描述
深入解析 onsemi NCV51752 隔离单通道栅极驱动器
在电力电子设计领域,栅极驱动器是驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率开关的关键组件。onsemi 的 NCV51752 隔离单通道栅极驱动器以其卓越的性能和丰富的功能,成为众多工程师的首选。本文将深入剖析 NCV51752 的特性、参数及应用,为电子工程师在设计中提供全面的参考。
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产品概述
NCV51752 是一款隔离单通道栅极驱动器,具备 4.5 - A/9 - A 的源极和漏极峰值电流,专为快速开关驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关而设计。它拥有短且匹配的传播延迟,为了提高可靠性、dV/dt 抗扰性以及更快的关断速度,还可利用其产生负偏置轨。该驱动器采用 4 mm SOIC - 8 封装,支持高达 (3.75 kV_{RMS}) 的隔离电压,同时提供独立的双侧驱动器欠压锁定等重要保护功能。
产品特性
特性选项
- (v_{CC}) UVLO 参考 GND2:内置 GND2 和 VEE 引脚之间的负偏置,可通过微调选择负偏置电平。
- 宽输入输出电压范围:输入电源电压范围为 3 - V 至 20 - V,输出电源电压范围为 6.5 - V 至 30 - V,针对 MOSFET 有 6 - V 和 8 - V 阈值,针对 SiC 有 12 - V 和 17 - V 阈值。
- 高电流输出能力:具备 4.5 - A 峰值源电流和 9 - A 峰值漏电流输出能力。
- 高 CMTI 性能:最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为 200 V/ns dV/dt。
- 输入引脚负 5 - V 处理能力:能有效应对输入引脚的负电压情况。
- 低传播延迟:典型传播延迟为 36 ns,最大延迟匹配为 5 ns。
- 汽车应用认证:通过 AEC - Q100 认证,满足汽车应用要求。
- 隔离与安全认证:计划获得 3.75 kVRMS 1 分钟隔离(符合 UL1577 要求)、CQC 认证(符合 GB4943.1 - 2011)和 SGS FIMO 认证(符合 IEC 62386 - 1)。
引脚说明
| 引脚名称 |
引脚编号 |
I/O |
描述 |
| VDD |
1 |
电源 |
输入侧电源电压,建议在 VDD 和 GND1 之间放置旁路电容。 |
| IN+ |
2 |
输入 |
具有内部下拉电阻至 GND1 的非反相逻辑输入。 |
| IN - |
3 |
输入 |
具有内部上拉电阻至 VDD 的反相逻辑输入。 |
| GND1 |
4 |
电源 |
输入侧接地。 |
| VCC |
5 |
电源 |
正输出电源轨。 |
| OUT |
6 |
输出 |
栅极驱动输出。 |
| GND2 |
7 |
电源 |
栅极驱动公共引脚,连接到 MOSFET 源极,(V_{CC}) UVLO 阈值参考 GND2。 |
| VEE |
8 |
电源 |
负输出电源轨。 |
电气特性
电源部分
- 初级电源(VDD):静态电流在不同输入电压和逻辑状态下有所不同,工作电流受输入信号频率和负载电容影响。例如,在 (V{IN+} = V{IN - } = 0 V),(V{DD} = 5 V) 时,静态电流典型值为 715 μA;在 (V{IN+} = V{DD}),(V{IN - } = 0 V),(V{DD} = 5 V) 且 (f{IN+} = 500 kHz),(C_{OUT} = 200 pF) 时,工作电流典型值为 3.9 mA。
- 次级电源(VCC):静态电流和工作电流同样受输入信号和负载影响。如在 (V{IN+} = V{IN - } = 0 V) 或 (5 V) 且无负载时,静态电流典型值为 556 μA;在 (f{IN+} = 500 kHz),(C{OUT} = 200 pF),(V_{CC} = 15 V) 时,工作电流典型值为 4.2 mA。
- UVLO 阈值:不同版本的 (V_{CC}) UVLO 阈值不同,如 6 - V UVLO 版本的正阈值典型值为 6.0 V,负阈值典型值为 5.7 V,滞回电压典型值为 0.3 V。
逻辑输入部分
- 输入电压阈值:高电平输入电压典型值为 1.63 V,低电平输入电压典型值为 1.08 V,输入逻辑滞回典型值为 0.55 V。
- 输入偏置电流:高电平逻辑输入偏置电流在不同引脚和输入电压下有所不同,逻辑输入上拉/下拉电阻典型值为 125 kΩ。
负偏置部分
- 偏置阈值:VEE 偏置欠压阈值、过压阈值与调节参考电压相关,如 VEE 偏置欠压阈值典型值为 0.8 x (V{REGREF}),过压阈值典型值为 1.2 x (V{REGREF})。
- 调节参数:调节 OTA 增益典型值为 20 mmho,充电电流和放电电流典型值为 100 mA。
短路部分
- 钳位电压:源极钳位电压((V{out} - V{cc}))典型值为 1.75 V,漏极钳位电压((V{EE} - V{OUT}))典型值为 0.5 V。
