Onsemi双NPN偏置电阻晶体管：高效集成的电子新选择

在电子电路设计领域，如何提高电路性能、降低成本、节省电路板空间一直是工程师们关注的重点。Onsemi推出的MUN5231DW1和NSBC123EDXV6双NPN偏置电阻晶体管（BRT）为解决这些问题提供了有效的方案。本文将详细介绍这两款晶体管的特点、参数及应用相关信息。

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产品概述

MUN5231DW1和NSBC123EDXV6属于数字晶体管系列，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。它们内部集成了一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，其中包括一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这种集成设计将原本需要多个独立元件的电路整合到一个器件中，有效降低了系统成本和电路板空间。

产品特性

简化电路设计

传统电路中，需要额外设计偏置电阻网络来确保晶体管正常工作。而BRT将偏置电阻集成到晶体管内部，工程师无需再为偏置电阻的选型和布局花费精力，大大简化了电路设计过程。

减少电路板空间

由于减少了外部电阻元件的使用，电路板上的元件数量减少，从而节省了宝贵的电路板空间，使电路设计更加紧凑。

降低元件数量

集成化设计使得原本多个元件的功能由一个BRT器件实现，减少了元件数量，降低了电路的复杂性，提高了系统的可靠性。

符合汽车及其他应用要求

产品带有S和NSV前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用。同时，它们通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，质量可靠。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

符号	额定值	最大值	单位
VCBO	集电极 - 基极电压	50	Vdc
VCEO	集电极 - 发射极电压	50	Vdc
IC	集电极连续电流	100	mAdc
VIN(fwd)	输入正向电压	12	Vdc
VIN(rev)	输入反向电压	10	Vdc

热特性

不同封装和工作状态下的热特性有所不同，以下是部分示例：

• MUN5231DW1（SOT - 363）单结加热：
  • 总器件功耗 (P_D)：(T_A = 25^{circ}C) 时为187mW，高于25°C时，每升高1°C降额2.0mW。
  • 热阻 (R_{BA})（结到环境）：670°C/W。
• MUN5231DW1（SOT - 363）双结加热：
  • 总器件功耗 (P_D)：(T_A = 25^{circ}C) 时为250mW，高于25°C时，每升高1°C降额3.0mW。
  • 热阻 (R_{UA})（结到环境）：493°C/W。
• NSBC123EDXV6（SOT - 563）单结加热：
  • 总器件功耗 (P_D)：(T_A = 25^{circ}C) 时为357mW，高于25°C时，每升高1°C降额2.9mW。
  • 热阻 (R_{UA})（结到环境）：350°C/W。

电气特性

符号	特性	最小值	典型值	最大值	单位
ICBO	集电极 - 基极截止电流 ((V{CB} = 50V, I{E} = 0))			100	nAdc
ICEO	集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE} = 50V, I{B} = 0))			500	nAdc
IEBO	发射极 - 基极截止电流 ((V{EB} = 6.0V, I{C} = 0))			2.3	mAdc
V(BR)CBO	集电极 - 基极击穿电压 ((I{C} = 10mu A, I{E} = 0))	50			Vdc
V(BR)CEO	集电极 - 发射极击穿电压 ((I{C} = 2.0mA, I{B} = 0))	50			Vdc
hFE	直流电流增益 ((I{C} = 5.0mA, V{CE} = 10V))	8.0	15
VCE(sat)	集电极 - 发射极饱和电压 ((I{C} = 10mA, I{B} = 5.0mA))			0.25	V
Vi(off)	输入电压（关） ((V{CE} = 5.0V, I{C} = 1.0mA))		1.3		Vdc
Vi(on)	输入电压（开） ((V{CE} = 0.2V, I{C} = 20mA))		1.8		Vdc
VOL	输出电压（开） ((V{CC} = 5.0V, V{B} = 2.5V, R_{L} = 1.0kOmega))			0.2	Vdc
VOH	输出电压（关） ((V{CC} = 5.0V, V{B} = 0.25V, R_{L} = 1.0kOmega))	4.9			Vdc
R1	输入电阻	1.5	2.2	2.9	kΩ
R1/R2	电阻比	0.8	1.0	1.2

封装与订购信息

封装形式

• MUN5231DW1采用SOT - 363封装。
• NSBC123EDXV6采用SOT - 563封装。

订购信息

器件	封装	包装方式
MUN5231DW1T1G	SOT - 363	3,000/卷带
SMUN5231DW1T1G	SOT - 363	3,000/卷带
NSBC123EDXV6T1G	SOT - 563	4,000/卷带

机械尺寸与安装

文档中还提供了SC - 88（SOT - 363）和SOT - 563 - 6两种封装的机械尺寸详细信息，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值，以及推荐的安装脚印。这些信息对于电路板的设计和布局非常重要，工程师可以根据实际需求进行参考。

总结

Onsemi的MUN5231DW1和NSBC123EDXV6双NPN偏置电阻晶体管凭借其集成化设计、出色的性能参数和环保特性，为电子工程师在电路设计中提供了一个高效、可靠的选择。在实际应用中，工程师可以根据具体的电路要求和性能指标，合理选择这两款晶体管，以实现电路的优化设计。你在使用这类晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。