SK海力士计划五年内晶圆产能翻倍

近日，SK集团会长崔泰源在台北国际电脑展（COMPUTEX 2026）上宣布，旗下SK海力士计划在未来五年内将晶圆产能扩大一倍，以应对AI驱动的存储芯片持续短缺。

崔泰源表示，全球存储芯片供应缺口可能持续至2030年，公司正加大资本支出弥合供需失衡，但未披露具体投资金额。他同时透露，SK海力士已向韩国龙仁半导体集群一期晶圆厂追加投资21.6万亿韩元（约150亿美元），累计投资额达31万亿韩元（约213亿美元）。龙仁集群整体规划投资已上调至600万亿韩元，未来将建设4座晶圆厂，定位为全球最大的AI核心存储生产基地。

根据规划，SK海力士目标在2030年前将晶圆月产能从当前约45万片提升至约90万片。目前产能扩张主要通过三条路径推进：

韩国清州M15X工厂已于2026年2月提前投产，初期月产能约1万片，年底将扩至5.5万片以上，主要生产1b DRAM以支撑HBM4供应。

韩国利川工厂的1c DRAM月产量将从约2万片大幅提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，扩产占DRAM总产能超过三分之一，用于支持GDDR7和SOCAMM2等产品。

中国无锡工厂已完成1a纳米工艺升级，1a产能占比达90%，月投片量维持在18万至19万片，通过"韩国EUV前道+无锡后道"的分段制造模式保障通用型DRAM稳定产出。

崔泰源还表示，SK海力士正申请赴美上市，拟募资高达140亿美元，主要用于龙仁集群建设及美国印第安纳州先进封装基地扩产。同时公司投资19万亿韩元在清州建设P&T7先进封装厂，专用于HBM等AI存储封装。

受扩产消息提振，SK海力士市值近日首次突破1万亿美元，与三星电子、美光一同跨入万亿市值门槛。据Counterpoint数据，SK海力士一季度全球HBM市占率达58%，居行业第一。

崔泰源在展会期间还与英伟达CEO黄仁勋会面，双方就AI存储合作方向交换意见。崔泰源表示，希望SK海力士能成为英伟达下一代Vera Rubin系统的主要HBM供应商。

据Omdia数据，2026年三大DRAM原厂总产能预计达1800万片晶圆，同比增长约5%，其中SK海力士产量将从2025年的597万片增至648万片，增幅约8%，但仍难以满足市场需求。