安森美MUN5236DW1与NSBC115EDXV6双NPN偏置电阻晶体管解读

在电子设计领域，如何优化电路设计、降低成本和节省电路板空间一直是工程师们关注的焦点。安森美（onsemi）推出的MUN5236DW1和NSBC115EDXV6双NPN偏置电阻晶体管为解决这些问题提供了有效的方案。下面我们就来详细了解这两款产品。

文件下载：DTC115ED-D.PDF

产品概述

MUN5236DW1和NSBC115EDXV6属于数字晶体管系列，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这种偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT不仅简化了电路设计，还减少了系统成本和电路板空间。

产品特性与优势

简化电路设计

传统的电路设计中，需要使用单个晶体管和额外的外部电阻来实现偏置功能。而BRT将这些功能集成在一起，减少了元件数量，使电路设计更加简洁。这对于那些对电路板空间和设计复杂度有较高要求的应用来说，无疑是一个巨大的优势。

减少电路板空间

由于BRT将多个元件集成到一个封装中，大大减少了电路板上的元件数量，从而节省了宝贵的电路板空间。这对于小型化电子产品的设计尤为重要。

降低元件数量

减少元件数量不仅可以降低成本，还能提高系统的可靠性。因为元件数量的减少意味着焊点和连接点的减少，从而降低了故障发生的概率。

符合多种标准

该系列产品具有S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。同时，它们通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，并且是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的，满足了环保和质量要求。

产品参数

最大额定值

在 (T_{A}=25^{circ}C) 的条件下，两款产品的一些关键最大额定值如下：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极连续电流	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过任何这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

两款产品在不同封装和工作条件下的热特性有所不同：

• MUN5236DW1（SOT - 363）
  • 单结加热时，总器件耗散功率在 (T_{A}=25^{circ}C) 时为187mW，高于 (25^{circ}C) 时的降额系数为1.5mW/°C，结到环境的热阻为670°C/W。
  • 双结加热时，总器件耗散功率在 (T_{A}=25^{circ}C) 时为250mW，高于 (25^{circ}C) 时的降额系数为2.0 - 3.0mW/°C，结到环境的热阻为325 - 493°C/W，结到引脚的热阻为188 - 208°C/W。
• NSBC115EDXV6（SOT - 563）
  • 单结加热时，总器件耗散功率在 (T_{A}=25^{circ}C) 时为357mW，高于 (25^{circ}C) 时的降额系数为2.9mW/°C，结到环境的热阻为350°C/W。
  • 双结加热时，总器件耗散功率在 (T_{A}=25^{circ}C) 时为500mW，高于 (25^{circ}C) 时的降额系数为4.0mW/°C，结到环境的热阻为250°C/W。

两款产品的结和存储温度范围均为 - 55°C到 + 150°C。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 的条件下，两款产品的一些关键电气特性如下：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流（(V{CB}=50V)，(I{E}=0)）	(I_{CBO})			100	(nA_{dc})
集电极 - 发射极截止电流（(V{CE}=50V)，(I{B}=0)）	(I_{CEO})			500	(nA_{dc})
发射极 - 基极截止电流（(V{EB}=6.0V)，(I{C}=0)）	(I_{EBO})			0.05	(mA_{dc})
集电极 - 基极击穿电压（(I{C}=10mu A)，(I{E}=0)）	(V_{(BR)CBO})	50			(V_{dc})
集电极 - 发射极击穿电压（(I{C}=2.0mA)，(I{B}=0)）	(V_{(BR)CEO})	50			(V_{dc})
导通特性
直流电流增益（(I{C}=5.0mA)，(V{CE}=10V)）	(h_{FE})	80	150
集电极 - 发射极饱和电压（(I{C}=10mA)，(I{B}=0.3mA)）	(V_{CE(sat)})			0.25	(V)
输入电压（关）（(V{CE}=5.0V)，(I{C}=100mu A)）	(V_{i(off)})		1.2	0.5	(V_{dc})
输入电压（开）（(V{CE}=0.3V)，(I{C}=1.0mA)）	(V_{i(on)})	3.0	1.7		(V_{dc})
输出电压（开）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=5.5V)，(R_{L}=1.0kOmega)）	(V_{OL})			0.2	(V_{dc})
输出电压（关）（(V{CC}=5.0V)，(V{B}=0.25V)，(R_{L}=1.0kOmega)）	(V_{OH})	4.9			(V_{dc})
输入电阻	(R_{1})	70	100	130	(kOmega)
电阻比	(R{1}/R{2})	0.8	1.0	1.2

产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能与电气特性所示不同。脉冲条件为脉冲宽度 = 300ms，占空比 ≤ 2%。

封装与订购信息

封装

MUN5236DW1采用SOT - 363封装，NSBC115EDXV6采用SOT - 563封装。文档中还提供了这两种封装的机械尺寸和引脚连接图，以及推荐的安装 footprint。

订购信息

器件	封装	包装
MUN5236DW1T1G	SOT - 363	3,000/卷带
NSBC115EDXV6T1G	SOT - 563	4,000/卷带

关于卷带规格的详细信息，包括零件方向和卷带尺寸，请参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

总结

安森美MUN5236DW1和NSBC115EDXV6双NPN偏置电阻晶体管以其集成化的设计、良好的电气性能和热特性，为电子工程师提供了一种高效、可靠的解决方案。在实际应用中，工程师们可以根据具体的需求和设计要求，合理选择这两款产品，以实现电路的优化和性能的提升。大家在使用这两款产品时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。