电子说
在无线通信、测试仪器以及军事航天等众多领域,频率倍增器扮演着至关重要的角色。今天,我们就来深入了解一款性能出色的SMT GaAs MMIC x2有源频率倍增器——HMC575LP4 / 575LP4E。
文件下载:112405-HMC575LP4.pdf
HMC575LP4 / 575LP4E凭借其优异的性能,在多个领域都有广泛的应用:
该频率倍增器具有高达 +17 dBm的典型输出功率,能够为后续电路提供足够强的信号,确保系统的稳定运行。
仅需 -2 至 +6 dBm的输入功率驱动,就能实现高效的频率倍增,大大降低了对输入信号源的要求。
Fo和3Fo隔离度达到15 dBc,有效减少了谐波干扰,提高了信号的纯度。
在100 KHz偏移处,单边带相位噪声低至 -140 dBc/Hz,有助于维持良好的系统噪声性能。
采用 +5V@ 90 mA的单电源供电,简化了电路设计,降低了功耗。
采用符合RoHS标准的4x4 mm SMT封装,不仅体积小巧,而且环保节能,适合表面贴装制造工艺。
| 在 (T_{A}=+25^{circ} C),Vdd1、Vdd2 = +5V,3 dBm驱动电平的条件下,其电气规格如下: | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输入频率范围 | 3 - 4.5 | GHz | |||
| 输出频率范围 | 6 - 9 | GHz | |||
| 输出功率 | 14 | 17 | dBm | ||
| Fo隔离度(相对于输出电平) | 15 | dBc | |||
| 3Fo隔离度(相对于输出电平) | 15 | dBc | |||
| 输入回波损耗 | 15 | dB | |||
| 输出回波损耗 | 12 | dB | |||
| 单边带相位噪声(100 kHz偏移) | -140 | dBc/Hz | |||
| 电源电流(Idd1 & Idd2) | 90 | mA |
| 为了确保器件的安全可靠运行,我们需要了解其绝对最大额定值: | 参数 | 数值 |
|---|---|---|
| RF输入(Vdd = +5V) | +13 dBm | |
| 电源电压(Vdd) | +6.0 Vdc | |
| 通道温度 | 150 °C | |
| 连续功耗(T = 85 °C)(85 °C以上每升高1°C降额7.9 mW) | 512 mW | |
| 热阻(通道到接地焊盘) | 127 °C/W | |
| 存储温度 | -65 至 +150 °C | |
| 工作温度 | -40 至 +85 °C |
| 引脚编号 | 功能 | 描述 | 接口原理图 |
|---|---|---|---|
| 1, 5 - 14, 18, 19, 21, 23, 24 | N/C | 这些引脚内部未连接,但产品规格要求将这些引脚连接到RF/DC接地。 | |
| 2, 4, 15, 17 | GND | 封装底部也必须连接到RF/DC接地。 | |
| 3 | RFIN | 引脚交流耦合,在3 - 4.5 GHz范围内匹配到50欧姆。 | |
| 16 | RFOUT | 引脚交流耦合,在6 - 9 GHz范围内匹配到50欧姆。 | |
| 20, 22 | Vdd2, Vdd1 | 电源电压5V ± 0.5V,需要100 pF和2.2 μF的外部旁路电容。 |
应用电路中,C1、C2取值为100 pF,C3、C4取值为2.2 μF。
| 评估PCB 112405的材料清单如下: | 项目 | 描述 |
|---|---|---|
| J1, J2 | PCB安装SRI SMA连接器 | |
| J3 - J5 | DC引脚 | |
| C1, C2 | 100 pF电容,0402封装 | |
| C3, C4 | 2.2 μF钽电容 | |
| U1 | HMC575LP4 / HMC575LP4E x2有源倍增器 | |
| PCB | 115270评估板 |
在最终应用中,电路板应采用适当的RF电路设计技术。信号线路应具有50欧姆的阻抗,封装接地引脚和外露焊盘应直接连接到接地平面。评估电路板可根据需求向Hittite索取。
如需了解价格、交货期和下单,请联系:
总之,HMC575LP4 / 575LP4E以其出色的性能和广泛的应用场景,为电子工程师在频率倍增设计中提供了一个可靠的选择。你在实际应用中是否遇到过类似频率倍增器的设计难题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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