Onsemi MJE5850、MJE5851和MJE5852晶体管：高性能开关模式的理想之选

在电子设计领域，选择合适的晶体管至关重要，尤其是在高压、高速和功率开关应用中。今天，我们来深入探讨Onsemi的MJE5850、MJE5851和MJE5852这三款PNP硅功率晶体管，看看它们能为我们的设计带来哪些优势。

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一、产品概述

MJE5850、MJE5851和MJE5852晶体管专为高压、高速功率开关应用而设计，特别是在对关断时间要求苛刻的电感电路中表现出色。它们非常适合用于开关模式电源等应用。

特点和应用场景

• 特点：具有快速关断时间、宽工作温度范围（-65°C至 +150°C），并且符合Pb-Free和RoHS标准。
• 应用场景：广泛应用于开关调节器、逆变器、螺线管和继电器驱动器、电机控制、偏转电路等。

二、关键参数解读

（一）最大额定值

Rating	Symbol	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage MJE5850 MJE5851 MJE5852	VCEO(sus)	300 350 400	Vdc
Collector-Emitter Voltage MJE5850 MJE5851 MJE5852	VCEV	350 400 450	Vdc
Emitter Base Voltage	VEB	6.0	Vdc
Collector Current - Continuous (Note 1)	IC	8.0	Adc
Collector Current - Peak (Note 1)	CM	16	Adc
Base Current - Continuous (Note 1)	IB	4.0	Adc
Base Current - Peak (Note 1)	IBM	8.0	Adc
Total Power Dissipation @ (T_{C}=25^{circ} C) Derate above 25°C	PD	80 0.640	W W/°C
Operating and Storage Junction Temperature Range	TJ, Tstg	-65 to 150	°C

从这些参数中我们可以看出，不同型号在集电极 - 发射极电压上有所差异，这为我们根据不同的电压需求选择合适的型号提供了依据。例如，如果需要更高的耐压，MJE5852可能是更好的选择。

（二）热特性

Rating	Symbol	Max	Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case	RBC	1.25	°C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8" from Caase for 5 Seconds	TL	275	°C

热阻是衡量晶体管散热能力的重要指标，较低的热阻意味着在相同功率下晶体管的温度升高较小。这对于保证晶体管的稳定性和可靠性非常关键。

（三）电气特性

1. 截止特性

例如，Collector-Emitter Sustaining Voltage（ (I{C}=10 ~mA, I{B}=0) ）在MJE5850、MJE5851和MJE5852上分别为300V、350V和400V，这反映了不同型号在截止状态下承受电压的能力。

2. 导通特性

DC Current Gain（ (I{C}=2.0) Adc, (V{CE}=5) Vdc）等参数让我们了解晶体管在导通时的电流放大能力。不同的应用场景可能对电流增益有不同的要求，我们需要根据实际情况进行选择。

3. 动态特性

Output Capacitance（ (V{CB}=10) Vdc, (I{E}=0, f_{test }=1.0) kHz）为270pF，这对于一些对电容敏感的电路设计是一个重要的参考值。

4. 开关特性

对于电阻负载和电感负载，晶体管的开关时间有所不同。在电感负载中，定义了新的开关时间术语，如 (t{sv})（电压存储时间）、 (t{rv})（电压上升时间）等。这是因为电感负载下电流和电压波形不同相，需要更精确地描述开关过程。例如，在开关模式电源和锤驱动电路中，了解这些开关时间对于优化电路性能至关重要。

三、安全工作区

（一）正向偏置

晶体管的功率处理能力受平均结温和二次击穿两个因素限制。安全工作区曲线显示了 (I{C}-V{CE}) 的限制，确保晶体管可靠运行。数据基于 (T{C}=25^{circ} C) ，二次击穿脉冲限制在占空比为10%时有效，当 (T{C} ≥25^{circ} C) 时需要降额。在实际设计中，我们要根据不同的工作温度和功率需求，合理选择晶体管的工作点，避免超过安全工作区。

（二）反向偏置

对于电感负载，在关断时需要同时承受高电压和高电流，通常基极 - 发射极结处于反向偏置。此时，需要通过一些方法（如有源钳位、RC缓冲、负载线整形等）将集电极电压保持在安全水平。反向偏置安全工作区（RBSOA）规定了反向偏置关断时允许的电压 - 电流条件。这对于保护晶体管免受雪崩模式的影响非常重要。

四、订购信息

Device	Package	Shipping
MJE5850G	TO−220 (Pb−Free)	50 Units / Rail
MJE5851G	TO−220 (Pb−Free)	50 Units / Rail
MJE5852G	TO−220 (Pb−Free)	50 Units / Rail

需要注意的是，MJE5852G已停产，不推荐用于新设计。在选择晶体管时，除了考虑性能参数，还要关注其供应情况。

五、总结

Onsemi的MJE5850、MJE5851和MJE5852晶体管凭借其出色的性能和广泛的应用场景，为电子工程师在开关模式电源等设计中提供了可靠的选择。在实际应用中，我们要根据具体的设计需求，仔细研究这些晶体管的参数和特性，合理选择型号，并注意安全工作区的限制。大家在使用这些晶体管的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。