4GB 240 - Pin DDR2 SDRAM 1.55V FBDIMM深度解析

在电子设计领域，内存模块的性能和特性对于系统的整体表现至关重要。今天我们就来深入探讨一下 4GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM 1.55V FBDIMM 这款产品，看看它有哪些独特之处。

文件下载：MT36RTF51272FZ-667H1D6.pdf

产品概述

这款 FBDIMM 采用 240 - pin 设计，具备 4GB 的存储容量，适用于对内存性能有较高要求的系统。其核心特点是采用了 1.55V 的 DDR2 FBDIMM 技术，相比标准的 1.8V FBDIMM 具有更低的功耗，同时保持了相同的时序和操作参数，能够与为标准 FBDIMM 设计的系统实现向后兼容。

产品特性

低功耗设计

该 FBDIMM 的 DDR2 操作电压范围为 (1.5V ≤V{DD} ≤1.9V)，AMB DRAM I/O 同样如此，实际工作电压 (V{DD}=1.55V)，这种低电压设计有效降低了功耗，也减少了系统的散热负担。这对于追求节能和稳定运行的系统来说，无疑是一个重要的优势。大家在设计系统时，是否会优先考虑低功耗的内存模块呢？

向后兼容性

它能够与为标准（1.8V）FBDIMM 设计的系统兼容，这意味着在升级内存时，无需对现有系统进行大规模的改动，降低了升级成本和风险。

双 rank 结构

双 rank 的设计提高了内存的访问效率和数据传输能力，能够更好地满足多任务处理和高性能计算的需求。

组件配置

其组件配置为 256 Meg x 4，具体的选项包括 240 - pin DIMM（无卤），频率为 3.0ns @ CL = 5（DDR2 - 667）。

关键参数

时序参数

Speed Grade	Industry Nomenclature	Data Rate (MT/s)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRC (ns)
CL = 5	PC2 - 5300	667	15	15	55
CL = 4	553
CL = 3	400
-53E	PC2 - 4200	–	553	400	15	15	55

这些时序参数对于内存的性能起着关键作用，在实际应用中，我们需要根据系统的需求来选择合适的时序设置。

寻址

	16K A[13:0]
	2K A[11, 9:0] 2 S#[1:0]

部件编号和时序参数

Part Number	Module Density	Configuration	Module Bandwidth	Memory Clock/ Data Rate	Clock Cycles (CL - tRCD - tRP)	Link Transfer Rate
MT36RTF51272FZ - 667	4GB	512 Meg x 72	PC2 - 5300	3.0ns/667 MT/s	5 - 5 - 5	4.0 GT/s

引脚分配与描述

引脚分配

该 FBDIMM 共有 240 个引脚，分为前后两面，详细的引脚分配情况在文档中有明确列出。其中，一些信号如 PN12/PN12#、SN12/SN12# 等为循环冗余校验（CRC）位，它们的排列顺序可能与正常序列不同。在进行电路设计时，我们必须仔细核对这些引脚的分配，避免出现连接错误。

引脚描述

Symbol	Type	Description
PS[9:0]	Input	主南向数据，正线
PS#[9:0]	Input	主南向数据，负线
SCK	Input	系统时钟输入，正线
SCK#	Input	系统时钟输入，负线
SCL	Input	串行存在检测（SPD）时钟输入
SS[9:0]	Input	次南向数据，正线
SS#[9:0]	Input	次南向数据，负线
PN[13:0]	Output	主北向数据，正线
PN#[13:0]	Output	主北向数据，负线
SN[13:0]	Output	次北向数据，正线
SN#[13:0]	Output	次北向数据，负线
VID0	Output	电压识别，连接到 VSS，指示模块上存在 1.5V DRAM
SA[2:0]	I/O	SPD 地址输入，也用于在 AMB 中选择 FBDIMM 编号
SDA	I/O	SPD 数据输入/输出
RESET#	Supply	AMB 复位信号
VCC	Supply	AMB 核心电源和 AMB 通道接口电源（1.5V）
VDD	Supply	DRAM 电源和 AMB DRAM I/O 电源（1.5V）
VTT	Supply	DRAM 时钟、命令和地址终端电源（VDD / 2）
VDDSPD	Supply	SPD/AMB SMBus 电源
VSS	Supply	接地
M_TEST	–	用于测试 VREF 裕度的外部连接，正常系统操作中不使用
DNU	–	禁止使用

