电子说
在电子设计领域,如何高效地简化电路设计、降低成本并节省电路板空间,一直是工程师们关注的焦点。安森美(onsemi)推出的一系列数字晶体管,如MUN2236、MMUN2236L、MUN5236、DTC115EE和DTC115EM3,为解决这些问题提供了出色的解决方案。下面我们就来详细了解一下这些数字晶体管的特点和优势。
文件下载:DTC115E-D.PDF
安森美的这一系列数字晶体管属于带单片偏置电阻网络的NPN晶体管,旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些单独的组件集成到一个器件中,BRT消除了对外部电阻的需求,从而降低了系统成本并节省了电路板空间。
BRT将偏置电阻集成到晶体管中,减少了外部元件的使用,使电路设计更加简洁。工程师无需再为选择和布局外部电阻而烦恼,大大缩短了设计周期。
由于减少了外部元件,电路板上的空间得到了有效利用。这对于空间受限的设计,如便携式设备和高密度电路板,尤为重要。
集成的设计减少了组件数量,降低了采购和库存管理的成本。同时,减少了焊点数量,提高了系统的可靠性。
带有NSV前缀的器件适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。这些器件符合AEC - Q101标准,并具备生产件批准程序(PPAP)能力。
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,满足环保要求。
| 在环境温度 (T_{A}=25^{circ}C) 时,这些数字晶体管具有以下最大额定值: | 额定参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 50 | (V_{dc}) | |
| 集电极连续电流 | (I_{C}) | 100 | (m{A{dc}}) | |
| 输入正向电压 | (V_{IN(fwd)}) | 40 | (V_{dc}) | |
| 输入反向电压 | (V_{IN(rev)}) | 10 | (V_{dc}) |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
不同封装的器件具有不同的热特性,以MMUN2236L(SOT - 23封装)为例,在 (T{A}=25^{circ}C) 时,其结到环境的热阻 (R{theta JA}) 为370 (^{circ}C/W),结和存储温度范围为 - 55到 + 150 (^{circ}C)。
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 时,这些数字晶体管的一些电气特性如下: | 特性 | 最小值 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极截止电流 | 100 | (nA_{dc}) | ||
| 集电极 - 发射极截止电流 | ||||
| 发射极 - 基极截止电流((V{EB}=6.0V),(I{C}=0)) | (mA_{dc}) | |||
| 集电极 - 基极击穿电压((I{C}=10mu A),(I{E}=0)) | 50 | |||
| 直流电流增益((I{C}=5.0 mA),(V{CE}=10 V)) | ||||
| 输入电压(关)((V{CE}=5.0 V),(I{C}=100 mu A)) | (V_{dc}) | |||
| 输入电压(开)((V{CE}=0.3 V),(I{C}=1.0 mA)) | 3.0 | (V_{dc}) | ||
| 输出电压(关) | 4.9 | (V_{dc}) | ||
| 输入电阻 | 130 | (kOmega) |
| 这些数字晶体管提供多种封装形式,包括SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75和SOT - 723等。每个封装都有相应的引脚连接和标记图,并且均为无铅封装。具体的订购信息如下表所示: | 器件 | 部件标记 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|---|---|
| NSVMUN2236T1G* | 8N | SC - 59(无铅) | 3000 / 卷带包装 | |
| MMUN2236LT1G, NSVMMUN2236LT1G* | AA5 | SOT - 23(无铅) | 3000 / 卷带包装 | |
| MUN5236T1G, NSVMUN5236T1G* | 8N | SC - 70/SOT - 323(无铅) | 3000 / 卷带包装 | |
| DTC115EET1G | 8N | SC - 75(无铅) | 3000 / 卷带包装 | |
| DTC115EM3T5G | 8N | SOT - 723(无铅) | 8000 / 卷带包装 |
需要注意的是,部分器件已停产,如MUN2236T1G。对于新设计,不建议使用这些停产器件。
文档中还提供了一些典型特性曲线,如 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系曲线、直流电流增益曲线、输出电容曲线、输出电流与输入电压的关系曲线以及输入电压与输出电流的关系曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件的性能,在实际设计中进行合理的参数选择。
文档详细介绍了各种封装的机械尺寸和推荐的安装脚印。不同封装的尺寸和引脚排列有所不同,工程师在设计电路板时需要根据具体的封装选择合适的布局。同时,文档还提供了关于无铅策略和焊接细节的参考手册,帮助工程师进行正确的焊接和安装。
安森美的这一系列数字晶体管通过集成偏置电阻网络,为电子工程师提供了一种简化电路设计、降低成本和节省电路板空间的有效解决方案。其丰富的特性和多种封装选择,使其适用于各种不同的应用场景。在实际设计中,工程师可以根据具体的需求选择合适的器件,并参考文档中的参数和曲线进行优化设计。你在使用这些数字晶体管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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