onsemi CPH3116和CPH3216双极晶体管:性能与应用解析

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onsemi CPH3116和CPH3216双极晶体管:性能与应用解析

在电子设计领域,双极晶体管是一种基础且关键的元件,它在众多电路中发挥着重要作用。今天我们来深入了解一下安森美(onsemi)的CPH3116和CPH3216双极晶体管,看看它们有哪些独特的性能和应用场景。

文件下载:CPH3116-D.PDF

一、产品概述

CPH3116和CPH3216是安森美推出的双极晶体管,属于PNP和NPN单管类型,具备 -50V、 -1A的规格,并且具有低集电极 - 发射极饱和电压((V_{CE}) (sat))的特点。这两款晶体管采用了MBIT工艺,拥有一系列出色的特性。

产品特性

  1. 大电流容量与低饱和电压:能够处理较大的电流,同时低集电极 - 发射极饱和电压意味着在导通状态下功耗较低,能有效提高电路效率。
  2. 高速开关:适用于需要快速开关动作的电路,能够满足高频应用的需求。
  3. 超小型封装:其封装的安装高度仅为0.9mm,有利于终端产品的小型化设计,在空间有限的设备中具有很大优势。
  4. 高允许功耗:可以承受较高的功率损耗,保证了在一定功率条件下的稳定工作。
  5. 无铅设计:符合环保要求,响应了绿色电子的发展趋势。

二、应用领域

CPH3116和CPH3216的应用范围广泛,常见于以下几种电路中:

  1. 继电器驱动:在继电器控制电路中,晶体管可以作为开关元件,利用其高速开关特性快速控制继电器的通断。
  2. 灯驱动:用于控制灯具的亮灭和亮度调节,低饱和电压特性可以减少能量损耗,提高灯具的发光效率。
  3. 电机驱动:为电机提供合适的驱动电流,实现电机的启动、停止和调速等功能。
  4. 闪光灯:在闪光灯电路中,晶体管的快速开关能力可以满足闪光灯瞬间高能量释放的需求。

三、规格参数

绝对最大额定值((Ta = 25^{circ}C))

参数 符号 条件 额定值 单位
集电极 - 基极电压 (V_{CBO}) (-50)80 V
集电极 - 发射极电压 (V_{CES}) (-50)80 V
发射极 - 基极电压 (V_{CEO}) (-)50 V
发射极 - 基极电压 (V_{EBO}) (-)5 V
集电极电流 (I_{C}) (-)1.0 A
集电极电流(脉冲) (I_{CP}) (-)3 A
基极电流 (I_{B}) (-)200 mA
集电极功耗 (P_{C}) 安装在陶瓷基板((600mm^2×0.8mm))上时 0.9 W
结温 (T_j) 150 (^{circ}C)
储存温度 (T_{stg}) -55 到 +150 (^{circ}C)

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会导致损坏并影响可靠性。

电气特性((Ta = 25^{circ}C))

参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
集电极截止电流 (I_{CBO}) (V{CB} = (-)40V),(I{E} = 0A) - - (-)0.1 (mu A)
发射极截止电流 (I_{EBO}) (V{EB} = (-)4V),(I{C} = 0A) - - (-)0.1 (mu A)
直流电流增益 (h_{FE}) (V{CE} = (-)2V),(I{C} = (-)100mA) 200 560 - -
增益 - 带宽积 (f_T) (V{CE} = (-)10V),(I{C} = (-)300mA) - 420 - MHz
输出电容 (C_{ob}) (V_{CB} = (-)10V),(f = 1MHz) - (9)6 - pF
集电极 - 发射极饱和电压1 (V_{CE(sat)1}) (I{C} = (-)500mA),(I{B} = (-)10mA) (-280)130 - (-430)190 mV
集电极 - 发射极饱和电压2 (V_{CE(sat)2}) (I{C} = (-)300mA),(I{B} = (-)6mA) - (-145)90 (-220)135 mV
基极 - 发射极饱和电压 (V_{BE(sat)}) (I{C} = (-)500mA),(I{B} = (-)10mA) (-)0.81 - (-)1.2 V
集电极 - 基极击穿电压 (V_{(BR)CBO}) (I{C} = (-)10mu A),(I{E} = 0A) (-50)80 - - V
集电极 - 发射极击穿电压 (V_{(BR)CES}) (I{C} = (-)100mu A),(R{BE} = 0) (-50)80 - - V
集电极 - 发射极击穿电压 (V_{(BR)CEO}) (I{C} = (-)1mA),(R{BE} = infty) (-)50 - - V
发射极 - 基极击穿电压 (V_{(BR)EBO}) (I{E} = (-)10mu A),(I{C} = 0A) (-)5 - - V
开启时间 (t_{on}) 见指定测试电路 35 - - ns
存储时间 (t_{stg}) - (170)330 - - ns
下降时间 (t_f) - (30)40 - - ns

产品的参数性能是在列出的测试条件下的电气特性中给出的,除非另有说明。如果在不同条件下运行,产品性能可能与电气特性所示不同。

四、订购信息

器件 封装 运输方式
CPH3116 - TL - E CPH3(无铅) 3000 / 卷带包装
CPH3216 - TL - E CPH3(无铅) 3000 / 卷带包装

关于卷带规格的信息,包括元件方向和卷带尺寸,请参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

五、总结

安森美(onsemi)的CPH3116和CPH3216双极晶体管凭借其出色的性能和超小型封装,在继电器驱动、灯驱动、电机驱动和闪光灯等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计相关电路时,可以根据具体的需求和参数要求来选择使用这两款晶体管。同时,在使用过程中要严格遵守其绝对最大额定值,以确保器件的正常工作和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过这些晶体管的特殊情况呢?欢迎在评论区分享交流。

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