探索安森美数字晶体管：高效设计与性能解析

在电子设计领域，数字晶体管的性能和特性对电路设计起着关键作用。安森美（onsemi）推出的一系列数字晶体管，如MUN2130、MMUN2130L、MUN5130、DTA113EE、DTA113EM3和NSBA113EF3，为工程师们提供了更多的选择。

文件下载：DTA113E-D.PDF

产品概述

这些数字晶体管属于带有单片偏置电阻网络的PNP晶体管系列，其设计目的是取代单个器件及其外部电阻偏置网络。Bias Resistor Transistor（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即串联基极电阻和基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了单独的组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

产品特性

简化电路设计

将偏置电阻网络集成到晶体管中，减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁。这对于空间有限或对成本敏感的应用尤为重要。

减少电路板空间

集成化设计意味着更少的元件，从而减少了电路板上的占用空间，有助于实现更紧凑的设计。

减少组件数量

减少了外部电阻等组件的使用，降低了成本和潜在的故障点，提高了系统的可靠性。

汽车及其他应用适用性

带有S和NSV前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准，满足环保要求。

最大额定值

在使用这些数字晶体管时，需要注意其最大额定值，以确保器件的安全和正常运行。以下是一些关键的最大额定值：	额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	Vdc
集电极电流 - 连续	(I_{C})	100	mAdc
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	10	Vdc
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	Vdc

超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

订购信息

不同型号的产品有不同的封装和包装形式，以下是部分产品的订购信息：	器件	部件标记	封装	包装
MUN2130T1G	6G	SC - 59（无铅）	3000 / 卷带包装
MMUN2130LT1G	A6G	SOT - 23（无铅）	3000 / 卷带包装
MUN5130T1G	6G	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA113EET1G	6G	SC - 75（无铅）	3000 / 卷带包装
DTA113EM3T5G, NSVDTA113EM3T5G*	7E	SOT - 723（无铅）	8000 / 卷带包装
NSBA113EF3T5G	L (180°)**	SOT - 1123（无铅）	8000 / 卷带包装

需要注意的是，部分器件已停产，在设计时应参考数据表第2页的相关表格。

热特性

热特性对于晶体管的性能和可靠性至关重要。不同封装的产品热特性有所不同，以下是部分产品的热特性：	封装	总器件功耗（(T_A = 25^{circ}C)）	超过25°C时的降额	热阻（结到环境）	热阻（结到引脚）	结和存储温度范围
SC - 59 (MUN2130)	230mW	1.8mW/°C	540°C/W	264°C/W	-55 to +150°C
SOT - 23 (MMUN2130L)	246mW	2.0mW/°C	508°C/W	174°C/W	-55 to +150°C
SC - 70/SOT - 323 (MUN5130)	202mW	1.6mW/°C	618°C/W	280°C/W	-55 to +150°C
SC - 75 (DTA113EE)	200mW	2.4mW/°C	600°C/W	-	-55 to +150°C
SOT - 723 (DTA113EM3)	260mW	2.0mW/°C	480°C/W	-	-55 to +150°C
SOT - 1123 (NSBA113EF3)	254mW	2.0mW/°C	493°C/W	193°C/W	-55 to +150°C

在设计时，需要根据实际应用场景考虑热特性，确保晶体管在合适的温度范围内工作。

电气特性

电气特性是评估晶体管性能的重要指标。以下是部分关键电气特性：

截止特性

• 集电极 - 基极截止电流（(V_{CB} = 50V)，(IE = 0)）：(I{CBO})最大为100nAdc。
• 集电极 - 发射极截止电流（(V_{CE} = 50V)，(IB = 0)）：(I{CEO})最大为500nAdc。
• 发射极 - 基极截止电流（(V_{EB} = 6.0V)，(IC = 0)）：(I{EBO})最大为4.3mAdc。
• 集电极 - 基极击穿电压（(I_C = 10A)，(IE = 0)）：(V{(BR)CBO})为50Vdc。
• 集电极 - 发射极击穿电压（(I_C = 2.0mA)，(IB = 0)）：(V{(BR)CEO})为50Vdc。

