Onsemi双共基 - 集电极偏置电阻晶体管深度解析

在电子设计领域，如何优化电路设计、节省电路板空间并减少元件数量一直是工程师们关注的重点。Onsemi推出的NSTB1002DXV5T1G和NSTB1002DXV5T5G双共基 - 集电极偏置电阻晶体管（BRT）为解决这些问题提供了有效的方案。下面我们就来详细了解一下这款产品。

文件下载：NSTB1002DXV5-D.PDF

产品概述

BRT包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络，通过将它们集成到单个器件中，消除了这些单独的组件。NSTB1002DXV5T1G系列中的两个互补器件采用SOT - 553封装，非常适合对电路板空间要求苛刻的低功率表面贴装应用。

产品优势

• 简化电路设计：将偏置电阻集成到晶体管中，减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁。
• 减少电路板空间：SOT - 553封装体积小巧，节省了宝贵的电路板空间。
• 减少元件数量：集成化设计减少了元件数量，降低了成本和组装难度。

产品参数

最大额定值

额定值	Q1（PNP）	Q2（NPN）	单位
集电极 - 基极电压	-40	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	-40	50	Vdc
集电极电流	-200	100	mAdc

热特性

特性	符号	最大值	单位
总器件功耗（$T_{A}=25^{circ}C$，一个结加热）	$P_{D}$	2.9（注1）	mW
热阻 - 结到环境（一个结加热）	$R_{theta JA}$	350（注1）	°C/W
总器件功耗（$T_{A}=25^{circ}C$，两个结加热）	$P_{D}$	500（注1）	mW
热阻 - 结到环境（两个结加热）	$R_{theta JA}$	250（注1）	°C/W
结和存储温度	$T{J}$，$T{stg}$	-55 到 +150	°C

电气特性

PNP晶体管

• 截止特性：集电极 - 发射极击穿电压$V{(BR)CEO}$为 - 40Vdc，集电极 - 基极击穿电压$V{(BR)CBO}$为 - 40Vdc，发射极 - 基极击穿电压$V{(BR)EBO}$为 - 5.0Vdc，基极截止电流$I{BL}$最大为 - 50nAdc，集电极截止电流$I_{CEX}$最大为 - 50nAdc。
• 导通特性：直流电流增益$h{FE}$在不同集电极电流下有不同的值，例如在$I{C}=-10mAdc$，$V{CE}=-1.0Vdc$时，$h{FE}$典型值为100，最大值为300。集电极 - 发射极饱和电压$V{CE(sat)}$在$I{C}=-10mAdc$，$I{B}=-1.0mAdc$时为 - 0.25Vdc，在$I{C}=-50mAdc$，$I{B}=-5.0mAdc$时为 - 0.4Vdc。基极 - 发射极饱和电压$V{BE(sat)}$在$I{C}=-10mAdc$，$I{B}=-1.0mAdc$时为 - 0.65Vdc，在$I{C}=-50mAdc$，$I{B}=-5.0mAdc$时为 - 0.85Vdc。
• 小信号特性：电流增益 - 带宽积$f{T}$为250MHz，输出电容为4.5pF，输入电容$C{ibo}$为10.0pF，输入阻抗$h{ie}$在$V{CE}=-10Vdc$，$I{C}=-1.0mAdc$，$f = 1.0kHz$时为2.0kΩ，电压反馈比$h{re}$在相同条件下为$0.1times10^{-4}$到$10times10^{-4}$，小信号电流增益在相同条件下为100到400，输出导纳$h_{oe}$在相同条件下为3.0到60μ℧。
• 开关特性：延迟时间$t{d}$为35ns，上升时间$t{r}$为35ns，存储时间$t{s}$为225ns，下降时间$t{f}$为75ns。

NPN晶体管

• 截止特性：集电极 - 基极截止电流$I{CBO}$在$V{CB}=50V$，$I{E}=0$时最大为100nAdc，集电极 - 发射极截止电流$I{CEO}$在$V{CB}=50V$，$I{B}=0$时最大为500nAdc，发射极 - 基极截止电流$I{EBO}$在$V{EB}=6.0V$，$I_{C}=5.0mA$时最大为0.1mAdc。
• 其他特性：集电极 - 基极击穿电压$V{(BR)CBO}$在$I{C}=10mu A$，$I{E}=0$时为50V，集电极 - 发射极击穿电压$V{(BR)CEO}$在$I{C}=2.0mA$，$I{B}=0$时为50V，直流电流增益$h{FE}$在$V{CE}=10V$，$I{C}=5.0mA$时有相应值，输出电压在不同条件下有不同表现，输入电阻$R{1}$为47到61Ω。

封装与订购信息

封装

采用SOT - 553封装，该封装尺寸小巧，适合表面贴装应用。

订购信息

器件	封装	包装
NSTB1002DXV5T1G	SOT - 553（无铅）	4mm间距，4000个/卷带
NSTB1002DXV5T5G	SOT - 553（无铅）	4mm间距，4000个/卷带（已停产）

注意事项

• 超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。
• 产品参数性能在电气特性中针对列出的测试条件进行了说明，除非另有说明。如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。脉冲测试要求脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2.0。

Onsemi的NSTB1002DXV5T1G和NSTB1002DXV5T5G双共基 - 集电极偏置电阻晶体管为电子工程师提供了一种高效、紧凑的解决方案。在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用需求，合理选择和使用这款产品，以充分发挥其优势。大家在使用过程中有没有遇到过类似产品的应用问题呢？欢迎在评论区分享。