电子说
在电子设计的广阔领域中,晶体管作为基础且关键的元件,一直扮演着重要角色。今天,我们将深入探讨 onsemi 公司的 NPN 外延硅晶体管 KSC1845,了解它的特性、参数以及在实际应用中的注意事项。
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KSC1845 是 onsemi 推出的一款 NPN 外延硅晶体管,采用 TO - 92 封装。它具有音频频率低噪声放大的特性,并且与 KSA992 互补。同时,这是一款无铅器件,符合环保要求。其引脚定义为:引脚 1 是发射极(Emitter),引脚 2 是集电极(Collector),引脚 3 是基极(Base)。
| 最大额定值是确保晶体管安全可靠工作的重要指标,以下是在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时的相关参数: | 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | 120 | V | |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 120 | V | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | 5 | V | |
| 集电极电流 | (I_{C}) | 50 | mA | |
| 基极电流 | (I_{B}) | 10 | mA | |
| 结温 | (T_{J}) | 150 | °C | |
| 储存温度 | (T_{STG}) | -55 至 150 | °C |
需要注意的是,如果超过这些最大额定值,可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
热特性对于晶体管的性能和寿命至关重要。在 (T_{A}=25^{circ}C) 时:
| 电气特性反映了晶体管在不同工作条件下的性能,以下是部分关键电气参数: | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极击穿电压 (BV_{CEO}) | (I{C}=100 mu A, I{B}=0);(I{C}=1 mA, I{B}=0) | 120 | - | - | V | |
| 发射极 - 基极击穿电压 (BVEBO) | (I{E}=100 mu A, I{C}=0) | - | - | - | - | |
| 集电极截止电流 | - | - | - | 50 | nA | |
| 发射极截止电流 (I_{EBO}) | (V{EB}=5V, I{C}=0) | - | - | - | - | |
| 直流电流增益 (h_{FE1}) | (V{CE}=6 V, I{C}=0.1 mA) | 150 | - | 580 | - | |
| 直流电流增益 (h_{FE2}) | - | 300 | 450 | 600 | - | |
| 基极 - 发射极导通电压 | (V{CE}=6 V, I{C}=1 mA) | 0.55 | 0.59 | 0.65 | V | |
| 集电极 - 发射极饱和电压 (V_{CE(sat)}) | - | - | - | 0.30 | V | |
| 电流增益带宽积 (f_{T}) | - | 50 | 100 | - | MHz | |
| 输出电容 (C_{ob}) | (V{CB}=30 V, I{E}=0, f = 1 MHz) | - | 1.6 | 2.5 | pF | |
| 噪声系数 (NF) | (V{CE}=-5 V, I{C}=-1.0 mA) | - | 7 | - | dB |
这些参数是在特定测试条件下得出的,如果实际工作条件不同,产品性能可能会有所差异。
文档中给出了多个典型性能特性图,包括静态特性、直流电流增益、基极 - 发射极饱和电压和集电极 - 发射极饱和电压、集电极输出电容、电流增益带宽积、集电极电流与基极 - 发射极电压关系以及功率降额等。这些特性图可以帮助工程师更直观地了解晶体管在不同工作条件下的性能表现,从而更好地进行电路设计。
KSC1845FTA 采用 TO - 92 封装,每包 2000 个,采用扇折包装,并且是无铅产品。
由于 KSC1845 具有音频频率低噪声放大的特性,它非常适合用于音频放大电路中,例如音频前置放大器等。同时,其与 KSA992 互补的特性,也可以在一些需要互补对管的电路中发挥作用。
总之,KSC1845 是一款性能优良的 NPN 外延硅晶体管,在音频放大等领域有广泛的应用前景。作为电子工程师,我们需要充分了解其特性和参数,合理设计电路,以确保产品的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似晶体管的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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