电气规格

绝对最大额定值

Parameter	Symbol	Min	Max	Units	Notes
任何信号引脚相对于 VSS 的电压	VIN, VOUT	–0.3	1.75	V	(V_{IN }) 不应大于 (VCC)
VCC 引脚相对于 VSS 的电压	VCC	–0.3	1.75	V
VDD 引脚相对于 VSS 的电压	VDD	–0.5	2.3	V
VTT 引脚相对于 VSS 的电压	VTT	–0.5	2.3	V
DDR2 SDRAM 器件工作外壳温度	TC	0	95	°C	(T_{C}) 在使用 2X 刷新时序时指定为 95°C
AMB 器件工作外壳温度		0	110	°C

输入直流电压和操作条件

Parameter	Symbol	Min	Nom	Max	Units	Notes
AMB 电源电压	VCC	1.455	1.50	1.575	V
DDR2 SDRAM 电源电压	VDD	1.5	1.55	1.9	V
终端电压	VTT	0.48 × VDD	0.50 × VDD	0.52 × VDD	V
EEPROM 电源电压	VDDSPD	3.0	3.6	V	适用于 AMB 和 SPD
SPD 输入高（逻辑 1）电压	VIH(DC)	2.1	VDDSPD	V	适用于 SMBus 和 SPD 总线信号
SPD 输入低（逻辑 0）电压	VIL(DC)	–0.6	0.8	V
RESET 输入高（逻辑 1）电压	VIH(DC)	1.0	V	适用于 AMB CMOS 信号 RESET#
RESET 输入低（逻辑 0）电压	VIL(DC)	–	0.5	V
泄漏电流（RESET）	IL	–90	90	µA
泄漏电流（链路）	IL	–5	5	µA

这些电气规格为我们在设计电路时提供了重要的参考，确保系统在安全的电压和温度范围内运行。大家在实际设计中，有没有遇到过因为电气规格不匹配而导致的问题呢？

IDD 规格和条件

IDD 条件

Symbol	Condition
I DD_IDLE_0	空闲电流，单条或最后一条 DIMM：L0 状态；空闲（0% 带宽）；主通道启用；次通道禁用；CKE 高；命令和地址线稳定；DDR2 SDRAM 时钟激活
I DD_IDLE_1	空闲电流，第一条 DIMM：L0 状态；空闲（0% 带宽）；主通道和次通道启用；CKE 高；命令和地址线稳定；DDR2 SDRAM 时钟激活
I DD_ACTIVE_1	活动功率：L0 状态；50% DRAM 带宽；67% 读取；33% 写入；主通道和次通道启用；DDR2 SDRAM 时钟激活；CKE 高
I DD_ACTIVE_2	活动功率，数据直通：L0 状态；50% DRAM 带宽到下游 DIMM；67% 读取；33% 写入；主通道和次通道启用；DDR2 SDRAM 时钟激活；CKE 高；命令和地址线稳定
I DD_TRAINING	训练：主通道和次通道启用；所有通道 lanes 100% 翻转；DRAM 空闲；0% 带宽；CKE 高；命令和地址线稳定；DDR2 SDRAM 时钟激活
I DD_IBIST	所有 IBIST 模式下的 IBIST：DRAM 空闲（0% 带宽）；主通道启用；次通道启用；CKE 高；命令和地址线稳定；DDR2 SDRAM 时钟激活
I DD_EI	电气空闲：DRAM 空闲（0% 带宽）；主通道禁用；次通道禁用；CKE 低；命令和地址线浮空；DDR2 SDRAM 时钟激活；ODT 和 CKE 驱动低

IDD 规格

Symbol	I DD_IDLE_0	I DD_IDLE_1	I DD_ACTIVE_1	I DD_ACTIVE_2	I DD_TRAINING	I DD_IBIST	I DD_EI	Units
I CC	2600	3400	3900	3700	4000	4500	2500	mA
I DD	1800	1800	3320	1800	1800	1800	452	mA
Total power	7.5	8.8	12.4	9.2	9.7	10.5	4.8	W

了解这些 IDD 规格和条件，有助于我们评估内存模块在不同工作状态下的功耗情况，从而优化系统的电源设计。

模块尺寸

该 FBDIMM 的尺寸图为我们提供了物理安装的参考，所有尺寸以毫米（英寸）为单位，标注了 MAX/MIN 或典型（TYP）值。在进行系统设计时，我们需要根据这些尺寸来合理安排内存模块的安装位置。

综上所述，4GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM 1.55V FBDIMM 是一款性能出色、功耗较低且具有良好兼容性的内存模块。在电子设计中，我们可以根据系统的需求和特点，合理选择和使用这款内存模块，以提升系统的整体性能。大家在使用类似的内存模块时，有什么独特的经验或见解呢？欢迎在评论区分享。