探索 MCH6103/MCH6203 双极晶体管:特性、规格与应用

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探索 MCH6103/MCH6203 双极晶体管:特性、规格与应用

在电子工程师的日常工作中,双极晶体管是电路设计里的常客。今天咱们就来深入剖析 ON Semiconductor 推出的 MCH6103/MCH6203 双极晶体管,看看它有哪些独特之处。

文件下载:EN6611-D.PDF

产品概述

MCH6103/MCH6203 属于双极晶体管,具备(–)50V、(–)1A 的规格,拥有低集电极 - 发射极饱和电压(Low VCE(sat)),包含 PNP 和 NPN 单管类型(MCPH6)。其产品编号为 EN6611B,相关信息可在 http://onsemi.com 查询。

应用场景

这款晶体管适用于多种驱动电路,如继电器驱动、灯驱动、电机驱动以及闪光灯等。大家可以思考一下,在这些应用场景中,它的哪些特性起到了关键作用呢?

产品特性

  1. 先进工艺:采用了 MBIT 工艺,这种工艺有什么优势呢?它能让晶体管具备大电流承载能力,满足高电流需求的应用场景。
  2. 低饱和电压:集电极 - 发射极饱和电压低,这有助于降低功耗,提高电路效率。在设计低功耗电路时,这一特性就显得尤为重要。
  3. 高速开关:能够实现高速切换,适用于对开关速度要求较高的电路。
  4. 超小封装:封装尺寸极小,安装高度仅 0.85mm,有利于终端产品的小型化设计。对于追求小型化的电子产品,这无疑是一个很大的优势。
  5. 高允许功耗:可以承受较高的功率损耗,保证了产品在高负荷工作时的稳定性。

规格参数

绝对最大额定值(Ta = 25°C)

参数 符号 条件 额定值 单位
集电极 - 基极电压 VCBO (–50)80 V
集电极 - 发射极电压 VCES (–50)80 V
VCEO (–)50 V
发射极 - 基极电压 VEBO (–)5 V
集电极电流 IC (–)1.0 A
集电极电流(脉冲) ICP (–)3 A
基极电流 IB 200 mA
集电极耗散功率 PC 安装在陶瓷基板(600mm² × 0.8mm)上时 1.0 W
结温 Tj 150 °C
储存温度 Tstg –55 至 +150 °C

电气特性(Ta = 25°C)

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
集电极截止电流 ICBO VCB = (–)40V,IE = 0A (–)0.1 μA
发射极截止电流 IEBO VEB = (–)4V,IC = 0A (–)0.1 μA
直流电流增益 hFE VCE = (–)2V,IC = (–)100mA 200 560
增益 - 带宽积 fT VCE = (–)10V,IC = (–)300mA 420 MHz
输出电容 Cob VCB = (–)10V,f = 1MHz (9)6 pF
集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat)1 IC = (–)500mA,IB = (–)10mA (–280)130 (–430)190 mV
VCE(sat)2 IC = (–)300mA,IB = (–)6mA (–145)90 (–220)135 mV
基极 - 发射极饱和电压 VBE(sat) IC = (–)500mA,IB = (–)10mA (–)0.81 (–)1.2 V
集电极 - 基极击穿电压 V(BR)CBO IC = (–)10 μA,IE = 0A (–50)80 V
集电极 - 发射极击穿电压 V(BR)CES IC = (–)100 μA,RBE = 0 Ω (–50)80 V
V(BR)CEO IC = (–)1mA,RBE = ∞ (–)50 V
发射极 - 基极击穿电压 V(BR)EBO IE = (–)10 μA,IC = 0A (–)5 V
开启时间 ton 见指定测试电路 (36)38 ns
存储时间 tstg (173)332 ns
下降时间 tf (28)40 ns

封装与订购信息

封装尺寸

产品采用 SC - 88、SC - 70 - 6、SOT - 363 封装,最小包装数量为 3,000 件/卷。

订购信息

器件 封装 运输方式 备注
MCH6103 - TL - E MCPH6 3,000 件/卷 无铅
MCH6203 - TL - E MCPH6 3,000 件/卷

压纹载带规格

产品采用特定的包装格式,包含载带、卷轴等,终端处理为无铅。在实际使用中,我们要注意包装规格对产品运输和存储的影响。

总结

MCH6103/MCH6203 双极晶体管凭借其先进的工艺、优良的电气特性和超小的封装,在多种驱动电路应用中具有很大的优势。作为电子工程师,我们在设计电路时,要充分考虑这些特性和规格,以确保电路的性能和稳定性。大家在实际应用中有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢?不妨一起交流探讨。

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