深入解析 onsemi 双通用晶体管：MBT3904DW1 系列

在电子领域，晶体管作为基础元件，其性能和特性对电路设计起着关键作用。今天，我们来深入探讨 onsemi 公司的 MBT3904DW1、MBT3904DW2、SMBT3904DW1 和 NSVMBT3904DW1 双通用晶体管，看看它们在电子设计中能为我们带来哪些优势。

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产品概述

MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 是 onsemi 热门的 SOT - 23/SOT - 323 三引脚器件的衍生产品，采用 SOT - 363 六引脚表面贴装封装。这种封装将两个分立器件集成在一个封装中，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

产品特性

电气性能优越

• 电流增益（hFE）：范围在 100 - 300 之间，能够满足不同电路对放大倍数的需求。
• 低饱和电压（VCE(sat)）：≤0.4V，这意味着在导通状态下，晶体管的功耗较低，能有效提高电路效率。

设计优势明显

• 简化电路设计：将两个晶体管集成在一个封装中，减少了外部连接和布线的复杂性，使电路设计更加简洁。
• 节省电路板空间：对于空间有限的设计，这种集成封装能有效利用电路板面积，提高空间利用率。
• 减少元件数量：降低了元件采购和组装成本，同时也减少了潜在的故障点，提高了电路的可靠性。

封装与环保特性

• 封装形式：提供 8mm、7 英寸/3000 单位的卷带包装，方便自动化生产。
• 环保标准：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用针对性强

• 前缀区分：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	40	Vdc
集电极 - 基极电压	VCBO	60	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	6.0	Vdc
集电极连续电流	IC	200	mAdc
静电放电	ESD	HBM Class 2 MM Class B

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

特性	符号	值	单位
总封装功耗（TA = 25°C）		150	mW
热阻	RBA	833	°C/W
结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 至 +150	°C

这里的热特性是在器件安装在 FR4 玻璃环氧树脂印刷电路板上，并使用最小推荐焊盘的条件下测得的。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（V(BR)CEO）：IC = 1.0 mAdc，IB = 0 时，为 40Vdc。
• 集电极 - 基极击穿电压（V(BR)CBO）：IC = 10 μAdc，IE = 0 时，为 60Vdc。
• 发射极 - 基极击穿电压（V(BR)EBO）：IE = 10 μAdc，IC = 0 时，为 6.0Vdc。
• 基极截止电流（IBL）：VCE = 30 Vdc，VEB = 3.0 Vdc 时，最大为 50 nAdc。
• 集电极截止电流（ICEX）：VCE = 30 Vdc，VEB = 3.0 Vdc 时，最大为 50 nAdc。

导通特性

• 直流电流增益（hFE）：在不同的集电极电流和电压条件下，hFE 有不同的值，如 IC = 0.1 mAdc，VCE = 1.0 Vdc 时，hFE 为 40 - 70；IC = 10 mAdc，VCE = 1.0 Vdc 时，hFE 为 100 - 300 等。
• 集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）：IC = 10 mAdc，IB = 1.0 mAdc 时，最大为 0.2V；IC = 50 mAdc，IB = 5.0 mAdc 时，最大为 0.3V。
• 基极 - 发射极饱和电压（VBE(sat)）：IC = 10 mAdc，IB = 1.0 mAdc 时，为 0.65 - 0.85V；IC = 50 mAdc，IB = 5.0 mAdc 时，为 0.95V。

小信号特性

• 电流增益 - 带宽积：为 300 MHz。
• 输出电容（Cobo）：VEB = 0.5 Vdc，IC = 0，f = 1.0 MHz 时，为 8.0 pF。
• 输入阻抗（hie）：VCE = 10 Vdc，IC = 1.0 mAdc，f = 1.0 kHz 时，为 1.0 - 2.0 kΩ。
• 小信号电流增益（hfe）：VCE = 10 Vdc，IC = 1.0 mAdc，f = 1.0 kHz 时，为 100 - 400。
• 输出导纳（hoe）：VCE = 5.0 Vdc，IC = 100 μAdc，RS = 1.0 kΩ，f = 1.0 kHz 时，为 1.0 - 3.0 μS。
• 噪声系数（NF）：在特定条件下有相应的值。

开关特性

特性	符号	最小值	最大值	单位
延迟时间	td	-	35	ns
上升时间	tr	-	35	ns
存储时间	ts	-	200	ns
下降时间	tf	-	50	ns

订购信息

器件	封装	包装
MBT3904DW1T1G	SOT - 363（无铅）	3000 / 卷带
SMBT3904DW1T1G	SOT - 363（无铅）	3000 / 卷带
NSVMBT3904DW1T3G	SOT - 363（无铅）	10000 / 卷带
MBT3904DW2T1G	SOT - 363（无铅）	3000 / 卷带（已停产）

需要注意的是，MBT3904DW2T1G 已停产，如需相关信息，可联系 onsemi 代表或访问其官网。

总结

onsemi 的 MBT3904DW1 系列双通用晶体管以其优越的电气性能、设计优势和环保特性，为电子工程师在低功率表面贴装应用中提供了一个可靠的选择。在实际设计中，我们需要根据具体的电路要求，合理选择和使用这些晶体管，以实现最佳的电路性能。同时，也要关注器件的最大额定值和热特性，确保器件在安全的工作范围内运行。大家在使用这些晶体管的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。