4GB、8GB 240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM内存模块详解

在当今的电子设备中，内存模块的性能和稳定性至关重要。今天我们要详细介绍的是Micron的4GB、8GB（x72, ECC, DR）240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM内存模块，它在诸多方面都有着出色的表现。

文件下载：MT18KDF1G72PDZ-1G6P1.pdf

一、产品概述

这款内存模块采用了1.35V DDR3L SDRAM VLP RDIMM技术，有4GB（MT18KDF51272PDZ）和8GB（MT18KDF1G72PDZ）两种容量可供选择。它支持DDR3L的功能和操作，具备240 - pin的注册双列直插式、极低外形的特点（VLP RDIMM），数据传输速率快，能达到PC3 - 12800、PC3 - 10600。

二、产品特性

2.1 电气特性

• 电压兼容性：工作电压为1.35V（1.283 - 1.45V），并且向后兼容1.5V（1.425 - 1.575V），(V_{DDSPD})为3.0 - 3.6V。
• ECC功能：支持ECC错误检测和纠正，能有效提高数据的可靠性。
• ODT特性：具备标称和动态片内终结（ODT）功能，用于数据、选通和掩码信号。

2.2 设计特性

• 双列设计：采用双列设计，提升了内存的性能。
• 温度传感器：板载I2C温度传感器，集成了串行存在检测（SPD）EEPROM，方便监控温度。
• 固定突发特性：通过模式寄存器组（MRS）可实现固定突发截断（BC）为4和突发长度（BL）为8，并且可以动态选择BC4或BL8。
• 其他特性：具有金手指边缘接触、无卤、Fly - by拓扑结构以及终端控制、命令和地址总线等特点。

三、产品选项

3.1 工作温度

• 商业级：0°C ≤ (T_{A}) ≤ +70°C。
• 工业级：–40°C ≤ (T_{A}) ≤ +85°C。如果需要工业温度模块产品，可以联系Micron。

3.2 封装

采用240 - pin DIMM（无卤）封装。

3.3 频率/CAS延迟

• 1.25ns @ CL = 11（DDR3 - 1600）。
• 1.5ns @ CL = 9（DDR3 - 1333）。

四、关键参数

4.1 关键时序参数

不同速度等级对应着不同的行业命名、数据速率以及关键时序参数，如tRCD、tRP、tRC等。例如，-1G6速度等级对应PC3 - 12800，数据速率为1600MT/s，tRCD为13.125ns，tRP为13.125ns，tRC为48.125ns。

4.2 寻址参数

参数	4GB	8GB
刷新计数	8K	8K
行地址	32K A[14:0]	64K A[15:0]
设备银行地址	8 BA[2:0]	8 BA[2:0]
设备配置	2Gb (256 x 8)	4Gb (512 x 8)
列地址	1K A[9:0]	1K A[9:0]
模块等级地址	2 S#[1:0]	2 S#[1:0]

4.3 型号与时序参数

不同容量的模块有对应的型号和时序参数，以4GB模块为例，MT18KDF51272PDZ - 1G6__的带宽为12.8GB/s，时钟周期为1.25ns/1600 MT/s，CL - tRCD - tRP为11 - 11 - 11。

五、引脚相关

5.1 引脚分配

详细列出了240 - Pin DDR3 RDIMM前后两面的引脚分配情况，包括VREFDQ、DQ、DQS、A、BA等引脚的具体位置和功能。

5.2 引脚描述

对各个引脚的类型和功能进行了详细描述，例如Ax为地址输入引脚，用于提供行地址和列地址等；CKx、CKx#为差分时钟输入引脚，用于采样控制、命令和地址输入信号。

5.3 DQ映射

分别给出了模块正面和背面的组件到模块的DQ映射关系，方便工程师进行设计和调试。

六、功能框图

该模块的功能框图展示了其内部结构，需要注意的是，每个DDR3组件上的ZQ球连接到一个外部240Ω ±1%的电阻并接地，用于校准组件的ODT和输出驱动器。

七、工作原理

7.1 一般描述

DDR3 SDRAM模块采用内部配置的8 - 银行DDR3 SDRAM设备，使用DDR架构实现高速操作，是一种8n - 预取架构，在I/O引脚处每个时钟周期可传输两个数据字。

7.2 Fly - By拓扑结构

为了提高信号质量，时钟、控制、命令和地址总线采用了Fly - By拓扑结构，每个DRAM上的时钟、控制、命令和地址引脚连接到单个走线并进行终端处理。

7.3 寄存器时钟驱动器操作

注册DDR3 SDRAM模块使用由寄存器和锁相环（PLL）组成的寄存器时钟驱动器设备。寄存器部分在时钟上升沿锁存命令和地址输入信号，PLL部分接收并重新驱动差分时钟信号到DDR3 SDRAM设备，减少了时钟、控制、命令和地址信号的负载。

7.4 奇偶校验操作

寄存器时钟驱动器包含一个偶校验功能，用于检查奇偶校验。内存控制器在Par_In输入处接收奇偶校验位，并与A[15:0]、BA[2:0]、RAS#、CAS#和WE#上接收的数据进行比较。

八、温度传感器与SPD EEPROM

8.1 温度传感器操作

集成的热传感器监测温度，并通过I²C总线将其转换为数字字。系统设计师可以根据系统要求使用用户可编程寄存器创建自定义温度传感解决方案。

8.2 SPD EEPROM操作

DDR3 SDRAM模块集成了串行存在检测功能，SPD数据存储在256字节的EEPROM中。前128字节由Micron编程，符合JEDEC标准JC - 45，用于标识模块特定的时序参数、配置信息和物理属性，其余128字节可供客户使用。

8.3 EVENT#引脚

温度传感器的EVENT#引脚（开漏）用于标记关键事件，有中断模式、比较模式和临界温度模式三种操作模式。用户可以在传感器的配置寄存器中设置事件阈值。

九、电气规格

9.1 绝对最大额定值

VDD电源电压相对于VSS的范围为–0.4到1.975V，任何引脚相对于VSS的电压范围也为–0.4到1.975V。

9.2 工作条件

VDD电源电压为1.283 - 1.45V（向后兼容1.5V），IVTT为–600到600mA，VTT命令/地址总线的终止参考电压有相应的范围，模块的环境工作温度和DDR3 SDRAM组件的 case 工作温度也有明确的要求。

十、DRAM工作条件

推荐的AC工作条件在DDR3组件数据手册中给出，模块速度等级与组件速度等级相关。同时，在设计时需要进行模拟以确保信号完整性，并且要考虑系统电压降，保证DRAM的工作电压。

十一、IDD规格

不同容量（4GB和8GB）和不同Die Revision的模块有各自的IDD规格，包括各种工作电流，如操作电流、预充电功率下降电流、刷新电流等。

十二、寄存器时钟驱动器规格

详细列出了寄存器时钟驱动器的电气特性，包括DC电源电压、DC参考电压、DC终止电压、AC和DC输入输出电压等参数。

十三、模块尺寸

提供了240 - Pin DDR3 RDIMM（R/C - L）和（R/C - L1）的尺寸图，所有尺寸以毫米（英寸）为单位，尺寸图仅供参考。

综上所述，这款4GB、8GB 240 - Pin 1.35V DDR3L VLP RDIMM内存模块在性能、可靠性和设计灵活性方面都有着出色的表现。电子工程师在设计相关产品时，可以根据具体需求合理选择和使用该模块，同时要注意各个参数和特性的细节，以确保系统的稳定运行。大家在实际应用中遇到过哪些关于内存模块的问题呢？欢迎在评论区分享交流。