电子说
在当今的电子设备中,内存模块的性能和稳定性至关重要。今天,我们就来深入探讨一下 Micron 公司的 1GB、2GB(x72, DR)240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 内存模块,看看它都有哪些独特的特性和设计。
文件下载:MT18HTF12872FDZ-667G1D6.pdf
Micron 的这款 FBDIMM 设备遵循当前 FBDIMM 行业规范,是一种高带宽、大容量且主机接口较窄的 DDR2 SDRAM 模块解决方案。它使用 DDR2 SDRAM 设备,通过 AMB(Advanced Memory Buffer)与通道隔离,能有效提升通信路径可靠性和内存子系统的可用性。
具备 MBIST 和 IBIST 测试功能,还支持 DRAM 测试的透明模式,方便进行内存测试和故障排查。
不同速度等级的 FBDIMM 具有不同的时序参数,如 tRCD、tRP、tRC 等,这些参数对于内存的性能至关重要。例如,- 80E 速度等级对应 PC2 - 6400,数据速率为 800MT/s,tRCD 为 12.5ns,tRP 为 12.5ns,tRC 为 55ns。
| 参数 | 1GB | 2GB |
|---|---|---|
| 刷新计数 | 8K | 8K |
| 设备银行地址 | 4 BA[1:0] | 8 BA[2:0] |
| 每个银行的设备页面大小 | 1KB | 1KB |
| 设备配置 | 512Mb (64 Meg x 8) | 1Gb (128 Meg x 8) |
| 行地址 | 16K A[13:0] | 16K A[13:0] |
| 列地址 | 2K A[9:0] | 2K A[9:0] |
| 模块秩地址 | 2 S#[1:0] | 2 S#[1:0] |
不同容量和速度等级的 FBDIMM 在不同工作状态下的功耗不同。例如,1GB DDR2 - 667 在 I({DD_IDLE_0}) 状态下,I({CC}) 为 2600A,I(_{DD}) 为 1510A,总功率为 7.0W。
该 FBDIMM 共有 240 个引脚,分为正面和背面,每个引脚都有特定的功能和符号。例如,VDD 为 DRAM 电源和 AMB DRAM I/O 电源引脚,VCC 为 AMB 核心电源和 AMB 通道接口电源引脚等。
| 符号 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|
| PS[9:0] | 输入 | 主要南向数据正线 |
| PS#[9:0] | 输入 | 主要南向数据负线 |
| SCK | 输入 | 系统时钟输入正线 |
| SCK# | 输入 | 系统时钟输入负线 |
| …… | …… | …… |
展示了 FBDIMM 通道从主机控制器到 DDR2 SDRAM 设备阵列的通信路径,DDR2 SDRAM 设备通过 AMB 与通道隔离,增强了通信的可靠性。
详细呈现了 FBDIMM 的内部功能结构,有助于工程师理解其工作原理。
规定了 EEPROM 和 AMB 电源电压、输入输出电压、电流等参数的范围,确保 EEPROM 正常工作。
对 SCL 时钟频率、数据传输时间等交流参数进行了详细规定,保证数据传输的准确性和稳定性。
如需最新的串行存在检测数据,可访问 Micron 的 SPD 页面:www.micron.com/SPD。
模块高度为 30.35mm(1.19in),所有尺寸以毫米(英寸)为单位,相关尺寸图仅作参考,具体设计尺寸可参考 JEDEC MO 文档。
综上所述,Micron 的 1GB、2GB 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM 内存模块凭借其高性能、高可靠性和丰富的功能特性,为电子系统的内存设计提供了优秀的解决方案。各位工程师在实际设计中,可根据具体需求合理选择和使用这款内存模块。大家在使用过程中遇到过哪些问题或者有什么独特的经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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