电子说
在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天,我们将深入探讨 onsemi 公司的 BC337 NPN 外延硅晶体管,了解它的特性、参数以及应用场景。
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BC337 晶体管适用于多种应用场景,尤其在开关和放大器应用中表现出色。它适合用于音频驱动级和低功率输出级,并且与 BC327/BC328 互补,为工程师提供了更多的电路设计选择。
| 在使用晶体管时,了解其绝对最大额定值至关重要,因为超过这些限制可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是 BC337 在 (T_{A}=25^{circ} C) 时的绝对最大额定值: | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| V CES | Collector−Emitter Voltage | 50 | V | |
| V CEO | Collector−Emitter Voltage | 45 | V | |
| V EBO | Emitter−Base Voltage | 5 | V | |
| I C | Collector Current (DC) | 800 | mA | |
| T J | Junction Temperature | 150 | ° C | |
| T STG | Storage Temperature | −55 to +150 | ° C |
大家思考一下,在实际设计中,如何确保这些参数不被超过呢?
| 热特性对于晶体管的性能和可靠性同样重要。在 (T_{A}=25^{circ} C) 条件下(注 1:PCB 尺寸为 FR - 4,76 mm × 114 mm × 1.57 mm 且具有最小焊盘图案尺寸),BC337 的热特性参数如下: | Symbol | Characteristic | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| PD | Power Dissipation Derate Above 25°C | 625 5.0 | mW mW/°C | |
| RUA | Thermal Resistance, Junction to Ambient | °C/W |
在设计散热方案时,这些热特性参数是关键依据。你在以往的设计中,是如何考虑晶体管的散热问题的呢?
BC337 采用 TO - 92 3 封装,引脚定义为:
| BC337 有多种型号可供选择,不同型号在封装和包装方式上有所差异。以下是部分订购信息: | Device | Package | Shipping † |
|---|---|---|---|
| BC33740BU | TO−92 3 (Pb−Free) | 10,000 Units / BLKBG | |
| BC33725BU | TO−92 3 (Pb−Free) | 10,000 Units / BLKBG | |
| BC33716BU | TO−92 3 (Pb−Free) | 10,000 Units / BLKBG | |
| BC33740TA | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 Units / FNFLD | |
| BC33725TA | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 Units / FNFLD | |
| BC33725TAR | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 Units / FNFLD | |
| BC33716TA | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 Units / FNFLD | |
| BC33725TF | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 / Tape & Reel | |
| BC33725TFR | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 / Tape & Reel | |
| BC33716TFR | TO−92 3 LF (Pb−Free) | 2,000 / Tape & Reel |
在选择型号时,需要根据实际需求考虑封装和包装方式。你在采购晶体管时,会优先考虑哪些因素呢?
| BC337 的电气特性是其性能的重要体现,以下是在 (T_{A}=25^{circ} C) 时的部分电气特性参数: | Symbol | Parameter | Conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BV CEO | Collector−Emitter Breakdown Voltage | I C = 10 mA, I B = 0 | 45 | − | − | V | |
| BV CES | Collector−Emitter Breakdown Voltage | I C = 0.1 mA, V BE = 0 | 50 | − | − | V | |
| BV EBO | Emitter−Base Breakdown Voltage | I E = 0.1 mA, I C = 0 | 5 | − | − | V | |
| I CES | Collector Cut−Off Current | V CE = 45 V, I B = 0 | − | 2 | 100 | nA | |
| h FE1 | DC Current Gain | V CE = 1 V, I C = 100 mA | 100 | − | 630 | ||
| h FE2 | V CE = 1 V, I C = 300 mA | 60 | − | ||||
| V CE (sat) | Collector−Emitter Saturation Voltage | I C = 500 mA, I B = 50 mA | − | − | 0.7 | V | |
| V BE (on) | Base−Emitter On Voltage | V CE = 1 V, I C = 300 mA | − | − | 1.2 | V | |
| f T | Current Gain Bandwidth Product | V CE = 5 V, I C = 10 mA, f = 50 MHz | − | 100 | − | MHz | |
| C ob | Output Capacitance | V CB = 10 V, I E = 0, f = 1 MHz | − | 12 | − | pF |
这些参数会直接影响电路的性能,在设计电路时需要仔细考虑。你在设计电路时,是如何根据这些电气特性参数进行选型的呢?
| BC337 的 hFE 有不同的分类,具体如下: | Classification | 16 | 25 | 40 | |
|---|---|---|---|---|---|
| h FE1 | 100 ~ 250 | 160 ~ 400 | 250 ~ 630 | ||
| h FE2 | 60 ~ | 100 ~ | 170 ~ |
不同的 hFE 分类可以满足不同的电路需求。你在实际应用中,是否会根据 hFE 分类来选择合适的晶体管呢?
文档中还提供了 BC337 的机械外壳轮廓和封装尺寸信息,包括 TO - 92 3 4.825x4.76 和 TO - 92 3 4.83x4.76 等不同规格。在进行 PCB 设计时,准确的机械尺寸信息是确保器件正确安装和布局的关键。
总之,onsemi 的 BC337 NPN 晶体管是一款性能优良、应用广泛的晶体管。在电子设计中,深入了解其特性、参数和应用场景,能够帮助我们更好地选择和使用这款晶体管,设计出更加可靠和高效的电路。希望本文能为电子工程师们在设计过程中提供一些有用的参考。
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