电子说
ON Semiconductor(现更名为 onsemi)推出的 FAN7085 - GF085 是一款带有复位输入和内置充电 FET 的高侧栅极驱动 IC,专为 MOSFET 或 IGBT 的高压、高速驱动而设计,最高可在 300V 电压下工作。该产品采用了 ON Semiconductor 的高压工艺和共模噪声消除技术,能在高 dV/dt 噪声环境下稳定运行。
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| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 高侧浮动电源电压 | VBS | -0.3 | 25 | V |
| 高侧驱动器输出级电压(负瞬态:0.5 ms,外部 MOSFET 关断) | VB | -5 | 325 | V |
| 高侧浮动电源偏移电压(负瞬态 0.2 us) | Vs | -25 | 300 | V |
| 高侧浮动输出电压 | VHO | VS - 0.3 | VB + 0.3 | V |
| 电源电压 | VCC | -0.3 | 25 | V |
| IN - 输入电压 | VIN | -0.3 | Vcc + 0.3 | V |
| RESET - 输入电压 | VRES | -0.3 | Vcc + 0.3 | V |
| 功率耗散 | Pd | 0.625 | W | |
| 热阻(结到环境) | Rthja | 200 | °C/W | |
| 静电放电电压(人体模型) | VESD | 1.5K | V | |
| 充电器件模型 | VCDM | 500 | V | |
| 结温 | Tj | 150 | °C | |
| 存储温度 | TS | -55 | 150 | °C |
| 参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 高侧浮动电源电压(DC)(瞬态:-10V@ 0.2 us) | VB | VS + 4.5 | VS + 20 | V |
| 高侧浮动电源偏移电压(DC)(@VBS = 7V) | VS | -3 | 300 | V |
| 高侧浮动电源偏移电压(瞬态)(0.2us @VBS < 25V) | VS | -25 | 300 | V |
| 高侧浮动输出电压 | VHO | Vs | VB | V |
| 允许的偏移电压转换速率 | dv/dt | - | 50 | V/ns |
| 逻辑部分电源电压 | VCC | 4.5 | 20 | V |
| IN - 输入电压 | VIN | 0 | Vcc | V |
| RESET - 输入电压 | VRESET | 0 | Vcc | V |
| 开关频率 | Fs | 200K | Hz | |
| 最小低输入宽度 | tIN(low,min) | 560 | - | ns |
| 最小高输入宽度 | tIN(high,min) | 60 | - | ns |
| VB 相对于 GND 的最小工作电压 | VB (MIN) | 4 | - | V |
| 环境温度 | Ta | -40 | 125 | °C |
在 -40°C <= Ta <= 125°C,VCC = 5V,VBS = 7V,VS = 0V,VRESET = 5V,RL = 50Ω,CL = 2.5nF 的条件下:
同样在上述条件下,包含输入到输出的导通和关断传播延迟、RESET 到输出的导通和关断传播延迟、输出上升时间和下降时间等参数。
通过逻辑表可以清晰地了解 VCC、VBS、RESET -、IN - 与 Ho 和 RechFET 状态之间的关系,为电路设计和控制提供依据。
文档中给出了典型应用电路和应用示例,帮助工程师快速搭建实际应用电路。同时,还提供了输入 - 输出波形图,包括输入/输出时序图、复位时序图、VB 压降图等,有助于工程师分析电路的工作状态和性能。
性能图表基于 -40°C 至 125°C 的环境温度,展示了各种参数随温度、电源电压等因素的变化关系,如正 IN 和 RESET 阈值与 VCC 电源的关系、输出灌电流与 VBS 电源的关系等。这些图表对于工程师在不同工作条件下评估和优化电路性能具有重要参考价值。
FAN7085 - GF085 高侧栅极驱动器凭借其丰富的特性、广泛的应用范围和详细的技术参数,为电子工程师在设计高压、高速驱动电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中,工程师需要根据具体需求和工作条件,合理选择和使用该产品,并结合相关的性能图表和应用信息,确保电路的稳定运行和性能优化。大家在使用过程中,有没有遇到过类似产品的应用难题呢?欢迎在评论区分享交流。
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