栅极驱动部分
- 峰值电流:源极峰值电流典型值为 4.5 A,漏极峰值电流典型值为 9.0 A。
- 输出电阻:高态输出电阻典型值为 1.4 Ω,低态输出电阻典型值为 0.5 Ω。
- 输出电压:高电平输出电压((V{CC} - V{OUT}))典型值为 140 mV,低电平输出电压((V{OUT} - V{EE}))典型值为 50 mV。
动态电气特性
- 传播延迟:导通传播延迟((t{PDON}))和关断传播延迟((t{PDOFF}))典型值均为 36 ns,脉冲宽度失真((t_{PWD}))典型值为 0 ns。
- 上升/下降时间:上升时间((t{R}))典型值为 12 ns,下降时间((t{F}))典型值为 8.3 ns。
- 最小输入脉冲宽度:改变输出状态的最小输入脉冲宽度典型值为 15 ns。
保护功能
欠压锁定保护(UVLO)
NCV51752 提供初级侧((V{DD}))和次级侧((V{CC}) 和 (V{EE}))电源的欠压锁定保护。当 (V{DD}) 电源电压大于指定的欠压锁定阈值电压(如典型值 2.8 V)时,栅极驱动器正常运行。不同版本的 (V{CC}) UVLO 阈值不同,且具有滞回特性,可提供对短 (V{CC}) 下降的抗扰能力。此外,(V{EE}) 电压轨包含内部固定的欠压锁定,设定为目标 (V{EE}) 值的 80%。
上电延迟
在初始 (V{CC}) 启动或 POR 事件后,存在从 (V{CC}) 上电复位(POR)阈值到输出的上电延迟时间((t_{VPOR to OUT})),典型值为 18 μs。
负偏置控制功能
NCV51752 提供了一种在栅极驱动回路中生成负偏置的简单方法。负偏置在 PCB 布局和/或封装引脚在功率晶体管 (V{gs}) 中产生高振铃的情况下非常有用,可防止栅极电压振铃导致的误开启。该驱动器提供 - 2 V、 - 3 V、 - 4 V 和 - 5 V 等不同负偏置选项,以适应各种功率晶体管配置。同时,负偏置电压轨包含内部固定的欠压锁定,GND2 和 (V{EE}) 引脚之间的电容电压由充电和放电电流源控制,可精确控制负偏置电压,不受开关频率和占空比的影响。
应用信息
电源推荐
- 输入电源:(V{DD}) 输入电源支持 3 - V 至 20 - V 的宽电压范围,建议在 (V{DD}) 和 GND1 之间放置旁路电容,可使用至少 100 nF 陶瓷表面贴装电容和几微法电容并联,并尽量靠近引脚。
- 输出电源:(V{CC}) 输出电源支持 6.5 - V 至 30 - V 的电压范围,在 (V{CC}) 和 (V{EE}) 引脚之间应放置至少为栅极电容十倍的局部旁路电容,并并联一个 100 - nF 电容,且尽量靠近器件。负偏置电源电容 (C{GND2}) 应放置在 GND2 和 (V_{EE}) 引脚之间,值至少为几百纳法。
输入级
输入信号引脚(IN+ 和 IN - )基于 TTL 兼容输入阈值逻辑,与 (V{DD}) 电源电压无关。非反相输入 IN+ 控制驱动器输出,反相输入 IN - 可作为使能功能。建议在输入信号引脚添加 RC 滤波器,以减少系统噪声和接地反弹的影响,(R{IN}) 范围为 0 至 100 Ω,(C_{IN}) 为 10 pF 至 100 pF。
输出级
输出驱动器级采用上拉和下拉结构,上拉结构由 PMOS 级组成,下拉结构由 NMOS 器件组成。输出电压在 (V{CC}) 和 (V{EE}) 之间摆动,提供相对于 GND2 引脚的轨到轨操作。输出阻抗能够在 25°C 时提供约 + 4.5 A 和 - 9 A 的峰值电流,在 125°C 时最小漏极和源极峰值电流分别为 - 7 A 和 + 2.6 A。
PCB 布局指南
- 组件放置:保持输入/输出走线尽可能短,最小化布局中的寄生电感和电容影响,避免使用过孔。VDD、(V{CC}) 和 (V{EE}) 的电源旁路电容以及栅极电阻应尽量靠近栅极驱动器放置,栅极驱动器应靠近开关器件,以减少走线电感并避免输出振铃。
- 接地考虑:在高速信号层下方设置实心接地平面。
- 高压隔离考虑:为确保初级和次级侧之间的隔离性能,避免在驱动器器件下方放置任何 PCB 走线或铜箔,建议进行 PCB 切口以避免可能影响隔离性能的污染。
订购信息
NCV51752 提供多种型号选择,不同型号在 (V{CC}) UVLO 阈值和 GND2 - (V{EE}) 负偏置方面有所不同,封装均为 SOIC - 8 NB(无铅),每卷 2500 个。
总结
onsemi 的 NCV51752 隔离单通道栅极驱动器以其高性能、丰富的保护功能和灵活的负偏置控制,为功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动提供了可靠的解决方案。在实际应用中,工程师需要根据具体需求合理选择型号,并遵循电源推荐和 PCB 布局指南,以充分发挥该驱动器的优势。你在使用类似栅极驱动器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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