安森美双PNP偏置电阻晶体管：简化电路设计的理想之选

在电子电路设计中，如何简化设计、降低成本并节省电路板空间一直是工程师们关注的重点。安森美（onsemi）推出的MUN5130DW1和NSBA113EDXV6双PNP偏置电阻晶体管（BRT）为解决这些问题提供了一个出色的解决方案。本文将详细介绍这两款产品的特点、性能参数以及应用场景。

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产品概述

MUN5130DW1和NSBA113EDXV6是一系列数字晶体管，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这些BRT包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了单独的组件，从而降低了系统成本和电路板空间。

产品特点

1. 简化电路设计：将偏置电阻集成到晶体管中，减少了外部组件的数量，简化了电路设计。
2. 节省电路板空间：由于减少了组件数量，电路板上的空间得到了有效利用。
3. 降低成本：减少了组件数量，从而降低了系统成本。
4. 汽车和其他应用适用：提供S和NSV前缀，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。
5. 环保合规：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并且符合RoHS标准。

最大额定值

在使用这些晶体管时，需要注意其最大额定值，以确保器件的正常工作和可靠性。以下是一些重要的最大额定值：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极连续电流	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	10	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	(V_{dc})

超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

引脚连接和订购信息

引脚连接

产品提供了SOT - 363（CASE 419B）和SOT - 563（CASE 463A）两种封装，不同封装的引脚连接有所不同。具体的引脚连接信息可以参考文档中的标记图。

订购信息

器件	封装	包装方式
MUN5130DW1T1G	SOT - 363（无铅）	3000 / 卷带包装
NSBA113EDXV6T1G	SOT - 563（无铅）	4000 / 卷带包装

关于卷带包装的规格，包括零件方向和卷带尺寸等信息，可以参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

热特性

热特性对于晶体管的性能和可靠性至关重要。以下是两款产品的热特性参数：

MUN5130DW1（SOT - 363）

• 单结加热：总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为187mW，高于(25^{circ}C)时的降额为1.5mW/°C，结到环境的热阻为670°C/W。
• 双结加热：总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为250mW，高于(25^{circ}C)时的降额为2.0mW/°C，结到环境的热阻为493°C/W。

NSBA113EDXV6（SOT - 563）

• 单结加热：总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为350mW，高于(25^{circ}C)时的降额为2.9mW/°C，结到环境的热阻为357°C/W。
• 双结加热：总器件耗散功率在(T_{A}=25^{circ}C)时为500mW，高于(25^{circ}C)时的降额为4.0mW/°C，结到环境的热阻为250°C/W。

两款产品的结和存储温度范围均为 - 55°C至 + 150°C。

电气特性

关断特性

• 集电极 - 基极截止电流：在(V{CB}=50V)，(I{E}=0)时，(I_{CBO})最大为100nA。
• 集电极 - 发射极截止电流：在(V{CE}=50V)，(I{B}=0)时，(I_{CEO})最大为500nA。
• 发射极 - 基极截止电流：在(V{EB}=6.0V)，(I{C}=0)时，(I_{EBO})最大为4.3mA。
• 集电极 - 基极击穿电压：在(I{C}=10A)，(I{E}=0)时，(V_{(BR)CBO})为50V。
• 集电极 - 发射极击穿电压：在(I{C}=2.0mA)，(I{B}=0)时，(V_{(BR)CEO})为50V。

导通特性

• 直流电流增益：在(I{C}=5.0mA)，(V{CE}=10V)时，(h_{FE})在3.0至5.0之间。
• 集电极 - 发射极饱和电压：在(I{C}=10mA)，(I{B}=5.0mA)时，(V_{CE(sat)})最大为0.25V。
• 输入电压（关）：在(V{CE}=5.0V)，(I{C}=100A)时，(V_{i(off)})为1.3V。
• 输入电压（开）：在(V{CE}=0.2V)，(I{C}=20mA)时，(V_{i(on)})为1.7V。
• 输出电压（开）：在(V{CC}=5.0V)，(V{B}=2.5V)，(R{L}=1.0k)时，(V{OL})为0.2V。
• 输出电压（关）：在(V{CC}=5.0V)，(V{B}=0.05V)，(R{L}=1.0k)时，(V{OH})为4.9V。
• 输入电阻(R_{1})：在0.7至1.3kΩ之间。
• 电阻比(R{1}/R{2})：在0.8至1.2之间。

需要注意的是，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下操作，产品性能可能会有所不同。

机械尺寸和封装信息

SC - 88（SOT - 363）封装

尺寸为2.00x1.25x0.90，引脚间距为0.65P。文档中提供了详细的尺寸图和公差信息，同时还介绍了推荐的安装脚印和多种引脚样式。

SOT - 563 - 6封装

尺寸为1.60x1.20x0.55，引脚间距为0.50P。同样，文档中包含了详细的尺寸图和相关信息。

总结

安森美的MUN5130DW1和NSBA113EDXV6双PNP偏置电阻晶体管具有简化电路设计、节省电路板空间、降低成本等优点，适用于汽车和其他多种应用场景。在使用这些晶体管时，需要注意其最大额定值、热特性和电气特性等参数，以确保器件的正常工作和可靠性。如果你正在寻找一种能够简化电路设计的晶体管解决方案，不妨考虑一下这两款产品。你在实际应用中是否遇到过类似的需求？对于这类集成化的晶体管，你有什么使用经验或看法呢？欢迎在评论区分享。