探索MJE18004与MJF18004:开关电源应用的理想选择

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探索MJE18004与MJF18004:开关电源应用的理想选择

在电子工程师的日常工作中,开关电源的设计至关重要。而合适的功率晶体管对于开关电源的性能起着关键作用。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)的MJE18004和MJF18004这两款开关模式NPN双极功率晶体管。

文件下载:MJE18004-D.PDF

产品概述

MJE18004和MJF18004专为开关电源应用而设计,适用于220V线路操作的开关模式电源和电子镇流器。它们采用了特定应用的先进芯片设计,能够满足这些应用的严格要求。

产品特性

高效节能

这两款晶体管具有低基极驱动要求,从而提高了效率。其高且平坦的直流电流增益(hFE),使得在不同工作条件下都能保持稳定的性能。而且,在基极电路中无需线圈进行关断操作,避免了电流拖尾现象,进一步提升了效率。

快速开关

具备快速开关特性,能够快速响应开关信号,减少开关损耗,提高电源的整体效率。

全面特性表征

在125°C的温度条件下进行了全面的特性表征,确保在高温环境下也能稳定工作。

严格的参数分布

安森美采用六西格玛哲学,提供紧密且可重复的参数分布,保证了产品的一致性和可靠性。

环保设计

这两款器件为无铅产品,符合RoHS标准,体现了环保理念。

封装与订购信息

封装选择

提供两种封装选择:标准TO - 220和隔离式TO - 220。其中,MJF18004的TO - 220 Fullpack(Case 221D)是UL认可的,额定RMS隔离电压可达3500V(文件编号E69369)。

订购信息

MJE18004G采用TO - 220AB(无铅)封装,每轨50个单位;MJF18004G采用TO - 220(Fullpack)(无铅)封装,同样每轨50个单位。详细的订购和运输信息可在数据手册第8页的封装尺寸部分查看。

电气特性

最大额定值

额定参数 符号 单位
集电极 - 发射极维持电压 VCEO 450 Vdc
集电极 - 基极击穿电压 VCES 1000 Vdc
发射极 - 基极电压 VEBO 9.0 Vdc
集电极连续电流 IC 5.0 Adc
集电极峰值电流(注1) CM 10 Adc
基极连续电流 IB 2.0 Adc
基极峰值电流(注1) IBM 4.0 Adc
RMS隔离电压(注2) VISOL MJF18004:4500、3500、1500 V
总器件功耗($T_{C}=25^{circ}C$) PD MJE18004:75;MJF18004:35 W
25°C以上降额 MJE18004:0.6;MJF18004:0.28 W/°C
工作和存储温度 TJ, Tstg -65 to 150 °C

电气特性($T_{C}=25^{circ}C$,除非另有说明)

关断特性

  • 集电极 - 发射极维持电压($I{C}=100 mA$,$L = 25 mH$):$V{CEO(sus)} = 450 Vdc$
  • 集电极截止电流($V{CE} =$额定$V{CEO}$,$I{B} = 0$):$I{CEO}$在不同条件下有不同值
  • 集电极截止电流($V{CE} =$额定$V{CES}$,$V_{EB} = 0$):在不同温度下有不同值
  • 发射极截止电流($V{EB} = 9.0 Vdc$,$I{C} = 0$):$I_{EBO}$

导通特性

  • 基极 - 发射极饱和电压($I{C}=1.0 Adc$,$I{B}=0.1 Adc$;$I{C}=2.0 Adc$,$I{B}=0.4 Adc$):$V_{BE(sat)}$在不同条件下有不同值
  • 集电极 - 发射极饱和电压($I{C}=1.0 Adc$,$I{B}=0.1 Adc$;$I{C}=2.0 Adc$,$I{B}=0.4 Adc$等不同条件):$V_{CE(sat)}$在不同条件下有不同值
  • 直流电流增益($I{C}=1.0 Adc$,$V{CE}=2.5 Vdc$等不同条件):$h_{FE}$在不同条件下有不同值

动态特性

  • 电流增益带宽($I{C}=0.5 Adc$,$V{CE}=10 Vdc$,$f = 1.0 MHz$):$f_{T} = 13 MHz$
  • 输出电容($V{CB}=10 Vdc$,$I{E}=0$,$f = 1.0 MHz$):$C_{ob}$在50 - 65 pF之间
  • 输入电容($V{EB}=8.0 V$):$C{ib}$在800 - 1000 pF之间
  • 动态饱和电压:在不同条件下有不同值

开关特性

  • 电阻负载:不同电流和电压条件下的导通时间($t{on}$)和关断时间($t{off}$)等参数
  • 电感负载:不同电流和电压条件下的下降时间($t{f}$)、存储时间($t{si}$)和交叉时间($t_{o}$)等参数

典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线,包括直流电流增益、集电极饱和区域、电容特性、开关特性等曲线。这些曲线有助于工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能,从而进行合理的设计。

安全工作区信息

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的$I{C}-V{CE}$限制,必须遵守这些限制以确保可靠运行。对于电感负载,在关断时需要同时承受高电压和电流,并且基极 - 发射极结反向偏置,此时有反向偏置安全工作区的规定。

热特性

特性 符号 最大值 单位
结 - 壳热阻(MJE18004;MJF18004) $R_{BC}$ 1.65;3.55 °C/W
结 - 环境热阻 $R_{BA}$ 62.5 °C/W
焊接用最大引脚温度(距外壳1/8"处,5秒) $T_{L}$ 260 °C

安装信息

实验室测试表明,使用螺丝和压缩垫圈安装技术时,6 - 8 in. lbs的螺丝扭矩足以提供最大的功率耗散能力。压缩垫圈有助于在长时间和大温度变化时保持封装上的恒定压力。但要注意,使用六角头4 - 40螺丝且无垫圈时,施加超过20 in. lbs的扭矩会导致塑料在安装孔周围开裂,从而失去隔离能力。为确保完全隔离器件的封装完整性,安森美不建议在任何安装条件下超过10 in. lbs的安装扭矩。更多关于安装功率半导体的信息可参考应用笔记AN1040。

总结

MJE18004和MJF18004这两款晶体管凭借其高效、快速开关、全面的特性表征和环保设计等优点,成为开关电源应用的理想选择。电子工程师在设计开关电源时,可以根据具体的应用需求,结合这些晶体管的特性和参数,进行合理的电路设计和器件选型。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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