安森美双PNP偏置电阻晶体管：提升电路设计效率的理想之选

在电子电路设计中，选择合适的晶体管对于实现高效、稳定的电路性能至关重要。安森美（onsemi）推出的MUN5112DW1、NSBA124EDXV6和NSBA124EDP6系列双PNP偏置电阻晶体管，为电子工程师提供了一种简化设计、节省成本和空间的解决方案。

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产品概述

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了单独的组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特性

应用广泛

具有S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。同时，这些器件符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，为汽车等对可靠性要求较高的应用提供了可靠保障。

简化设计

集成的偏置电阻网络简化了电路设计过程，工程师无需再单独设计和安装外部电阻，减少了设计的复杂性和工作量。

节省空间与成本

减少了电路板上的组件数量，从而降低了系统成本，并节省了宝贵的电路板空间，特别适用于对空间要求较高的应用。

环保合规

这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合RoHS标准，满足环保要求。

主要参数

最大额定值

在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时，这些晶体管的一些重要最大额定值如下：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	Vdc
集电极连续电流	(I_{C})	100	mAdc
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	Vdc
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件，若超过任何这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同封装的晶体管在热特性方面有所不同，以下是一些关键热特性参数：

• MUN5112DW1（SOT - 363）：一个结加热时，总器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ}C) 时为250mW（注2）或385mW（注3）；两个结加热时，热阻 (R{JA}) 分别为493°C/W（注2）和325°C/W（注3）。
• NSBA124EDXV6（SOT - 563）：一个结加热时，总器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ}C) 时为500mW；两个结加热时，热阻 (R{JA}) 为250°C/W。
• NSBA124EDP6（SOT - 963）：一个结加热时，总器件耗散功率在 (T{A}=25^{circ}C) 时为231mW（注5）或269mW（注6）；两个结加热时，热阻 (R{JA}) 分别为369°C/W（注5）和306°C/W（注6）。

所有器件的结和存储温度范围均为 - 55°C至 + 150°C。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 时，这些晶体管的电气特性如下：	特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流 ((V{CB}=50V, I{E}=0))	(I_{CBO})			100	nAdc
集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE}=50V, I{B}=0))	(I_{CEO})			500	nAdc
发射极 - 基极截止电流 ((V{EB}=6.0V, I{C}=0))	(I_{EBO})			0.2	mAdc
集电极 - 基极击穿电压 ((I{C}=10mu A, I{E}=0))	(V_{(BR)CBO})	50			Vdc
集电极 - 发射极击穿电压（注7） ((I{C}=2.0mA, I{B}=0))	(V_{(BR)CEO})	50			Vdc
导通特性
((I{C}=5.0mA, V{CE}=10V))	(h_{FE})	60	100
集电极 - 发射极饱和电压（注7） ((I{C}=10mA, I{B}=0.3mA))	(V_{CE(sat)})			0.25	Vdc
输入电压（关） ((V{CE}=5.0V, I{C}=100mu A))	(V_{i(off)})		1.2		Vdc
输入电压（开） ((V{CE}=0.2V, I{C}=5.0mA))			2.0		Vdc
输出电压（开） ((V{CC}=5.0V, V{B}=2.5V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OL})			0.2	Vdc
输出电压（关） ((V{CC}=5.0V, V{B}=0.5V, R_{L}=1.0kOmega))	(V_{OH})				Vdc
输入电阻	(R_{1})	15.4	22	28.6	kΩ
电阻比	(R{1}/R{2})	0.8	1.0	1.2

注7为脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤ 2%。

封装与订购信息

封装形式

这些晶体管提供多种封装形式，包括SOT - 363、SOT - 563和SOT - 963，以满足不同应用的需求。

订购信息

器件	封装	包装数量
MUN5112DW1T1G, SMUN5112DW1T1G	SOT - 363	3,000 / 卷带
NSBA124EDXV6T1G	SOT - 563	4,000 / 卷带
NSBA124EDP6T5G（已停产）	SOT - 963	8,000 / 卷带

需要注意的是，NSBA124EDP6T5G已停产，不建议用于新设计。如需了解更多信息，请联系安森美代表，最新信息可在www.onsemi.com上查询。

典型特性曲线

文档中还提供了多个典型特性曲线，包括 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系以及输入电压与输出电流的关系等。这些曲线有助于工程师更好地了解晶体管在不同工作条件下的性能，从而进行更准确的电路设计。

机械尺寸与安装

文档详细介绍了不同封装的机械尺寸和推荐的安装 footprint，包括SC - 88、SOT - 563 - 6和SOT - 963等封装。同时，还提供了多种引脚配置样式，方便工程师根据实际需求进行选择。

安森美双PNP偏置电阻晶体管凭借其集成化设计、广泛的应用范围、良好的电气和热性能，为电子工程师提供了一种高效、可靠的解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体应用需求，结合这些晶体管的特性和参数，进行合理的电路设计，以实现最佳的电路性能。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。