Everspin串行MRAM芯片嵌入式系统应用

在嵌入式系统设计中，对于那些必须通过最少引脚快速完成程序和数据的存储与读取的应用，Everspin推出的串行MRAM芯片MR20H40CDFR系列无疑是一款值得关注的存储器。Everspin系列芯片特别适合对I/O引脚数量敏感、但又要求高速读写的场景，例如工业控制、汽车电子、智能仪表等。

Everspin典型型号MR20H40CDFR采用了与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，但MRAM芯片彻底解决了传统非易失性存储器常见的两大痛点：写入延迟和读写寿命限制。不同于普通串行存储器，MRAM芯片支持对内存任意位置的随机读写，两次写入之间无需任何等待时间。这意味着系统可以像使用SRAM一样灵活地操作数据，同时又具备掉电不丢失的特性。MRAM芯片芯片工作电压范围为3.0V至3.6V（典型值3.3V），并提供了低电流睡眠模式，有助于降低系统功耗。

Everspin串行MRAM芯片性能
①高速读写：时钟频率最高可达50 MHz，满足实时数据吞吐需求。
②无限写入耐久性：理论上可进行无限次读写操作，非常适合频繁更新数据的应用（如数据记录、日志存储）。
③数据长期保存：非易失性数据可稳定保存20年以上。
④断电保护：MRAM芯片掉电时自动保持数据完整性，无需额外电池或电容。

MRAM芯片MR20H40CDFR采用符合RoHS标准的8引脚DFN或8引脚DFN Small Flag封装，体积紧凑，适合空间受限的PCB布局。同时MRAM芯片可以直接替代同封装的串行EEPROM、串行Flash以及FeRAM，无需修改硬件设计或底层驱动，为现有产品升级提供了便捷路径。everspin代理商英尚微支持技术指导及产品解决方案。

审核编辑 黄宇