三星电子交付业界首批HBM4E样品

三星电子近日宣布，已向客户交付了行业内首批HBM4E内存工程样品。据官方披露，该款新一代高带宽内存在带宽性能上相比当前的HBM4提升了20%，最高可达到每秒3.6TB的数据传输速率，旨在为大语言模型以及下一代人工智能系统提供更强的算力支撑。

在技术构成方面，HBM4E采用了1c nm制程的DRAM裸晶与4nm工艺的逻辑裸晶，并通过先进的低功耗设计以及优化的封装结构，实现了性能与能效的双重提升。从堆叠规格来看，12层堆叠（12Hi）版本的容量为48GB；后续三星还将根据客户需求，提供8层堆叠（8Hi）32GB以及16层堆叠（16Hi）64GB等不同配置选项。

三星方面表示，在完成样品交付与后续优化验证之后，公司将依据客户的量产进度安排，适时启动HBM4E的批量生产工作。