安森美单芯片双开关二极管MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G、SMMBD2835LT1G技术剖析

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描述

安森美单芯片双开关二极管MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G、SMMBD2835LT1G技术剖析

在电子电路设计中,开关二极管是一种常用的基础元件,它在电路中的开关作用至关重要。安森美(onsemi)推出的MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G、SMMBD2835LT1G单芯片双开关二极管,具有诸多特性,下面我们来详细了解一下。

文件下载:MMBD2835LT1-D.PDF

产品特性

汽车及特殊应用适用性

这几款二极管带有“S”前缀,适用于汽车及其他对生产场地和控制变更有特殊要求的应用。并且它们通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力,这意味着它们在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定使用。

环保特性

这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)的,并且符合RoHS标准,响应了环保的趋势,在追求高性能的同时也兼顾了环境友好性。

最大额定值

额定值 符号 单位
反向电压
MMBD2835LT1G、SMMBD2835LT1G
MMBD2836LT1G
(V_R) 35
75
(V_{dc})
正向电流 (I_F) 100 (m A_{dc})

从这些数据中我们可以知道,不同型号的二极管反向电压有所不同,在设计电路时,要根据实际需求选择合适的型号,以确保二极管能在安全的电压范围内工作。

热特性

不同基板下的功耗和热阻

条件 符号 (T_A = 25^{circ}C)值 高于(25^{circ}C)降额 单位
FR - 5板总器件功耗 (P_D) 225 1.8 (mW)
(mW/^{circ}C)
结到环境热阻 (R_{BA}) 556 (^{circ}C/W)
氧化铝基板总器件功耗 (P_D) 300 2.4 (mW)
(mW/^{circ}C)
结到环境热阻 (R_{UA}) 417 (^{circ}C/W)
结和储存温度 (TJ)、(T{stg}) - 55 到 + 150 (^{circ}C)

热特性对于二极管的稳定工作非常重要。不同的基板材料会影响二极管的散热性能,进而影响其功耗和热阻。工程师在设计时需要考虑散热问题,选择合适的基板,以保证二极管在工作过程中不会因为过热而损坏。

电气特性

截止特性

特性 符号 最小值 最大值 单位
反向击穿电压((IR = 100mu A{dc}))
MMBD2835LT1G、SMMBD2835LT1G
MMBD2836LT1G
(V_{(BR)}) 35
75
(V_{dc})
反向电压泄漏电流(注3)
((VR = 30V{dc})) MMBD2835LT1G、SMMBD2835LT1G
((VR = 50V{dc})) MMBD2836LT1G
(I_R) 100
100
(nA_{dc})
二极管电容((V_R = 0V, f = 1.0MHz)) (C_T) - 4.0 (pF)
正向电压((IF = 10m A{dc}))
((IF = 50m A{dc}))
((IF = 100m A{dc}))
(V_F) 1.0
1.0
1.2
(V_{dc})
反向恢复时间((I_F = IR = 10m A{dc}, I{R(REC)} = 1.0m A{dc})) (t_r) 4.0 (ns)

这些电气特性是我们在电路设计中选择二极管的重要依据。例如,反向击穿电压决定了二极管能承受的最大反向电压,正向电压则影响着电路中的电压降。反向恢复时间对于高速开关电路尤为重要,短的反向恢复时间可以提高电路的开关速度。

封装与订购信息

封装形式

这几款二极管采用SOT - 23(TO - 236AB)封装,这种封装体积小,适合高密度的电路板设计。

订购信息

器件 封装 包装方式
MMBD2835LT1G SOT - 23(无铅) 3,000 / 卷带包装
SMMBD2835LT1G SOT - 23(无铅) 3,000 / 卷带包装
MMBD2836LT1G SOT - 23(无铅) 3,000 / 卷带包装

在订购时,我们要根据实际需求选择合适的包装数量,同时注意器件的封装形式是否与电路板设计相匹配。

总结

安森美MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G、SMMBD2835LT1G单芯片双开关二极管凭借其良好的特性和性能,在电子电路设计中具有广泛的应用前景。工程师在使用时,要充分了解其各项参数,根据实际电路需求进行合理选择和设计,以确保电路的稳定性和可靠性。你在使用这些二极管的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。

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