电子说
在电子设计领域,电源管理和保护一直是至关重要的环节。今天,我们将深入探讨Linear Technology公司的LTC7860高效开关浪涌抑制器,它在应对高电压瞬变和输入浪涌方面表现出色,为各类电源应用提供了可靠的解决方案。
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LTC7860是一款专为高效开关浪涌抑制和输入浪涌电流限制而设计的芯片。它具有多种特性,能够在不同的工作模式下保护负载免受高电压瞬变的影响,同时实现高效的电源转换。其关键特性包括:
LTC7860的绝对最大额定值规定了其安全工作的范围,例如输入电源电压(V_{IN})为 - 0.3V至65V,不同引脚的电压范围也有相应的限制。同时,其工作结温范围为 - 55°C至150°C,存储温度范围为 - 65°C至150°C。
可编程故障定时器,监测PROTECTIVE PWM模式下的时间,实现故障控制。在故障时,通过上拉和下拉电流控制TMR引脚电压,达到阈值时关断MOSFET,并在冷却后重启。
开关频率设定点输入,可通过外部电阻或直接驱动DC电压设置开关频率。接地选择350kHz,浮空选择535kHz。
小信号模拟组件的接地参考,应与功率接地在一点连接。
软启动和外部跟踪输入,通过连接电容到地实现软启动功能,内部10µA上拉电流对电容充电,使输出电压平稳上升。
输出反馈感测,通过电阻分压器设置输出电压,当(V_{FB})小于0.4V时,开关频率线性下降。
电流控制阈值和控制器补偿点,误差放大器的输出和开关调节器的补偿点,电压范围为0V至2.9V。
反馈输入,可选择反相或非反相反馈选项。反相反馈时连接到电阻分压器中心,非反相反馈时将(V_{FBN})大于2V。
运行控制输入,电压高于1.26V时使能正常运行,低于阈值时关闭控制器。
栅极驱动器( - )电源,需要连接低ESR陶瓷旁路电容,确保内部调节器稳定。
电流感测输入,通过(R_{SENSE})设置最大电流限制,应采用Kelvin(4线)连接以确保精度。
芯片电源,需要连接最小0.1µF的旁路电容。
外部P沟道MOSFET的栅极驱动输出,栅极驱动器偏置电源电压在(V_{IN})大于8V时调节为8V。
功率组件的接地参考,必须焊接到电路板以确保电气接触和热性能。
LTC7860在正常运行时处于“降压”或SWITCH - ON模式,在启动或遇到输入过压、输出短路事件时切换到PROTECTIVE PWM模式。通过故障定时器限制切换时间,避免过高的功率损耗,提高组件可靠性并减小尺寸。
采用峰值电流模式控制架构,通过跨导误差放大器将(V_{FB})与内部参考电压比较,误差放大器输出连接到ITH引脚,与斜率补偿斜坡相加得到峰值电感电流设定点。通过感测电阻测量电感电流,与设定点比较控制P沟道MOSFET的开关。
CAP引脚的电源由内部LDO调节,(V_{IN}-CAP)电压小于3.25V时进入UVLO状态,高于3.5V时退出。
RUN引脚低于0.7V时,控制器和大部分内部电路禁用,功耗仅7µA。释放RUN引脚后,内部上拉电流使引脚电压高于1.26V,启用控制器。软启动通过SS引脚控制,内部10µA电流对电容充电,使输出电压平稳上升。
可通过FREQ引脚选择开关频率,接地选择350kHz,浮空选择535kHz,也可通过外部电阻在50kHz至850kHz范围内编程。
输出短路或过流时,输出电压下降,开关频率会进行折返,与峰值电流限制结合,限制启动和短路时的电流。
开关频率的选择是效率和组件尺寸之间的权衡。较低频率可降低MOSFET开关损耗,但需要更大的电感和电容;较高频率可减小组件尺寸,但会降低效率。一般建议选择尽可能高的实用频率以减小整体解决方案尺寸。
以最大(V{IN})时纹波电流为(I{OUT(MAX)})的70%为起点,根据公式(L = (frac{V{OUT}}{fcdotDelta I{L(MAX)}})(1 - frac{V{OUT}}{V{IN(MAX)}}))选择电感,同时确保电感的饱和电流额定值能满足满载输入瞬变或输出过载时的峰值电流。
通过(R{SENSE})感测电感电流,电压超过95mV时触发电流限制,峰值电感电流限制为(I{L(PEAK)}cong(frac{95mV}{R{SENSE}})),输出电流限制为(I{OUT(LIMIT)} = (frac{95mV}{R{SENSE}} - frac{Delta I{L}}{2}))。
