探究 onsemi FMB5551 NPN通用放大器：特性与应用解析

在电子设计领域，高性能的通用放大器是众多电路设计的核心组件。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 FMB5551 NPN 通用放大器，看看它在硬件设计中能为我们带来哪些优势。

文件下载：FMB5551-D.PDF

产品概述

FMB5551 采用 SUPERSOT - 6 表面贴装封装，属于 TSOT23 6 - 引脚封装类型。该器件专为通用高压放大器和气体放电显示驱动而设计，源自工艺 16。它具有无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合 RoHS 标准的特点，环保性能出色。

绝对最大额定值

在使用 FMB5551 时，我们必须关注其绝对最大额定值，以确保器件的安全和稳定运行。以下是一些关键的额定值参数：	参数	数值	单位
集电极 - 发射极电压（$V_{CEO}$）	160（另一个值 180）	V
发射极 - 基极电压（$V_{EBO}$）	6	V
集电极电流（$I_{C}$）	600	mA
集电极耗散功率（$T_{A}=25^{circ}C$）	0.7	W
结温（$T_{J}$）	150	$^{circ}C$
存储温度范围（$T_{STG}$）	-55 至 +150	$^{circ}C$
热阻（$R_{theta JA}$）	180	$^{circ}C$/W

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超出这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。对于两个晶体管的总功率耗散（$P{D}$），每个晶体管的 $P{D}=350 mW$。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极击穿电压（$BV_{CEO}$）：当集电极电流 $I{C}=1 mA$ 时，$BV{CEO}$ 最小值为 160V。
• 集电极 - 基极击穿电压（$BVCBO$）：当集电极电流 $I_{C}=10 A$ 时，$BVCBO$ 为 180V。
• 发射极 - 基极击穿电压（$BVEBO$）：当发射极电流 $I_{E}=10 A$ 时，$BVEBO$ 为 6V。
• 集电极截止电流（$I_{CBO}$）：在集电极 - 基极电压 $V{CB}=120 V$ 时，常温下最大值为 50 nA；当温度 $T = 100^{circ}C$ 时，$I{CBO}$ 为 50 μA。
• 发射极截止电流（$I_{EBO}$）：当发射极 - 基极电压 $V_{EB}=4 V$ 时，最大值为 50 nA。

导通特性

• 直流电流增益（$h_{FE}$）：在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，$h{FE}$ 有不同的表现。例如，在 $V{CE}=5 V$，$I{C}=1 mA$ 时，$h{FE}$ 最小值为 80；$I{C}=10 mA$ 时，$h{FE}$ 最小值也为 80；$I{C}=50 mA$ 时，$h{FE}$ 最小值为 30。
• 集电极 - 发射极饱和电压（$V_{CE(sat)}$）：当 $I{C}=10 mA$，$I{B}=1 mA$ 时，$V{CE(sat)}$ 最大值为 0.15V；当 $I{C}=50 mA$，$I{B}=5 mA$ 时，$V{CE(sat)}$ 最大值为 0.2V。
• 基极 - 发射极饱和电压（$V_{BE(sat)}$）：在上述两种电流条件下，$V_{BE(sat)}$ 最大值均为 1V。

小信号特性

• 输出电容（$C_{ob}$）：文档未给出具体数值。
• 输入电容（$C_{ib}$）：典型值为 20 pF。
• 特征频率（$f_{T}$）：在 $V{CE}=10V$，$I{C}=10mA$ 条件下，$f_{T}$ 典型值为 300 MHz。
• 噪声系数：文档未给出具体数值。
• 小信号电流增益（$h_{FE}$）：在 $V{CE}=10 V$，$I{C}=1 mA$，$f = 1 kHz$ 条件下，$h_{FE}$ 最小值为 50。

订购信息

FMB5551 采用 TSOT23 6 - 引脚无铅封装，每卷 3000 个。如需了解带盘规格（包括零件方向和带盘尺寸），可参考带盘封装规格手册 BRD8011/D。

注意事项

在使用 FMB5551 进行设计时，我们要注意产品的性能可能会受到实际工作条件的影响。文档中给出的电气特性是在特定测试条件下的参数，实际应用中如果工作条件不同，产品性能可能会有所差异。此外，onsemi 产品不适合用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。

作为电子工程师，我们在选择和使用 FMB5551 时，要充分考虑其各项特性和限制，结合实际应用需求进行合理设计，以确保电路的性能和可靠性。你在使用类似的通用放大器时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。