Onsemi 共阳极四阵列开关二极管 NSDEMP11XV6T1 和 NSDEMP11XV6T5 技术解析

在电子设计中，开关二极管是不可或缺的元件，尤其是在高速开关应用场景中。今天，我们就来详细解析 Onsemi 公司的共阳极四阵列开关二极管 NSDEMP11XV6T1 和 NSDEMP11XV6T5，了解它们的特点、参数以及应用注意事项。

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产品概述

NSDEMP11XV6T1 和 NSDEMP11XV6T5 是共阳极外延平面四二极管，专为超高速开关应用而设计。其中，NSDEMP11XV6T1 采用 SOT - 563 封装，这种封装适用于低功耗表面贴装应用，特别适合对电路板空间要求较高的场景。

产品特性

高速反向恢复时间（Fast trr）

快速的反向恢复时间是开关二极管在高速开关应用中的关键特性。短的 trr 可以减少开关过程中的能量损耗，提高电路的工作效率。对于高速信号处理电路，如数据通信、高频开关电源等，快速的反向恢复时间能够确保信号的准确传输和处理，减少信号失真和干扰。

低结电容（Low (C_{D})）

低结电容可以降低二极管在开关过程中的充放电时间，进一步提高开关速度。在高频电路中，结电容会影响信号的传输速度和质量，低 (C_{D}) 能够有效减少这种影响，使电路在高频下稳定工作。

无铅设计（Pb - Free Devices）

符合环保要求，满足现代电子设备对绿色环保的需求。无铅设计不仅有助于减少对环境的污染，还能满足相关环保法规的要求，为产品的市场推广提供便利。

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
反向电压	(V_{R})	80	(V_{dc})
峰值反向电压	(V_{RM})	80	(V_{dc})
正向电流	(I_{F})	100	(mA_{dc})
峰值正向电流	(I_{FM})	300	(mA_{dc})
峰值正向浪涌电流（注 1）	(I_{FSM})	2.0	(A_{dc})

在设计电路时，必须确保二极管的工作参数不超过这些最大额定值，否则可能会损坏器件，影响电路的可靠性。

热特性

单结加热情况

• 总器件功耗（(T{A} = 25^{circ}C)）：(P{D}) 为 357 mW（注 2），高于 (25^{circ}C) 时的降额为 2.9 mW/°C。
• 结到环境的热阻 (R_{JA}) 为 350 °C/W（注 2）。

双结加热情况

• 总器件功耗（(T{A} = 25^{circ}C)）：(P{D}) 为 500 mW（注 2），高于 (25^{circ}C) 时的降额为 4.0 mW/°C。
• 结到环境的热阻 (R_{JA}) 为 250 °C/W（注 2）。

结温和存储温度范围为 - 55 到 + 150 °C。在实际应用中，需要根据热特性合理设计散热方案，确保二极管在合适的温度范围内工作，以保证其性能和可靠性。

电气特性

在 (T_{A} = 25^{circ}C) 的条件下，部分电气特性如下：	特性	符号	条件	最小值
反向电流	(I_{R})			0.1	(mu A_{dc})
正向电压	(V_{F})	(I_{F} = 100 mA)			(V_{dc})
反向击穿电压
反向恢复时间	(t_{rr})	(I{F}=5.0 mA, V{R}=6.0 V, R{L}=100 Omega, I{rr}=0.1 I_{R})		4.0

需要注意的是，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下工作，产品性能可能会有所不同。例如，温度的变化可能会影响二极管的正向电压、反向电流等参数。

封装与订购信息

NSDEMP11XV6T1 和 NSDEMP11XV6T5 均采用 SOT - 563 封装，这种封装具有体积小、适合表面贴装的特点。具体的订购信息如下：	器件型号	封装	包装数量
NSDEMP11XV6T1	SOT - 563*	4000/卷带盘
NSDEMP11XV6T1G	SOT - 563*	4000/卷带盘
NSDEMP11XV6T5	SOT - 563*	8000/卷带盘
NSDEMP11XV6T5G	SOT - 563*	8000/卷带盘

*此封装本质上是无铅的。关于卷带盘的规格，包括元件方向和卷带尺寸等信息，请参考相关的卷带盘包装规格手册。

机械尺寸

SOT - 563 - 6 封装的尺寸如下：	尺寸	最小值（mm）	标称值（mm）	最大值（mm）
A	0.50	0.55
k	0.17		0.27
D	1.50	1.60	1.70
E	1.10	1.20	1.30
e	0.50 BSC
H	1.50	1.60	1.70
L	0.10	0.20	0.30

在进行 PCB 设计时，需要根据这些尺寸合理布局二极管的位置，确保焊接和安装的准确性。

应用注意事项

• 工作条件：要严格遵守最大额定值和热特性的要求，避免器件在超出规格的条件下工作，以免影响器件的性能和寿命。
• 散热设计：根据热特性合理设计散热方案，如使用散热片、优化 PCB 布局等，确保二极管在合适的温度范围内工作。
• 焊接工艺：遵循 Onsemi 提供的焊接和安装技术参考手册，确保焊接质量，避免因焊接不良导致的性能问题。

Onsemi 的 NSDEMP11XV6T1 和 NSDEMP11XV6T5 共阳极四阵列开关二极管凭借其高速开关特性、低结电容和无铅设计等优点，在超高速开关应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据具体需求合理选择和使用这两款二极管。大家在实际应用中是否遇到过类似二极管的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。