选择P沟道功率MOSFET时,需要考虑漏源击穿电压(BV{DSS})、导通电阻(R{DS(ON)})、阈值电压(V{GS(TH)})和热阻等参数,确保(BV{DSS}>V{IN(MAX)}),(R{DS(ON)})尽可能小以降低损耗。
P沟道MOSFET关断时,换向二极管承载电感电流,需要选择正向电流额定值高于(I{OUT(MAX)})、反向击穿电压(V{R}>V_{IN(MAX)})的二极管。
(C{IN})用于过滤P沟道MOSFET的方波电流,根据公式(C{IN(RMS)} = I{OUT(MAX)}cdotfrac{V{OUT}}{V{IN}}cdotsqrt{frac{V{IN}}{V{OUT}} - 1})选择电容。(C{OUT})的选择主要考虑ESR以最小化电压纹波和负载阶跃瞬变,公式为(Delta V{OUT}leqDelta I{L}(ESR + frac{1}{8cdot fcdot C_{OUT}}))。
通过连接电容到SS引脚实现软启动功能,内部10µA电流对电容充电,软启动时间约为(t{SS}=C{SS}cdotfrac{0.8V}{10mu A})。
通过电流限制和频率折返实现短路故障保护,当(V_{FB})低于0.4V时,开关频率折返至设定频率的18%。
内部软启动功能确保在所有操作情况下输出电压的最大正斜率,防止输出过冲和电感电流过大。输出将跟踪内部软启动电压和外部SS引脚电压中的较低值。
LTC7860的UVLO上升阈值典型为3.5V(最大3.8V),下降阈值典型为3.25V(最大3.5V),确保在宽输入电压范围内稳定工作。
最小导通时间(t{ON(MIN)})通常为220ns,低占空比应用需确保(t{ON(MIN)}
SWITCH - ON模式下的持续或静态功率损耗需限制,以确保正常运行时组件温度在合适范围内。PROTECTIVE PWM模式下的动态或瞬态功率损耗通过故障定时器管理,可通过经验测试观察关键组件温度,设置最大温度上升目标。
通过ITH引脚实现OPTI - LOOP补偿,优化不同负载和输出电容下的瞬态响应。ITH引脚不仅可优化控制回路行为,还可作为调节器的测试点,通过观察该引脚的波形估计相位裕度、阻尼因子和带宽。
故障定时器限制过载时的切换时间,确保开关浪涌抑制器在安全峰值温度下运行。通过TMR引脚的上拉和下拉电流控制故障检测、关断和重启,可根据公式计算故障检测时间、重启冷却时间和重启占空比。
以一个输入电压为8V至14V DC,输入电压瞬变为60V,输出电压小于18V,连续输出负载电流额定值为5A的应用为例,详细展示了LTC7860的设计过程,包括MOSFET、电感、电阻、二极管等组件的选择和参数计算。
遵循推荐的电源PCB布局实践,放置外部功率元件以最小化开关路径的环路面积和电感。选择合适的电容,确保(C{CAP})电容足够大以保证稳定性和提供足够的电流。按照推荐的布局方式连接(V{IN})、SENSE、CAP等引脚,减少寄生电感和电压尖峰。
可添加(R{GATE})电阻和(R{SF})、(C{SF})滤波器,根据实际情况决定是否使用。旁路电容(C{INB})用于局部过滤(V{IN})电源,Zener (ZRG)和Schottky (S{RG})用于保护内部栅极驱动器。
文档中给出了两个典型应用示例,分别是3.5V至60V输入,12V/18V最大5A输出,开关频率为535kHz;以及8V至100V输入,28V标称/34V最大,10A输出,开关频率为400kHz,分别采用非反相和反相反馈选项。
LTC7860作为一款高效开关浪涌抑制器,具有丰富的特性和灵活的应用选项。通过合理选择组件和优化布局,能够在不同的电源应用中提供可靠的保护和高效的电源转换。电子工程师在设计过程中,需要根据具体的应用需求,仔细考虑各个参数和特性,以实现最佳的设计效果。你在使用LTC7860的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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