onsemi NCP383:可调电流限制的电源分配开关

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描述

onsemi NCP383:可调电流限制的电源分配开关

在电子设备的电源管理设计中,处理重容性负载和短路等情况是一项关键挑战。onsemi的NCP383可调电流限制电源分配开关为这一问题提供了有效的解决方案。今天我们就来深入了解一下这款产品。

文件下载:NCP383-D.PDF

产品概述

NCP383是一款单输入双输出的电源分配开关,专为可能遇到重容性负载和短路的应用而设计。它在单个封装中集成了两个极低导通电阻($R{DS (on)}$)的N沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时,该器件的每个通道会切换到恒流模式,将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可通过在$I{lim}$和GND之间连接的下拉电阻进行外部设定。同时,电源开关的上升和下降时间得到控制,以减少开关过程中的电流振铃。

此外,内部的反向电压检测比较器可在输出电压高于输入电压时禁用电源开关,从而保护开关输入侧的设备。/FLAGx逻辑输出在过流、反向电压或过温条件下会置低。开关由低电平有效的逻辑使能输入控制。

产品特性

电气性能

  • 宽工作电压范围:2.7V - 5.5V的工作范围,适用于多种电源系统。
  • 可调电流限制:电流限制可调节至2.8A,在2.8A时电流限制精度为±7.5%。
  • 快速过流检测响应:典型响应时间为2μs,能迅速应对过流情况。
  • 低待机电流:最大待机电源电流为1A,有助于降低功耗。

保护功能

  • 欠压锁定(UVLO):防止在输入电压过低时设备异常工作。
  • 软启动:避免浪涌电流,保护设备免受电流冲击。
  • 热保护:当芯片温度过高时,自动关闭电源MOSFET,防止设备损坏。
  • 软关断:平稳关闭电源,减少电压尖峰。
  • 反向电压保护:防止反向电压对设备造成损害。

封装与兼容性

  • 小型封装:采用DFN 3x3 mm封装,节省电路板空间。
  • 静电防护:符合IEC61000 - 4 - 2(4级)标准,接触放电8.0kV,空气放电15kV。
  • 认证齐全:UL列名(文件编号E343275),CB - IEC60950 - ED2和CB - IEC60950 - ED2 - AM1认证,且为无铅器件。

典型应用

NCP383适用于多种电子设备,如笔记本电脑、USB端口/集线器和电视机等。在这些应用中,它能够有效保护电源系统,确保设备的稳定运行。

引脚功能与参数

引脚连接

NCP383的引脚连接有明确的要求,例如接地引脚、电源输入引脚、电流限制设置引脚等。其中,外露焊盘必须焊接到PCB接地平面,以确保良好的散热和电气性能。

最大额定值

该器件有一系列的最大额定值,包括电源电压、输入/输出引脚电压、灌电流、ESD耐受电压等。超过这些额定值可能会损坏设备,因此在设计时必须严格遵守。

工作条件

工作条件涵盖了电源电压、使能电压、环境温度、灌电流、去耦电容等参数。例如,工作电源电压范围为2.7V - 5.5V,环境温度范围为 - 40°C - +85°C。

电气特性

电气特性包括电源开关的导通电阻、输出上升和下降时间、逻辑引脚的输入电压和电流、电流限制阈值、响应时间等。这些参数对于评估器件的性能和设计电路非常重要。

功能描述

过流保护

当输出电流超过$I{OCP}$阈值时,NCP383会切换到恒流调节模式。在重容性负载热插拔、过载或短路等情况下,它能够将电流限制在$I{OCP}$阈值,并根据负载情况相应地降低输出电压。如果输出持续短路或连接到非常低的电压,芯片的结温会超过$T_{SDOCP}$值,设备将进入热关断状态。

可调电流限制编程

通过在ILIM引脚和GND之间连接$R_{LIM}$电阻,可以根据电气特性表确定电流限制阈值。

/FLAGx指示

/FLAGx引脚是开漏MOSFET,在过流、反向电压或过温条件下会置低。在检测到故障后,经过相应的消抖时间,/FLAGx引脚会置低,并在故障消除后恢复高电平。

欠压锁定

内置的欠压锁定(UVLO)电路使输出在$V{IN}$电压低于$V{UVLO}$时保持与输入断开。该电路具有$V_{HYST}$迟滞,可提供对瞬态条件的抗干扰能力。

热感应

当芯片温度超过$T{SD}$时,热关断功能会关闭电源MOSFET。通过$T{HYST}$迟滞,可防止芯片在温度未冷却到$T{SD} - T{HYST}$之前重新开启。

使能输入

使能引脚必须由逻辑信号(CMOS或TTL兼容)驱动,或连接到GND或$V_{IN}$。低电平使能信号会开启设备,高电平则关闭设备并降低电流消耗。

阻塞控制

阻塞控制电路可切换功率MOS的体二极管。在设备关闭时,体二极管可限制从OUTX到IN的泄漏电流;在工作状态下,可防止电源放电。

应用信息

功耗计算

设备的结温取决于多种因素,而功率MOSFET的功耗是主要影响因素。在正常模式下,功耗和结温可通过以下公式计算: [P{D}=R{D S(on)} timesleft(left(I{OUT 1}right)^{2}+left(I{OUT 2}right)^{2}right)] [T{J}=P{D} × R{theta J A}+T{A}] 在调节模式下,功耗的计算需要考虑输入电压与输出电压的差值以及负载电阻。

PCB设计建议

由于NCP383集成了两个额定电流高达3A的NMOS FET,PCB设计必须遵循一定的规则,以确保芯片的散热性能。例如,DFN10 PAD1必须连接到接地平面,CIN、COUT1和COUT2应尽可能靠近NCP383,并直接连接到接地平面,避免引脚和电容之间使用过孔。

订购信息

NCP383有特定的型号和封装,如NCP383LMUAJAATXG采用UDFN10(无铅)封装,每卷3000个。订购时可参考相关的代码含义,了解产品的具体特性。

总之,onsemi的NCP383电源分配开关以其丰富的功能和良好的性能,为电子工程师在电源管理设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中,工程师们需要根据具体的设计需求,合理选择参数和进行PCB设计,以充分发挥该器件的优势。你在使用类似电源分配开关时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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