新一代SiC MOS：云镓半导体CT80410TDZ助力快充与PFC

随着电源系统对效率、功率密度和热管理要求的不断提升，碳化硅（SiC）功率器件正加速取代传统硅基MOSFET与IGBT。CloudSemi 最新推出的 CT80410TDZ ——一款800V N沟道增强型SiC功率MOSFET，凭借优异的导通特性、高频开关能力和紧凑的TO252-3L封装，成为消费与工业电源设计的理想选择。

核心亮点一览

击穿电压：800V，适合高压应用

导通电阻RDS(on)：典型值仅 410mΩ（@ VGS=18V）

栅极驱动电压：推荐 -4V / 18V，兼容主流驱动IC

总栅极电荷Qg：仅 9.7nC，提升开关速度

体二极管性能优异：Qrr低至34nC，V_F低至4.4V

封装形式：TO252-3L，低寄生电感，散热优良

工作温度范围：-55℃ 至 +175℃，适应严苛环境

符合RoHS、REACH、无铅标准，支持MSL3回流焊

设计优势解析

1. 极低的栅极电荷与电容：Ciss = 147pF，Crss = 2.5pF，Qg = 9.7nC，显著降低驱动损耗，适合高频开关应用。

2. 温度稳定的导通电阻：即使在175°C高温下，RDS(on)仅升至500mΩ（Typ.），保证系统在高温工况下依然稳定高效。

3. 优异的体二极管特性：低反向恢复电荷Qrr（34nC）和短恢复时间trr（33ns），特别适合需要硬开关的拓扑结构，如图腾柱PFC。

4. 强大的抗雪崩能力：EAS = 68mJ，提供良好的浪涌耐受性，提升系统鲁棒性。

5. 紧凑封装，易于并联：TO252-3L封装寄生参数低，支持多管并联扩流，简化PCB布局与散热设计。

关键性能参数速览

参数	典型值	单位
VDS(max)	800	V
RDS(on) @ 18V	410	mΩ
RDS(on) @ 15V	530	mΩ
ID @ 25°C	9.3	A
Qg	9.7	nC
Qrr	34	nC
EAS	68	mJ
RthJC	3.46	°C/W

审核编辑 黄宇