双 PNP 偏置电阻晶体管：简化电路设计的理想之选

在电子电路设计中，如何高效地实现电路功能、降低成本并节省电路板空间，一直是工程师们关注的重点。今天，我们将深入探讨安森美（onsemi）的双 PNP 偏置电阻晶体管系列产品，包括 MUN5137DW1、NSBA144WDXV6 和 NSBA144WDP6，看看它们如何为我们的设计带来便利。

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产品概述

这一系列数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻（串联基极电阻和基极 - 发射极电阻）组成的单片偏置网络的单个晶体管。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT 消除了对多个分立元件的需求，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特性

1. 广泛的应用适用性：产品具有 S 和 NSV 前缀，适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。
2. 简化电路设计：集成的偏置电阻网络使得电路设计更加简洁，减少了外部元件的使用，降低了设计的复杂性。
3. 节省电路板空间：将多个元件集成到一个封装中，有效减少了电路板上的占用空间，为更紧凑的设计提供了可能。
4. 减少元件数量：减少了元件数量，不仅降低了成本，还提高了系统的可靠性，减少了潜在的故障点。
5. 环保合规：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准，满足环保要求。

主要参数

最大额定值

在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时，这些晶体管具有以下最大额定值：	额定参数	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	Vdc
集电极连续电流	(I_{C})	100	mAdc
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	Vdc
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同型号和封装的晶体管具有不同的热特性，以下是一些示例：

• MUN5137DW1（SOT - 363）：单结加热时，总器件功耗 (P{D}) 在 (T{A}=25^{circ}C) 时为 187mW，高于 25°C 时的降额系数为 1.5mW/°C；结到环境的热阻 (R_{JA}) 为 670°C/W。
• NSBA144WDXV6（SOT - 563）：单结加热时也有相应的功耗和热阻参数。
• NSBA144WDP6（SOT - 963）：单结加热和双结加热时都有不同的功耗和热阻特性。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 时，晶体管的电气特性如下：

关断特性

特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
集电极 - 基极截止电流 ((V{CB}=50V, I{E}=0))	(I_{CBO})			100	nAdc
集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE}=50V, I{B}=0))	(I_{CEO})			500	nAdc
发射极 - 基极截止电流 ((V{EB}=6.0V, I{C}=0))	(I_{BO})			0.13	mAdc
集电极 - 基极击穿电压 ((I{C}=10mu A, I{E}=0))	(V_{(BR)CBO})	50	-		Vdc
集电极 - 发射极击穿电压（脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤2%）((I{C}=2.0mA, I{B}=0))	(V_{(BR)CEO})	50			Vdc

导通特性

特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
直流电流增益（脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤2%）((I{C}=5.0mA, V{CE}=10V))	(h_{FE})	80	140
集电极 - 发射极饱和电压（脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤2%）((I{C}=10mA, I{B}=0.3mA))	(V_{CE(sat)})			0.25	Vdc
输入电压（关断）((V{CE}=5.0V, I{C}=100mu A))	(V_{i(off)})		1.7		Vdc
输入电压（导通）((V{CE}=0.2V, I{C}=3.0mA))	(V_{i(on)})		2.7		Vdc
输出电压（导通）((V{CC}=5.0V, V{B}=4.0V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OL})			0.2	Vdc
输出电压（关断）((V{CC}=5.0V, V{B}=0.5V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OH})	4.9			Vdc
输入电阻	(R_{1})	32.9	47	61.1	kΩ
电阻比	(R{1}/R{2})	1.7	2.1	2.6

产品的参数性能在列出的测试条件下由电气特性表示，但在不同条件下运行时，产品性能可能与电气特性有所不同。

封装信息

该系列产品有多种封装可供选择，包括 SOT - 363、SOT - 563 和 SOT - 963。每种封装都有其特定的尺寸和引脚连接方式，并且提供了推荐的安装 footprint。在设计电路板时，需要根据具体的应用需求和空间限制选择合适的封装。

典型特性曲线

文档中还提供了多种典型特性曲线，如 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解晶体管在不同工作条件下的性能，从而进行更精确的电路设计。

总结

安森美的双 PNP 偏置电阻晶体管系列产品以其集成化的设计、丰富的特性和良好的性能，为电子工程师提供了一种高效、可靠的解决方案。在实际设计中，我们可以根据具体的应用需求选择合适的型号和封装，充分发挥这些晶体管的优势，实现更优化的电路设计。你在使用类似晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。