探索onsemi EMI1051：集EMI滤波与ESD保护于一身的卓越方案

在电子设备的设计中，电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD）是两个不容忽视的问题。它们可能会影响设备的性能，甚至导致设备故障。onsemi的EMI1051为解决这些问题提供了一个出色的解决方案。今天，我们就来深入了解一下这款产品。

文件下载：EMI1051-D.PDF

产品概述

EMI1051是一款集成了Pi - 滤波器（C - R - C）的R - C EMI滤波阵列，同时具备双向ESD保护功能。它能够有效抑制EMI/RFI噪声，为敏感电子元件提供高水平的ESD保护。其输入和输出引脚都配备了ESD保护二极管，可以安全地消散±30 kV的ESD冲击。

产品特性

小尺寸封装

在如今追求小型化的电子设备市场中，小尺寸的产品往往更受欢迎。EMI1051采用了小尺寸封装，这使得它能够轻松集成到各种紧凑的设计中，为工程师提供了更多的设计灵活性。

强大的ESD保护能力

该产品在ESD保护方面表现出色，无论是接触放电还是空气放电，都能提供±30 kV的保护（符合IEC 61000 - 4 - 2标准）。这意味着它能够在复杂的电磁环境中，有效保护设备免受静电放电的损害。

出色的衰减性能

在600 MHz - 1.55 GHz的频率范围内，EMI1051能够提供大于30 dB的衰减。这使得它在高频环境下也能有效地抑制电磁干扰，确保设备的正常运行。

环保特性

EMI1051符合RoHS标准，是无铅、无卤素和无BFR的产品。这不仅符合环保要求，也体现了onsemi对可持续发展的承诺。

应用领域

EMI1051的应用范围非常广泛，适用于各种电子设备，如手机、平板电脑、笔记本电脑等。在这些设备中，它能够有效抑制电磁干扰，保护敏感元件，提高设备的稳定性和可靠性。

电气特性

电压参数

• 反向工作电压（VRWM）：I/O引脚到地为5.5 V。
• 击穿电压（VBR）：当IT = 1 mA时，I/O引脚到地的击穿电压在6.1 - 8.0 V之间。
• 反向泄漏电流（IR）：在VRWM = 5.5 V时，I/O引脚到地的反向泄漏电流为0.01 - 0.1 μA。

电流参数

• 反向峰值脉冲电流（IPP）：符合IEC61000 - 4 - 5（8x20 μs）标准，为18 - 22.5 A。

其他参数

• 截止频率（FC）：50 Ω终端时为65 MHz。
• 阻带衰减（Fatten）：在600 MHz、1 GHz和1.55 GHz频率下分别为30 - 36 dB、30 - 42 dB和30 - 44 dB。
• 结电容（CJ）：VR = 0 V，f = 1 MHz时为64 - 80 pF。
• 插入损耗（IL）：f = 1 MHz时为 - 6 dB。

ESD电压钳位

对于敏感电路元件来说，在ESD事件期间将IC所承受的电压限制在尽可能低的水平非常重要。ESD钳位电压是指在ESD事件期间，ESD保护二极管两端的电压降。虽然IEC61000 - 4 - 2标准是针对大型系统（如手机或笔记本电脑）的通过/失败规范，但onsemi开发了一种方法，通过示波器截图来检查ESD保护二极管在ESD脉冲时域内的整个电压波形。如果你想了解更多关于如何创建这些截图以及如何解读它们的信息，可以参考onsemi的应用笔记AND8307/D和AND8308/D。

传输线脉冲（TLP）测量

TLP测量可以提供电流与电压（I - V）曲线，每个数据点都来自于一个100 ns长的矩形脉冲。TLP I - V曲线能够准确地展示ESD保护设备的ESD能力，因为其数十安培的电流水平和小于100 ns的时间尺度与ESD事件相匹配。通过TLP I - V曲线，我们可以了解设备的开启电压以及在不同电流水平下的电压钳位能力。

订购信息

EMI1051FCT5G采用DSN3（无铅）封装，每卷10,000个。如果你想了解关于卷带规格的更多信息，包括零件方向和卷带尺寸，可以参考onsemi的《卷带包装规格手册》（BRD8011/D）。

总结

onsemi的EMI1051是一款功能强大、性能出色的EMI滤波与ESD保护产品。它在小尺寸封装的基础上，提供了强大的ESD保护能力和出色的衰减性能，适用于各种电子设备。作为电子工程师，在设计过程中遇到EMI和ESD问题时，不妨考虑一下这款产品。你在实际设计中是否遇到过类似的问题？你会选择什么样的解决方案呢？欢迎在评论区分享你的经验和想法。