Onsemi NZF220DFT1G与SNZF220DFT1G：兼具EMI滤波与ESD保护的解决方案

在电子设备设计中，电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD）是两个常见且需要重点解决的问题。Onsemi的NZF220DFT1G和SNZF220DFT1G器件为我们提供了一种有效的解决方案，下面将详细介绍这两款器件的特点、应用及相关设计要点。

文件下载：NZF220DFT1-D.PDF

产品特点

滤波与保护功能

• 双EMI/RFI双向“Pi”低通滤波器：能够有效抑制系统中的EMI/RFI噪声，为设备提供稳定的电磁环境。
• ESD保护：符合IEC61000 - 4 - 2标准，可保护设备免受静电放电的损害。

电气特性

• 电容参数：二极管电容为7 - 10 pF，齐纳/电阻阵列线电容为22 ±20% pF。
• 低泄漏电流：齐纳二极管最大泄漏电流仅为1 μA。
• 齐纳击穿电压：范围在6 - 8 V之间。

汽车级应用

SNZF220DFT1G通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，适用于汽车及其他有特殊要求的应用场景。

环保设计

这两款器件均为无铅产品，符合环保要求。

产品优势

噪声抑制

• 低通滤波：标称截止频率为220 MHz，能够有效过滤高频噪声，确保设备在复杂电磁环境下正常工作。
• 小封装优势：小尺寸封装可最小化寄生电感，使滤波器更接近理想的低通滤波响应。

典型应用

• 通信领域：如手机、通信系统等，可有效抑制信号传输过程中的噪声干扰。
• 计算机设备：保障计算机内部信号的稳定传输，提高系统的可靠性。
• 便携式产品：对于带有输入/输出导体的便携式设备，可提供良好的EMI滤波和ESD保护。

电气特性

参数	描述	典型值	单位
Vz	齐纳击穿电压（@$I_{ZT}=1 ~mA$）	-	V
VF	-	-	V
电容	齐纳/电阻阵列线电容	17.6	pF
电阻	电阻值	90	-
频率	-	-	MHz

应用设计要点

噪声抑制

源头抑制

• 对所有离开嘈杂环境的I/O信号进行滤波。
• 将I/O驱动电路靠近连接器放置，减少信号传输过程中的干扰。
• 尽可能使用最长的上升/下降时间处理数字信号，降低高频噪声。

接收端降噪

• 对进入设备的所有I/O信号进行滤波。
• 将I/O滤波器尽可能靠近连接器，提高滤波效果。

噪声耦合最小化

• 使用多层PCB板，减少电源和接地电感。
• 时钟电路应远离I/O连接器，避免干扰。
• 尽可能使用接地平面，降低噪声耦合。
• 最小化所有高速信号的环路面积。
• 提供足够的电源去耦，确保电源稳定。

ESD保护

• 将抑制器件尽可能靠近I/O连接器，减少静电放电对设备的影响。
• 最小化PCB走线长度，降低信号传输过程中的损耗和干扰。
• 最小化抑制器件接地回路的PCB走线长度，提高ESD保护效果。

产品封装与订购信息

封装

两款器件均采用SC - 88A封装，这种封装尺寸小，适合高密度电路板设计。

订购信息

器件	封装	包装方式
NZF220DFT1G	SC - 88A（无铅）	3000 / 卷带包装
SNZF220DFT1G	SC - 88A（无铅）	3000 / 卷带包装

需要注意的是，SNZF220DFT1G已停产，如需了解更多信息，请联系Onsemi代表。

Onsemi的NZF220DFT1G和SNZF220DFT1G器件为电子工程师提供了一种可靠的EMI滤波和ESD保护解决方案。在实际设计中，工程师可根据具体应用需求，合理选择和使用这两款器件，并遵循上述设计要点，以确保设备的稳定性和可靠性。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。