电子说
在电子工程领域,栅极驱动IC对于驱动高速MOSFET和IGBT至关重要。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的FAN7391,这是一款单片式高侧与低侧栅极驱动IC,能驱动工作电压高达+600V的高速MOSFET和IGBT。
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FAN7391具有缓冲输出级,采用全NMOS晶体管设计,具备高脉冲电流驱动能力和最小的交叉导通特性。其高压工艺和共模噪声消除技术,确保了高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下的稳定运行。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器在(V{BS}=15V)时,(V{S})典型值可达 -9.8V。此外,HIN的先进输入滤波器可防止因噪声引起的短脉冲输入信号,欠压锁定(UVLO)电路则能在(V{DD})和(V{BS})低于指定阈值电压时防止器件故障。
具有典型的4.5A/4.5A源极/漏极电流驱动能力,能够满足多种应用场景的需求。
共模dv/dt噪声消除电路可有效抑制噪声,提高系统的稳定性。
内置双通道欠压锁定功能,确保在电源电压不足时器件不会误操作。
内置先进的输入滤波器,增强了对噪声的抵抗能力。
双通道的传播延迟匹配,保证了信号的同步性。
支持3.3V和5V输入逻辑,具有良好的兼容性。
该器件为无铅产品,符合环保要求。
FAN7391的高电流和低输出电压降特性使其非常适合PDP维持脉冲驱动器的应用。
在HID灯镇流器中,能够稳定驱动功率器件,确保灯的正常工作。
为开关模式电源提供高效的驱动,提高电源的性能和稳定性。
可用于驱动电机,实现电机的精确控制。
| FAN7391采用14引脚封装,各引脚功能明确: | 14 - 引脚 | 名称 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | HIN | 高侧栅极驱动器输出的逻辑输入 | |
| 2 | LIN | 低侧栅极驱动器输出的逻辑输入 | |
| 3 | VSS | 逻辑地 | |
| 5 | COM | 低侧驱动器返回 | |
| 6 | LO | 低侧驱动器输出 | |
| 7 | VDD | 低侧和逻辑部分电源电压 | |
| 11 | VS | 高压浮动电源返回 | |
| 12 | HO | 高侧驱动器输出 | |
| 13 | VB | 高侧浮动电源 | |
| 4, 8, 9, 10, 14 | NC | 不连接 |
在(T{A}=25^{circ}C)时,各参数有明确的最大限制,如(V{B})最大为625.0V,(P_{D})最大为1.0W等。超过这些限制可能会损坏器件,影响其可靠性。
推荐的工作条件包括(V{B})在(V{S}+10)到(V{S}+20V)之间,(V{DD})在10到20V之间等,确保器件在合适的条件下工作,以获得最佳性能。
在特定条件下((V{BIAS}(V{DD}, V{BS}) = 15.0V),(V{S}=V{SS}=COM) ,(T{A}=25^{circ}C) ),给出了电源供应、逻辑输入、栅极驱动器输出等部分的详细电气参数,如(V{DD})和(V{BS})的欠压阈值、输出高低电平电压等。
在特定测试条件下((V{BIAS}(V{DD}, V{BS}) = 15.0V) ,(V{S}=V{SS}=COM = 0V) ,(C{L}=1000pF) ,(T_{A}=25^{circ}C) ),给出了开关时间相关的参数,如导通传播延迟、关断传播延迟、延迟匹配、上升时间和下降时间等。这些参数对于评估器件的动态性能非常重要。
文档中给出了一系列典型特性曲线,如导通传播延迟与温度的关系、关断传播延迟与温度的关系等。通过这些曲线,我们可以直观地了解器件在不同温度下的性能变化,为实际应用提供参考。
输入噪声滤波器具有输入信号和输出信号持续时间对称的特点,有助于抑制噪声尖峰和短脉冲。当输入信号持续时间小于输入滤波器时间时,输出状态不变,有效提高了系统的抗干扰能力。
先进的输入滤波电路能有效保护器件免受因噪声引起的短脉冲输入信号的影响,确保系统的稳定性。
在半桥应用中,高侧开关关断时会出现负电压,可能导致自举电容过压、输入信号丢失和闩锁等问题。FAN7391具有负(V{S})瞬态性能曲线,但建议电路设计师通过精心的PCB布局来尽量减少负(V{S})瞬态,降低寄生元件的影响。
为了最小化寄生元件,PCB布局应遵循以下原则:
FAN7391有特定的型号(FAN7391MX),采用SOIC14 14 - SOP(无铅)封装,工作温度范围为 -40°C到125°C ,每卷2500个。
总之,FAN7391是一款性能出色的栅极驱动IC,在多个应用领域都有广泛的应用前景。电子工程师在设计时,应充分考虑其特性和设计建议,以确保系统的性能和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过类似器件的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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