Everspin存储器SPI串行接口MRAM芯片

对于需要快速存取数据和程序代码的嵌入式系统、RAID控制器、服务器日志模块以及存储设备缓冲区而言，一款高可靠、低延迟的非易失性存储器至关重要。串行接口MRAM凭借其近乎无限的读写寿命和铁电存储技术无法比拟的随机访问能力，正成为越来越多工程师的首选。其中，Everspin存储器推出的SPI串行接口MRAM芯片MR10Q010，就是一个兼顾性能与引脚数的实用解决方案。

串行接口MRAM芯片MR10Q010内部集成了131072个8位存储单元，总容量1Mb。它支持标准SPI、四通道SPI（Quad SPI）以及QPI三种工作模式，时钟频率最高可达104MHz。在四通道SPI模式下，四个I/O引脚并行传输数据，大幅提升了读写吞吐量，特别适合用于下一代RAID控制器中的日志缓存、工业设备的程序运行内存，以及需要频繁掉电保护的缓冲区域。

不同于传统Flash或EEPROM，串行接口MRAM芯片MR10Q010基于Everspin专利的磁阻存储技术，写入操作无需擦除或等待周期。这意味着向任意地址写入数据都能瞬间完成，两次写入之间零延迟。这一特性在系统突然断电时尤为关键——它能确保关键参数和运行状态被完整保存，避免因写入不完整导致的数据损坏。

从封装和功耗看，串行接口MRAM芯片MR10Q010提供24球BGA和16脚SOIC两种可选规格，方便兼容不同PCB布局。Everspin存储器采用低有效片选（CS#）控制：当CS#为高电平时，芯片自动进入待机功耗模式，串行输出引脚呈现高阻态，多个芯片可通过各自独立的片选信号挂载在同一条SPI总线上，灵活扩展容量。在标准SPI模式下，数据输出引脚仅在读操作期间被驱动，其余时间为高阻态；若HOLD引脚拉低，输出同样变为高阻，便于总线仲裁。Everspin存储器四通道SPI模式下，数据输入输出双向复用——指令、地址和数据在SCK上升沿写入芯片，而读出数据则在SCK下降沿从芯片输出，时序清晰，容易集成。

审核编辑 黄宇