onsemi 2SB1203/2SD1803 双极晶体管：特性、参数与应用解析

在电子设计领域，双极晶体管是一种常见且重要的电子元件。今天我们就来详细探讨 onsemi 公司的 2SB1203/2SD1803 双极晶体管，看看它有哪些独特之处以及适用于哪些应用场景。

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一、产品特性

1. 低饱和电压

2SB1203/2SD1803 具有低的集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)），这一特性使得晶体管在导通状态下的功率损耗较小，有助于提高电路的效率。在实际应用中，低饱和电压可以减少发热，延长设备的使用寿命。

2. 良好的 hFE 线性度

hFE 是晶体管的直流电流增益，该产品具有出色的 hFE 线性度。这意味着在不同的工作电流下，晶体管的电流放大能力相对稳定，能够为电路提供更可靠的性能。对于需要精确控制电流的应用场景，这一特性尤为重要。

3. 小尺寸封装

采用小而薄的封装形式，这使得基于 2SB1203/2SD1803 设计的设备可以做得更小。在如今追求小型化的电子设备市场中，这一特性能够满足产品对空间的要求，为设计带来更多的灵活性。

4. 高电流与高 fT

具备高电流处理能力和高增益带宽积（fT）。高电流能力使得它可以应用于需要大电流驱动的场合，而高 fT 则保证了晶体管在高频信号处理方面的性能，适用于高速电路设计。

5. 快速开关速度

快速的开关速度使得 2SB1203/2SD1803 能够在短时间内完成导通和截止状态的切换，这对于需要快速响应的开关电路非常关键，例如在高频逆变器和高速开关应用中。

二、应用领域

该晶体管适用于多种应用场景，主要包括：

1. 继电器驱动

在继电器驱动电路中，需要能够提供足够电流来驱动继电器动作的元件。2SB1203/2SD1803 的高电流处理能力和快速开关速度使其成为继电器驱动的理想选择。

2. 高速逆变器

高速逆变器需要快速的开关动作和良好的高频性能，2SB1203/2SD1803 的高 fT 和快速开关速度能够满足这些要求，确保逆变器的高效运行。

3. 转换器

在各种电源转换器中，如 DC - DC 转换器，需要精确控制电流和电压。2SB1203/2SD1803 的低饱和电压和良好的 hFE 线性度可以提高转换器的效率和稳定性。

4. 其他高电流开关应用

对于一般的高电流开关应用，该晶体管都能提供可靠的性能，满足电路的需求。

三、绝对最大额定值

以下是 2SB1203/2SD1803 在环境温度 Ta = 25°C 时的绝对最大额定值：	Symbol	Parameter	Condition	Rating	Unit
V CBO	集电极 - 基极电压		(-)60	V
V CEO	集电极 - 发射极电压		(-)50	V
V EBO	发射极 - 基极电压		(-)6	V
I C	集电极电流		(-)5	A
I CP	集电极脉冲电流		(-)8	A
P C	集电极耗散功率		1	W
	Tc = 25  C	20	W
Tj	结温		150	 C
Tstg	存储温度		-55 to +150	 C

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

四、电气特性

在 Ta = 25°C 的条件下，2SB1203/2SD1803 的电气特性如下：	Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ	Max	Unit
I CBO	集电极截止电流	$V{CB}=(-) 40 ~V, I{E}=0 ~A$				μA
IBO	发射极截止电流	VEB = (-)4V, Ic = 0A			(-)1	uA
hFE1	直流电流增益	$V{CE}=(-)2V, I{C}=(-)0.5A$	70 (Note 1)		400 (Note 1)
		VCE = (-)2V, Ic = (-)4A	35
fT	增益 - 带宽积	$V{C E}=(-) 5 ~V, I{C}=(-) 1 ~A$		(130)180		MHz
Cob	输出电容	$V_{CB}=(-) 10 ~V, f = 1 MHz$		(60)40		pF
VCE(sat)	集电极 - 发射极饱和电压	$I{C}=(-) 3 ~A, I{B}=(-) 0.15 ~A$		(-280)220	(-550)400	mV
VBE(sat)	基极 - 发射极饱和电压	$I{C}=(-) 3 ~A, I{B}=(-) 0.15 ~A$		(-)0.95		V
V(BR)CBO	集电极 - 基极击穿电压	$I{C}=(-) 10 mu A, I{E}=0 ~A$	(-)60			V
V(BR)CEO	集电极 - 发射极击穿电压		(-)50			V
V(BR)EBO	发射极 - 基极击穿电压	$I{E}=(-) 10 mu A, I{C}=0 ~A$	(-)6			V
ton	开启时间	See Specified Test Circuit		(50)50		ns
tstg	存储时间		(450)500		ns
tf	下降时间		(20)20		ns

产品的参数性能在上述测试条件下给出，但如果在不同条件下运行，实际性能可能会有所不同。此外，2SB1203/2SD1803 根据 0.5A 时的 hFE 进行分类，具体如下：	Rank	Q	R	S	T
h FE	70 to 140	100 to 200	140 to 280	200 to 400

五、订购信息

部分器件已经停产，在选择器件时需要注意。以下是一些可供选择的器件及其相关信息：	Device	Package	Shipping	memo
2SD1803T−TL−H	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SB1203S−E	TP	500pcs./bag	Pb Free
2SB1203S−H	TP	500pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SB1203T−H	TP	500pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SD1803S−H	TP	500pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SD1803T−E	TP	500pcs./bag	Pb Free
2SD1803T−H	TP	500pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SB1203S−TL−E	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free
2SB1203S−TL−H	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SB1203T−TL−E	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free
2SB1203T−TL−H	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SD1803S−TL−E	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free
2SD1803S−TL−H	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free and Halogen Free
2SD1803T−TL−E	TP−FA	700pcs./bag	Pb Free
2SD1803S−E	TP	500pcs./bag	Pb Free

在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑 2SB1203/2SD1803 的特性、参数和订购信息，以确保设计出性能可靠、成本合理的电路。大家在使用这款晶体管的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。