浩瀚芯光发布MH1329 GaN功率放大器芯片

近日，浩瀚芯光（成都浩瀚芯光微电子科技有限公司）正式推出全新GaN功率放大器芯片 MH1329 ，工作频率覆盖 8GHz~12GHz（X波段） ，基于0.25μm GaN HEMT工艺开发，专为卫星通信、雷达及高端测试设备等高频应用场景设计。

39dBm的输出功率在X波段GaN功放中属于第一梯队水平，而43%的PAE意味着近一半的直流功率被有效转化为射频输出，剩余热量可控——这对高密度部署的星载和机载平台尤为关键。

8~12GHz的X波段是一个战略级频段。它既是军用雷达的核心工作频段，也是卫星通信上下变频的关键中频窗口，同时覆盖了大量高端测试仪器的工作范围。

过去这个频段的功率放大主要依赖GaAs器件或行波管（TWT）。GaAs在10GHz以上频率段功率密度和效率开始明显下滑，而行波管体积大、功耗高、寿命有限。GaN HEMT在这个频段的优势非常直接： 更高的击穿电压、更高的电子迁移率、更宽的禁带宽度（3.4eV） ，使得单芯片就能在X波段输出8W级别功率，同时保持40%以上的效率。

MH1329正是瞄准这一替代需求而来。

MH1329采用了 背面通孔接地（Backside Via Ground） 结构。这个设计不是为了好看，而是为了解决X波段功放的一个核心痛点—— 寄生电感 。

在8~12GHz频段，哪怕几个pH的寄生电感都会导致增益下降和稳定性恶化。传统正面接地方式受限于键合线和金属层的寄生参数，很难把接地电感压到足够低。背面通孔直接从芯片背面打孔到地，大幅缩短了接地路径，既降低了寄生电感，也改善了散热通道。

这也是为什么这颗芯片能在28V高压下稳定工作——接地质量直接决定了高压GaN器件的可靠性上限。

浩瀚芯光成立于2019年，是上市公司 亚光科技（300123.SZ） 控股60%的子公司，总部位于成都。公司专注于化合物半导体射频微波芯片设计，持有31项集成电路布图设计登记证书，产品覆盖GaN功放芯片、GaAs幅相控制芯片、变频套片及收发多功能芯片等。

其母公司亚光科技是国内军用射频芯片领域的头部企业，原国营970厂，产品型谱齐全，长期为华为、中兴等提供配套。浩瀚芯光承接了集团在GaN方向的研发任务，致力于5G+低轨卫星场景下的第三代半导体功放芯片国产化。

此前浩瀚芯光已发布过MH1309（2~6GHz GaN功放芯片），并获得国家知识产权局集成电路布图设计登记（登记号：BS.245516727）。MH1329的推出，意味着浩瀚芯光在GaN功放产品线上完成了 从Sub-6GHz到X波段的频段跨越 。

当前X波段GaN功放正处于从"能用"到"好用"的转折期。

国际上，科锐（Cree/Wolfspeed）已推出0.25μm GaN-on-SiC工艺的Ku波段（1218GHz）功放裸芯片，40V漏极电压下可实现70W输出功率，PAE超过80%（开关模式）。国内方面，合肥芯谷微电子于2026年5月底发布了910GHz内匹配GaN功放IMPA090100P51，与浩瀚芯光的MH1329形成直接竞争。

但MH1329的差异化在于： 脉冲模式支持+背面通孔接地+28V/8W的组合 ，使其更适合雷达发射链路和星载TTC（跟踪遥测指令）等对峰值功率和散热有严格要求的场景。

MH1329不是一颗参数炫技的芯片，而是一颗指向明确的产品——用0.25μm GaN HEMT工艺，在X波段提供8W级输出、43%效率、脉冲工作能力，背面通孔接地确保高频稳定性。它补齐了浩瀚芯光在8~12GHz频段的产品空白，也为国内卫星通信和雷达系统的GaN功放国产替代多提供了一个可选项。