电子说
最近,我们接到一位从事光模块封装客户的咨询,他们在生产过程中需要对贴装后的晶圆硅片进行推力测试,以验证芯片与基板之间的粘接强度是否达标。客户特别提到,他们的晶圆经过减薄后厚度仅有80微米,担心传统测试方法容易导致晶圆碎裂,询问是否有更合适的解决方案。
今天,科准测控小编就基于这个真实案例,为您详细介绍一下如何通过BetaS100推拉力测试机来进行晶圆硅片推力测试,包括原理、方法、设备要求及操作流程,供有需要的读者参考。
一、测试原理
晶圆硅片推力测试(Die Shear Test),是指用精密的推刀水平推动芯片或硅片,模拟芯片在实际使用中受到的水平方向应力,测量将其从基板或贴装材料上推离所需的力值,从而评估芯片与基板之间的粘接强度。
这项测试广泛应用于:
二、测试标准
MIL-STD-883《微电路测试方法》
JESD22-B117《焊线剪切测试》
AEC-Q100《汽车电子可靠性标准》
GJB548B-2005《微电子器件测试方法和程序》
IPC-TM-650《印制板组件测试方法》
三、测试设备
1、Beta-S100推拉力测试机

2、设备介绍
力值精度:±025%,满足MIL-STD-883、AEC-Q100标准要求
采样率:4kHz,捕捉断裂瞬间的力值变化
剪切高度控制:±1μm精度,可编程设定,保护薄晶圆
模块化设计:更换模块即可切换推力/拉力测试,一机多用
数据追溯:支持原始数据导出、SPC分析、MES接口

四、测试流程
第1步:选择并安装测试模块
根据客户芯片的预估推力值,选择合适量程的推力模块。对于常规光模块芯片(2mm×3mm左右),DS-50kg模块通常足够。
第2步:安装推刀
选择宽度大于芯片边长60%-100%的推刀,确保推力均匀分布。将推刀安装到模块上,用六角扳手锁紧。
第3步:固定样品
将贴装有晶圆的基板固定在测试平台上。对于薄基板,建议使用真空吸附夹具,避免夹持力导致基板变形。
第4步:参数设定
在Beta-S100软件中设定相关参数:
测试速度:100-500μm/s,速度过快可能导致数据波动
剪切高度:芯片厚度的10%-20%,针对80μm薄晶圆,建议设为8-15μm
着陆速度:500μm/s,推刀接近芯片时的速度
可编程着陆力: 10gf ,避免推刀撞击晶圆
最大行程:芯片宽度的1.2倍,确保推刀有足够行程推离芯片
第5步:定位与执行测试
通过显微镜和摇杆控制,将推刀移动到芯片侧面的正后方。确认位置无误后,点击开始测试,系统自动完成推力施加和数据采集。
第6步:结果判定与失效分析
测试完成后,系统显示最大推力值和力-位移曲线。根据以下标准判断:
以上就是科准测控小编为您介绍的晶圆硅片推力测试的全部内容,从测试原理、设备选型到具体操作流程,希望对您有所帮助。如果您也是从事半导体封装、光模块、功率器件或汽车电子行业,正在寻找合适的推拉力测试方案,或者还有关于推拉力测试机怎么使用、推拉力测试机校准规范、推拉力测试机国产厂家哪家好、推拉力测试机多少钱一台等方面的疑问或需求,欢迎私信或留言联系我们,我们可提供样品实测和技术方案支持!
审核编辑 黄宇
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