英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度

 

 

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC MOSFET的新型XHP2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。它们专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该系列模块提供多种规格，导通电阻（RDS(on)）在1mΩ至2mΩ之间，绝缘电压为4kV或6kV。与传统硅基解决方案相比，新产品采用碳化硅（SiC）技术，显著降低了开关损耗与导通损耗，从而使逆变器实现更高效率和更高功率密度，或以更高开关频率运行以降低谐波并缩小系统尺寸。全新XHP 2 CoolSiC MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。

 

英飞凌推出采用2300V CoolSiC MOSFET的新型XHP2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合

 

这些模块采用XHP 2封装，具有对称开关特性，便于在大功率转换器中实现并联，并提供一个标准化平台，使开发人员能够根据应用要求平衡效率和性能。所有型号均采用英飞凌成熟的.XT互连技术，具备更高的可靠性，以及更长的器件使用寿命；同时，模块还提供预涂导热界面材料版本，在简化组装过程的同时保障稳定的散热性能。

 

这些特性带来了可观的系统级优势。在风电演示系统中，实现了300 kW/L的功率密度；而在电池储能系统测试中，半导体的低损耗可以使系统的功率输出效率提高到99.3%。英飞凌通过此次产品组合扩展，为可再生能源应用领域的下一代高压电力系统提供了丰富的产品解决方案。