电子说
在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件。今天要和大家分享的是安森美(onsemi)的NPN外延硅晶体管BC546、BC547、BC548、BC549和BC550系列。这些晶体管采用TO - 92封装,具备多种特性,适用于多种电子电路设计。
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| 在使用晶体管时,必须严格遵守绝对最大额定值,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是该系列晶体管的主要绝对最大额定值: | 参数 | 符号 | 不同型号对应值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | BC546:80V;BC547 / BC550:50V;BC548 / BC549:30V | V | |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | BC546:65V;BC547 / BC550:45V;BC548 / BC549:30V | V | |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | BC546 / BC547:6V;BC548 / BC549 / BC550:5V | V | |
| 集电极电流(直流) | (I_{C}) | 100 mA | mA | |
| 集电极功耗 | (P_{C}) | 500 mW | mW | |
| 结温 | (T_{J}) | 150 °C | °C | |
| 存储温度范围 | (T_{STG}) | - 65 至 +150 °C | °C |
电气特性是衡量晶体管性能的关键指标,以下是在(T_{C}=25^{circ}C)条件下的部分电气特性参数:
当(V{CB}=30V),(I{E}=0)时,最大为15 nA。这一参数反映了晶体管在截止状态下的漏电流大小。
在(V{CE}=5V),(I{C}=2mA)的条件下,最小值为110,最大值为800。不同的(h_{FE})值可以满足不同电路对电流放大倍数的要求。
在(V{CE}=5V),(I{C}=2 mA)时,最小值为580 mV,典型值为660 mV,最大值为700 mV。
在(V{CE}=5V),(I{C}=10mA),(f = 100 MHz)的条件下,典型值为300 MHz。这一参数体现了晶体管在高频下的放大能力。
当(V{CB}=10V),(I{E}=0),(f = 1 MHz)时,典型值为3.5 pF,最大值为6.0 pF。
当(V{EB}=0.5V),(I{C}=0),(f = 1 MHz)时,典型值为9 pF。
| 根据直流电流增益(h_{FE})的不同,该系列晶体管分为A、B、C三个等级: | 分类 | (h_{FE})范围 |
|---|---|---|
| A | 110 - 220 | |
| B | 200 - 450 | |
| C | 420 - 800 |
在实际设计中,可根据电路对电流放大倍数的要求选择合适的等级。
该系列晶体管有多种型号可供选择,并且提供不同的包装方式,如散装袋(Bulk Bag)、弹药盒包装(Ammo Pack)和卷带包装(Tape & Reel)等。需要注意的是,部分型号已经停产,具体信息可参考数据表第4页的表格。
晶体管采用TO - 92封装,文档中提供了详细的机械尺寸图,包括不同版本的TO - 92封装尺寸,设计时可根据实际需求进行参考。
onsemi的BC546 - BC550系列NPN外延硅晶体管具有多种特性和良好的电气性能,适用于开关和放大电路等多种应用场景。在设计过程中,工程师需要根据具体的电路要求,合理选择晶体管的型号和参数,同时严格遵守绝对最大额定值,以确保电路的稳定性和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过这些晶体管的特殊问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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