f_{T}) | (I_{C} = -100 mA) | 200 | MHz | ||
| 输出电容 | (C_{ob}) | (V_{CB} = -10V) | pF | |||
| 集电极 - 发射极饱和电压1 | (V_{CE(sat)1}) | (I_{C} = -100 mA) | -0.025 | -0.05 | V | |
| 集电极 - 发射极饱和电压2 | (V_{CE(sat)2}) | (I{C} = -1 A),(I{B} = -100 mA) | -0.16 | V | ||
| 集电极 - 发射极饱和电压3 | (V_{CE(sat)3}) | -0.3 | V | |||
| 集电极 - 基极击穿电压 | (V_{(BR)CBO}) | (I{C} = -10 mu A),(I{E} = 0 A) | -120 | V | ||
| 集电极 - 发射极击穿电压 | (V_{(BR)CEO}) | (I{C} = -1 mA),(R{BE} = infty) | -100 | V | ||
| 发射极 - 基极击穿电压 | (V_{(BR)EBO}) | -7 | V | |||
| 开通时间 | (t_{on}) | 见图1 | 24 | ns | ||
| 存储时间 | (t_{stg}) | 440 | ns | |||
| 下降时间 | (t_{f}) | 20 | ns |
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 类别 |
|---|---|---|---|---|
| 静电放电 - 人体模型 | HBM | >2000,<4000 | V | 2 |
| 静电放电 - 机器模型 | MM | >400 | V | M4 |
采用LFPAK8 3.3x3.3, 0.65P CASE 760AD封装,详细的封装尺寸和机械图纸在文档中有详细说明。
| 器件 | 标记 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|---|
| NSVS1001CLTWG | NSS1001G | LFPAK8(无铅/无卤素) | 3,000 / 卷带包装 |
| NSS1001CLTWG | NSS1001G | LFPAK8(无铅/无卤素) | 3,000 / 卷带包装 |
Onsemi的NSS1001CL PNP双极晶体管凭借其高电流、低饱和电压、高速开关等特性,以及良好的环保性能和汽车级认证,在汽车应用等领域具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时,可以考虑该器件,以满足电路的性能和可靠性要求。大家在实际应用中,有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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