电子说
作为电子工程师,我们总是在寻找创新且高效的电路解决方案。今天,就来深入了解一下演示电路1066(DC1066),它展示了LTC4355正高压二极管 - 或控制器和监测器在200W、48V应用中的出色表现。
文件下载:DC1066A.pdf
DC1066电路板上包含两个S - 8 ORing MOSFET和五个LED,用于指示各种故障情况。48V输入尽可能与地和彼此保持至少60密耳的间距,输入和输出连接通过93密耳的炮塔实现,移除炮塔后可插入最大12号规格的电线进行原位测试。而且,该电路板的设计文件可通过联系LTC工厂获取。
DC1066尺寸小巧,便于嫁接到工作系统中,不会占用过多空间,这对于空间有限的应用场景非常友好。
一个LTC4355可控制两个5A二极管通道,有效简化了电路设计,提高了集成度。
采用S - 8或D2Pak MOSFET的双布局设计,为不同的应用需求提供了更多选择。
0.093英寸的炮塔孔可容纳12号规格的电线,方便进行各种测试和连接。
DC1066在多个领域都有出色的应用表现,包括服务器、路由器、交换机、大容量存储设备、中央办公室计算、风扇托盘以及ATCA等。
输入工作范围为9 - 77V,峰值输入电压在瞬态电压抑制器的作用下可达到100V。这使得DC1066能够适应不同的电源环境,具有较强的通用性。
最大负载电流受MOSFET散热和保险丝限制,分别为5A和7A。在实际应用中,我们需要根据具体的负载需求合理选择。
93密耳的炮塔未进行锻造,可移除用于原位测试,镀通孔能容纳最大12号规格的电线。电路板底部有用于可选D2Pak MOSFET的焊盘,适用于高达20A的应用。若安装D2Pak MOSFET,则需移除顶部的S - 8 MOSFET。
FDS3672 S - 8 MOSFET在短时间内可处理高达7.5A的电流,受封装热特性限制。在实验室工作台面朝上放置并采用对流冷却的情况下,允许5A的连续负载电流。此时,任一MOSFET的结温升高约50 - 55摄氏度。电阻损耗总计约15毫欧(不包括MOSFET电阻),其中保险丝约占13毫欧,是不可忽视的散热源。在5A负载下,MOSFET的散热约为600mW,相比等效的无源肖特基二极管,功率和散热面积节省了5倍,在3A负载电流下,这种优势更加明显。
绿色LED显示五个故障引脚的状态,亮表示正常,熄灭则表示保险丝、低输入电压或一个或两个MOSFET的Vds过大等问题。LTC4355可检测一个或两个MOSFET的Vds过大情况,通过位于电路板底部的可选电阻R10可选择三种Vds故障阈值。需要注意的是,故障引脚的绝对最大电压为8V,而上拉电阻(R5 - R9)由48V输出供电,LED起到钳位作用,若移除LED,故障引脚将损坏。若要将故障引脚与逻辑电路接口,需同时移除LED和相应的上拉电阻。
DC1066专为48V应用设计,但“二极管”功能可在LTC4355CDE的最低电源电压9V下工作。不过,其他功能可能会受到影响或丧失,如LED变暗、各通道电源故障指示(阈值为34.1V)和栅极驱动降低。若要修改电路板以适应新的工作范围,只需将LED电阻(R5 - R9)调整为Vinmax/5mA,并更改R2和R4以在所需点检测欠压。对于低于20V的应用,在4.5V保证最小栅极驱动时,应使用逻辑电平MOSFET。
若要修改电路板以适应其他电流范围,需更换保险丝和MOSFET。选择MOSFET的经验法则是选择在最大负载电流下产生100 - 200mV压降的Rds(on),这比肖特基二极管解决方案在损耗方面有显著改善。DC1066上有足够的铜箔可处理约20A的电流,对于5 - 20A范围内的电流,建议使用IRFS4710、IRF3710S、IRF1310NS和FDB3632等器件。在大电流应用中,需通过检查MOSFET的电流额定值并计算散热来验证所选MOSFET的适用性。例如,20A时200mV的压降(4W)会使DC1066相当热,电路板最大温度升高80 - 90摄氏度。超过4W时,应放弃DC1066并将MOSFET连接到散热器上。
连接48V电源到 + 48VA和 + 48VB,将组合返回端连接到地。在 + 48VOUT和地之间连接负载,一个10欧姆、250W的电阻是不错的负载选择。较大电压的电源将根据LTC4355的二极管作用提供电流。
DC1066以其出色的性能、灵活的设计和广泛的应用范围,为电子工程师在正高压理想二极管 - 或电路设计中提供了一个优秀的解决方案。在实际应用中,我们需要根据具体需求合理选择和调整电路参数,以实现最佳的性能和可靠性。大家在使用DC1066的过程中,有没有遇到过什么有趣的问题或挑战呢?欢迎在评论区分享。
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