导通特性

• 直流电流增益（(IC = 5.0mA)，(V{CE} = 10V)）：(h_{FE})范围为3.0 - 5.0。
• 集电极 - 发射极饱和电压（(I_C = 10mA)，(IB = 5.0mA)）：(V{CE(sat)})最大为0.25Vdc。
• 输入电压（关）（(V_{CE} = 5.0V)，(IC = 100A)）：(V{i(off)})范围为0.5 - 1.2Vdc。
• 输入电压（开）（(V_{CE} = 0.3V)，(IC = 20mA)）：(V{i(on)})范围为1.6 - 2.0Vdc。
• 输出电压（开）（(V_{CC} = 5.0V)，(V_B = 2.5V)，(RL = 1.0k)）：(V{OL})最大为0.2Vdc。
• 输出电压（关）（(V_{CC} = 5.0V)，(V_B = 0.05V)，(RL = 1.0k)）：(V{OH})最大为4.9Vdc。
• 输入电阻(R_1)范围为0.7 - 1.3kΩ。
• 电阻比(R_1/R_2)范围为0.8 - 1.2。

机械封装尺寸

不同封装的产品有不同的机械尺寸，以下是部分封装的详细尺寸信息：

SOT - 23 (TO - 236)

尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°	-	10°

SC - 59 - 3

尺寸	最小值	标称值	最大值
A	1.00	1.15	1.30
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.35	0.43	0.50
C	0.09	0.14	0.18
D	2.70	2.90	3.10
E	2.50	2.80	3.00
E1	1.30	1.50	1.70
C	1.90 BSC	-	-
L	0.20	0.40	0.60

SC - 70 (SOT - 323)

尺寸（毫米）	最小值	标称值	最大值	尺寸（英寸）	最小值	标称值	最大值
A	0.80	0.90	1.00	-	0.032	0.035	0.040
A1	0.00	0.05	0.10	-	0.000	0.002	0.004
A2	0.70 REE	-	-	-	0.028 BSC	-	-
b	0.30	0.35	0.40	-	0.012	0.014	0.016
n	0.10	0.18	0.25	-	0.004	0.007	0.010
D	1.80	2.00	2.20	-	0.071	0.080	0.087
E	1.15	1.24	1.35	-	0.045	0.049	0.053
e	1.20	1.30	1.40	-	0.047	0.051	0.055
e1	0.65 BSC	-	-	-	0.026 BSC	-	-
L	0.20	0.38	0.56	-	0.008	0.015	0.022
HE	2.00	2.10	2.40	-	0.079	0.083	0.095

SC75 - 3

尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.70	0.80	0.90
A1	0.00	0.05	0.10
A2	0.80 REF.	-	-
b	0.15	0.20	0.30
C	0.10	0.15	0.25
D	1.55	1.60	1.65
E	1.50	1.60	1.70
E1	0.70	0.80	0.90
e	1.00 BSC	-	-
L	0.10	0.15	0.20

SOT - 1123

尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.34	0.37	0.40
b	0.15	0.22	0.28
k1	0.10	0.15	0.20
C	0.07	-	0.17
D	0.75	-	0.85
E	0.55	0.60	0.65
-	0.35	0.38	-
H	0.950	1.000	1.050
L	REF 0.185	-	-
L2	0.05	0.10	0.15

SOT - 723

尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.45	0.50	0.55
b	0.15	0.21	0.27
b1	0.25	0.31	0.37
C	0.07	0.12	0.17
D	1.15	1.20	1.25
E	0.75	0.80	0.85
e	0.40 BSC	-	-
H	1.15	1.20	1.25
L	0.29 REF	-	-
L2	0.15	0.20	0.25

在进行电路板设计时，需要根据封装尺寸合理布局，确保晶体管能够正确安装和连接。

总结

安森美的这些数字晶体管具有多种优点，如简化电路设计、减少电路板空间和组件数量等。在选择和使用这些晶体管时，工程师们需要综合考虑其最大额定值、热特性、电气特性和机械封装尺寸等因素，以确保设计的电路能够稳定、可靠地工作。同时，对于已停产的器件，应及时关注相关信息，避免在新设计中使用。大家在实际应用中，有没有遇到过这些晶体管的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。