硅基氮化镓 vs 碳化硅氮化镓外延片：区别、应用、选型对比

 

　　硅基氮化镓外延片与碳化硅氮化镓外延片是当前最主流的两种技术路线，很多研发和采购分不清差异，导致选型错误。本文做清晰对比。

　　一、衬底不同

　　硅基氮化镓：以硅为衬底，成本低、供应链成熟。

　　碳化硅氮化镓：以碳化硅为衬底，散热极强、耐高压。

　　二、性能差异

　　硅基氮化镓：适合中低压、消费类、大规模量产。

　　碳化硅氮化镓：适合高压、高温、车规级、高频射频。

　　三、成本区别

　　硅基氮化镓：性价比高，适合走量产品。

　　碳化硅氮化镓：成本更高，用于高端场景。

　　四、应用场景

　　硅基氮化镓：手机快充、工业电源、普通射频、服务器电源。

　　碳化硅氮化镓：新能源汽车、光伏储能、车载电源、5G 基站射频。

　　五、选型建议

　　消费类、控成本→选硅基氮化镓外延片

　　车规、高压、高可靠→选碳化硅氮化镓外延片

　　安徽进步半导体同时具备硅基、碳化硅氮化镓外延片量产能力，提供全尺寸供货与外延片芯片代加工，满足不同场景需求。

审核编辑 黄宇