电子说
在电子电路设计中,晶体管是极为重要的基础元件,广泛应用于各种电子设备中。今天,我们来深入了解一下安森美(onsemi)的通用NPN硅晶体管MMBT3904TT1G和SMMBT3904TT1G。
文件下载:MMBT3904TT1-D.PDF
MMBT3904TT1G和SMMBT3904TT1G专为通用放大器应用而设计,采用SOT - 416/SC - 75封装,这种封装适用于低功率表面贴装应用。其具有S前缀,适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。同时,这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准。
| 在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时,该晶体管的主要最大额定值如下: | 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 40 | (V_{dc}) | |
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | 60 | (V_{dc}) | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | 6.0 | (V_{dc}) | |
| 集电极连续电流 | (I_{C}) | 200 | (m_{Adc}) |
在不同的电流条件下,如 (I{C}= 1.0 m{Adc}, I{B}=0) 等,有相应的参数表现。集电极截止电流 (I{CEX}) 最大为50 (n_{Adc})。
| 特性 | 条件 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 延迟时间 | (V{CC}= 3.0 V{dc}, V{BE}= -0.5 V{dc}) | (t_{d}) | 35 | (ns) |
| 上升时间 | (I{C}= 10 m{Adc}, I{B1}= 1.0 m{Adc}) | (t_{r}) | 35 | (ns) |
| 存储时间 | (V{CC}= 3.0 V{dc}, I{C}= 10 m{Adc}) | (t_{s}) | 200 | (ns) |
| 下降时间 | (I{B1}= I{B2}= 1.0 m_{Adc}) | (t_{f}) | 50 | (ns) |
脉冲测试要求脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2.0%。
该晶体管采用SOT - 416(无铅)封装,MMBT3904TT1G和SMMBT3904TT1G均以3000个/卷带盘的形式发货。关于卷带盘的规格,包括零件方向和卷带尺寸等信息,可参考安森美的卷带盘包装规格手册BRD8011/D。
SC75 - 3封装的尺寸有详细规定,所有尺寸单位为毫米,尺寸标注和公差符合ASME Y14.5 - 2018标准。同时,文档还给出了推荐的安装 footprint,对于无铅策略和焊接细节,可下载安森美的焊接和安装技术参考手册SOLDERRM/D获取更多信息。
文档中提供了大量的典型特性曲线,如归一化热响应、电容、电荷数据、开关时间、噪声系数、h参数、直流电流增益、集电极饱和区域、“ON”电压、温度系数等曲线。这些曲线对于工程师在设计电路时评估晶体管的性能非常有帮助。
在实际应用中,工程师需要根据具体的电路需求,综合考虑晶体管的各项参数和特性曲线,合理选择和使用MMBT3904TT1G和SMMBT3904TT1G。大家在使用过程中有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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