电子说
Micron Technology, Inc. 发布了产品变更通知(PCN: 30832),此次变更主要涉及 2Gb 42nm DDR3 (V79D) DRAM 的停产(EOL),并将其替换为 30nm 产品。变更的原因是为了优化制造效率。
变更类型为芯片尺寸缩小(Die Shrink)和产品停产(End of Life),标题为“EOL of 2Gb 42nm DDR3 (V79D) DRAM”。
Micron 的 2Gb 42nm DDR3 (V79D) 部件将被 30nm 部件所取代。
主要是为了优化制造效率,通过采用新的 30nm 工艺,可能在成本、性能等方面获得更好的表现。
所有 V79D 组件和模块都受到此次变更的影响。
| 受影响的 Micron 部件编号 | 建议的替代部件 |
|---|---|
| 组件 | |
| MT41J256M8DA - 107:M | MT41K256M8DA - 107:K |
| MT41J256M8DA - 125:M | MT41J256M8DA - 125:K |
| MT41K1G4THV - 125:M | 联系工厂 |
| MT41K1G4THV - 15E:M | 联系工厂 |
| MT41K256M8DA - 125 M:M | MT41K256M8DA - 125 M:K |
| MT41K256M8DA - 125:M | MT41K256M8DA - 125:K |
| MT41K256M8DA - 15E M:M | MT41K256M8DA - 125 M:K |
| MT41K256M8DA - 15E:M | MT41K256M8DA - 125:K |
| MT41K512M4DA - 125:M | MT41K512M4DA - 125:K |
| MT41K512M8THV - 125:M | 联系工厂 |
| MT41K512M8THV - 15E:M | 联系工厂 |
| 模块 | |
| MT16JTF51264AZ - 1G4M1 | MT8JTF51264AZ - 1G6E1 |
| MT16JTF51264AZ - 1G6M1 | MT8JTF51264AZ - 1G6E1 |
| MT16JTF51264AZ - 1G9M1 | 联系工厂 |
| MT16JTF51264HZ - 1G4M1 | MT8KTF51264HZ - 1G6E1 |
| MT16JTF51264HZ - 1G6M1 | MT8KTF51264HZ - 1G6E1 |
| MT16KTF51264AZ - 1G4M1 | MT8KTF51264AZ - 1G6E1 |
| MT16KTF51264AZ - 1G6M1 | MT8KTF51264AZ - 1G6E1 |
| MT16KTF51264HZ - 1G4M1 | MT8KTF51264HZ - 1G6E1 |
| MT16KTF51264HZ - 1G6M1 | MT8KTF51264HZ - 1G6E1 |
| MT16MTF51264HZ - 1G6M1 | MT8MTF51264HZ - 1G6E1 |
| MT18JDF51272AZ - 1G6M1 | MT18KDF51272AZ - 1G4K1 |
| MT18JDF51272PDZ - 1G6M1 | MT18KDF51272PDZ - 1G6K1 |
| MT18JDF51272PZ - 1G6M1 | MT18KDF51272PZ - 1G6K1 |
| MT18JSF51272AZ - 1G4M1 | MT18KSF51272AZ - 1G6K1 |
| MT18JSF51272AZ - 1G6M1 | MT18KSF51272AZ - 1G6K1 |
| MT18JSF51272PDZ - 1G6M1 | MT18KSF51272PDZ - 1G6K1 |
所有 30nm 产品将根据公司的资格认证程序和最佳实践进行认证,资格认证计划可应要求提供。
通过部件编号来识别受影响的产品(具体编号见上述表格)。
根据 JEDEC 标准 JESD46 - C 第 3.2.3 节规定,如果在 30 天内未对该 PCN 进行确认,则视为接受变更。
对于电子工程师来说,此次产品变更需要及时关注,评估 30nm 替代产品是否能满足现有设计的要求。在进行产品替换时,要仔细对比新旧产品的性能参数,确保系统的稳定性和兼容性。大家在实际应用中是否遇到过类似的产品变更情况呢?又是如何应对的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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