电子说
在电子工程师的日常工作中,双极晶体管是电路设计里的常客。今天咱们就来深入剖析 ON Semiconductor 推出的 MCH6103/MCH6203 双极晶体管,看看它有哪些独特之处。
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MCH6103/MCH6203 属于双极晶体管,具备(–)50V、(–)1A 的规格,拥有低集电极 - 发射极饱和电压(Low VCE(sat)),包含 PNP 和 NPN 单管类型(MCPH6)。其产品编号为 EN6611B,相关信息可在 http://onsemi.com 查询。
这款晶体管适用于多种驱动电路,如继电器驱动、灯驱动、电机驱动以及闪光灯等。大家可以思考一下,在这些应用场景中,它的哪些特性起到了关键作用呢?
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | VCBO | (–50)80 | V | |
| 集电极 - 发射极电压 | VCES | (–50)80 | V | |
| VCEO | (–)50 | V | ||
| 发射极 - 基极电压 | VEBO | (–)5 | V | |
| 集电极电流 | IC | (–)1.0 | A | |
| 集电极电流(脉冲) | ICP | (–)3 | A | |
| 基极电流 | IB | 200 | mA | |
| 集电极耗散功率 | PC | 安装在陶瓷基板(600mm² × 0.8mm)上时 | 1.0 | W |
| 结温 | Tj | 150 | °C | |
| 储存温度 | Tstg | –55 至 +150 | °C |
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极截止电流 | ICBO | VCB = (–)40V,IE = 0A | (–)0.1 | μA | ||
| 发射极截止电流 | IEBO | VEB = (–)4V,IC = 0A | (–)0.1 | μA | ||
| 直流电流增益 | hFE | VCE = (–)2V,IC = (–)100mA | 200 | 560 | ||
| 增益 - 带宽积 | fT | VCE = (–)10V,IC = (–)300mA | 420 | MHz | ||
| 输出电容 | Cob | VCB = (–)10V,f = 1MHz | (9)6 | pF | ||
| 集电极 - 发射极饱和电压 | VCE(sat)1 | IC = (–)500mA,IB = (–)10mA | (–280)130 | (–430)190 | mV | |
| VCE(sat)2 | IC = (–)300mA,IB = (–)6mA | (–145)90 | (–220)135 | mV | ||
| 基极 - 发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC = (–)500mA,IB = (–)10mA | (–)0.81 | (–)1.2 | V | |
| 集电极 - 基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC = (–)10 μA,IE = 0A | (–50)80 | V | ||
| 集电极 - 发射极击穿电压 | V(BR)CES | IC = (–)100 μA,RBE = 0 Ω | (–50)80 | V | ||
| V(BR)CEO | IC = (–)1mA,RBE = ∞ | (–)50 | V | |||
| 发射极 - 基极击穿电压 | V(BR)EBO | IE = (–)10 μA,IC = 0A | (–)5 | V | ||
| 开启时间 | ton | 见指定测试电路 | (36)38 | ns | ||
| 存储时间 | tstg | (173)332 | ns | |||
| 下降时间 | tf | (28)40 | ns |
产品采用 SC - 88、SC - 70 - 6、SOT - 363 封装,最小包装数量为 3,000 件/卷。
| 器件 | 封装 | 运输方式 | 备注 |
|---|---|---|---|
| MCH6103 - TL - E | MCPH6 | 3,000 件/卷 | 无铅 |
| MCH6203 - TL - E | MCPH6 | 3,000 件/卷 |
产品采用特定的包装格式,包含载带、卷轴等,终端处理为无铅。在实际使用中,我们要注意包装规格对产品运输和存储的影响。
MCH6103/MCH6203 双极晶体管凭借其先进的工艺、优良的电气特性和超小的封装,在多种驱动电路应用中具有很大的优势。作为电子工程师,我们在设计电路时,要充分考虑这些特性和规格,以确保电路的性能和稳定性。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?不妨一起交流探讨。
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