安森美MJD243（NPN）和MJD253（PNP）互补硅塑料功率晶体管深度解析

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率晶体管至关重要。安森美（onsemi）推出的MJD243（NPN）和MJD253（PNP）互补硅塑料功率晶体管，专为低电压、低功率、高增益音频放大器应用而设计，接下来让我们深入了解这款产品。

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产品特性

高直流电流增益

该晶体管具有高直流电流增益，这使得它在音频放大器等应用中能够有效地放大信号，确保信号的强度和质量。在实际设计中，高增益可以减少信号失真，提高音频的清晰度和音质。

多种封装形式

它有两种封装形式可供选择。一种是适用于表面贴装应用的DPAK - 3封装，其引脚经过特殊成型处理，可直接用于表面贴装；另一种是直引脚版本，后缀为“ - 1”，同样采用塑料套管封装。这种多样化的封装形式满足了不同的设计需求，方便工程师根据实际情况进行选择。

低集电极 - 发射极饱和电压

低集电极 - 发射极饱和电压意味着在晶体管导通时，能量损耗较小，从而提高了整个电路的效率。在音频放大器中，这有助于降低功耗，减少发热，延长设备的使用寿命。

高电流增益 - 带宽积和低泄漏环形结构

高电流增益 - 带宽积使得晶体管能够在较宽的频率范围内保持良好的性能，适用于多种音频信号的放大。而低泄漏环形结构则有效地减少了电流泄漏，提高了晶体管的稳定性和可靠性。

环保特性

这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合RoHS标准，满足了环保要求，也符合现代电子产品对绿色环保的趋势。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 基极电压	VCB	100	Vdc
集电极 - 发射极电压	VCEO	100	Vdc
发射极 - 基极电压	VEB	7.0	Vdc
集电极电流 - 连续	IC	4.0	Adc
集电极电流 - 峰值	ICM	8.0	Adc
基极电流	IB	1.0	Adc
总器件功耗 @ TC = 25 °C 高于25 °C时降额	PD	12.5 0.1	W W/°C
总器件功耗 @ TA = 25 °C（注1） 高于25 °C时降额	PD	1.4 0.011	W W/°C
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-65 to +150	°C
ESD - 人体模型	HBM	3B	V
ESD - 机器模型	MM	C	V

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。注1中提到的条件是FR - 4 75 mm²，2oz. Cu。

热特性

特性	符号	值	单位
结到外壳的热阻（注2）	RJC	10	°C/W
结到环境的热阻（注3）	RJA	89.3	°C/W

注2中提到的是FR - 4最小焊盘，1oz. Cu；注3中是FR - 4 475 mm²，2oz. Cu。热特性对于功率晶体管的性能和可靠性至关重要，在设计散热方案时，需要根据这些热阻参数来确保晶体管的工作温度在合理范围内。

电气特性

关断特性

• 集电极 - 发射极维持电压：在I_C = 10 mAdc，I_B = 0的条件下，V_CEO(sus)为100 Vdc。
• 集电极截止电流：在V_CB = 100 Vdc，I_E = 0时，I_CBO为100 nAdc；在V_CB = 100 Vdc，I_E = 0，T_J = 125 °C时，I_CBO为100 Adc。
• 发射极截止电流：在V_BE = 7.0 Vdc，I_C = 0时，I_EBO为100 nAdc。

直流电流增益

在I_C = 200 mAdc，V_CE = 1.0 Vdc时，h_FE最小值为40，最大值为180；在I_C = 1.0 Adc，V_CE = 1.0 Vdc时，h_FE最小值为15。

集电极 - 发射极饱和电压

在I_C = 500 mAdc，I_B = 50 mAdc时，V_CE(sat)最大值为0.3 Vdc；在I_C = 1.0 Adc，I_B = 100 mAdc时，V_CE(sat)最大值为0.6 Vdc。

基极 - 发射极饱和电压

在I_C = 2.0 Adc，I_B = 200 mAdc时，V_BE(sat)为1.8 Vdc。

基极 - 发射极导通电压

在I_C = 500 mAdc，V_CE = 1.0 Vdc时，V_BE(on)为 - 1.5 Vdc。

动态特性

• 电流增益 - 带宽积：在I_C = 100 mAdc，V_CE = 10 Vdc，f_test = 10 MHz的条件下，f_T为40 MHz。
• 输出电容：在V_CB = 10 Vdc，I_E = 0，f = 0.1 MHz时，C_ob为50 pF。

产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示，但如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过这些电气特性体现。注4中提到脉冲测试的脉冲宽度为300 μs，占空比为2%；注5中f_T = |h_FE| · f_test。

安全工作区

晶体管的功率处理能力有两个限制：平均结温和二次击穿。安全工作区曲线表示了晶体管的I_C - V_CE限制，为了可靠运行，必须遵守这些限制，即晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。

订购信息

器件	封装类型	封装	运输方式
MJD243G	DPAK - 3（无铅）	369C	75个/导轨
MJD243T4G	DPAK - 3（无铅）	369C	2,500个/卷带
NJVMJD243T4G*	DPAK - 3（无铅）	369C	2,500个/卷带
MJD253T4G	DPAK - 3（无铅）	369C	2,500个/卷带
NJVMJD253T4G*	DPAK - 3（无铅）	369C	2,500个/卷带

同时，部分器件已经停产，如MJD253 - 1G，其封装为IPAK（无铅）369D，运输方式为75个/导轨。对于卷带规格的信息，可参考安森美的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure，BRD8011/D。

机械尺寸和标记

文档中还提供了DPAK - 3和IPAK两种封装的机械尺寸详细信息，包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值。同时，也给出了通用标记图，不同的引脚定义有多种风格可供参考。

安森美的MJD243（NPN）和MJD253（PNP）互补硅塑料功率晶体管具有诸多优秀特性，在低电压、低功率、高增益音频放大器应用中有着良好的表现。工程师在设计时，需要根据具体的应用需求，综合考虑其最大额定值、热特性、电气特性等参数，合理选择封装和引脚定义，以确保电路的性能和可靠性。你在使用这款晶体管的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。