2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM技术解析

在电子设备的设计中，内存模块的性能和特性对整个系统的运行起着至关重要的作用。今天，我们来详细解析一下2GB (x72, DR) 240 - Pin DDR2 SDRAM FBDIMM这款内存模块。

文件下载：MT18RTF25672FDZ-667H1D6.pdf

一、产品特性

1. 物理特性

• 引脚与封装：它采用240 - pin的完全缓冲DIMM（FBDIMM）封装，模块高度为30.35mm（1.19in）。
• 低功耗设计：工作电压为1.55V，相比标准的1.8V FBDIMM，功耗更低。不过，其定时和操作参数与标准FBDIMM相同，这使得它能够与为标准FBDIMM设计的系统实现向后兼容。
• 组件配置：组件配置为256 Meg x 8，且为双列设计，同时符合无卤标准。

2. 电气特性

• 电压范围：DDR2 SDRAM的工作电压范围为 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V)，高级内存缓冲器（AMB）DRAM I/O的工作电压同样为 (1.5 V ≤V{DD} ≤1.9 V)，典型值 (V_{DD}=1.55 V)。
• 频率与延迟：频率方面，有DDR2 - 667（3.0ns @ CL = 5）的选项。这里的CL（CAS READ latency）为5，不同速度等级对应不同的数据速率和关键时序参数。例如，-667速度等级对应PC2 - 5300，数据速率为667MT/s 。

二、寻址与参数

1. 寻址参数

Parameter	2GB
Refresh count	8K
Device bank address	8 BA[2:0]
Device page size per bank	1KB
Device configuration	1Gb (256 Meg x 8)
Row address	16K A[13:0]
Column address	1K A[9:0]
Module rank address	2 S#[1:0]

2. 部件编号与时序参数

以MT18RTF25672FDZ - 667为例，其模块密度为2GB，配置为256 Meg x 72，模块带宽为PC2 - 5300，内存时钟/数据速率为3.0ns/667 MT/s，时钟周期为5 - 5 - 5，链路传输速率为4.0 GT/s 。

三、引脚分配与描述

1. 引脚分配

该模块的240个引脚在前后两面有详细的分配，包括电源引脚（如VDD、VCC、VTT等）、数据引脚（如PS[9:0]、PS#[9:0]、PN[13:0]、PN#[13:0]等）、时钟引脚（如SCK、SCK#）、控制引脚（如RESET#）等。其中，部分信号为循环冗余校验（CRC）位，其顺序可能与正常序列不同。

2. 引脚描述

不同引脚具有不同的功能，例如：

• 数据引脚：PS[9:0]和PS#[9:0]为主要南向数据的正负线；PN[13:0]和PN#[13:0]为主要北向数据的正负线。
• 时钟引脚：SCK和SCK#为系统时钟输入的正负线。
• 控制引脚：RESET#为AMB复位信号。

四、电气规格

1. 绝对最大额定值

Parameter	Symbol	Min	Max	Units	Notes
Voltage on any signal pin relative to V SS	V IN, V OUT	–0.3	1.75	V	1
Voltage on V CC pin relative to V SS	V CC	–0.3	1.75	V
Voltage on V DD pin relative to V SS	V DD	–0.5	2.3	V
Voltage on V TT pin relative to V SS	V TT	–0.5	2.3	V
DDR2 SDRAM device operating case temperature	T C	0	95	°C	2, 3
AMB device operating case temperature	0	110	°C

2. 输入直流电压和操作条件

Parameter	Symbol	Min	Nom	Max	Units	Notes
AMB supply voltage	V CC	1.455	1.50	1.575	V
DDR2 SDRAM supply voltage	V DD	1.5	1.55	1.9	V
Termination voltage	V TT	0.48 × V DD	0.50 × V DD	0.52 × V DD	V
EEPROM supply voltage	V DDSPD	3.0	–	3.6	V	1
SPD input high (logic 1) voltage	V IH(DC)	2.1	–	V DDSPD	V	2
SPD input low (logic 0) voltage	V IL(DC)	–0.6	–	0.8	V	2
RESET input high (logic 1) voltage	V IH(DC)	1.0	–	–	V	3
RESET input low (logic 0) voltage	V IL(DC)	–	–	0.5	V	2
Leakage current (RESET)	I L	–90	–	90	µA	3
Leakage current (link)	I L	–5	–	5	µA	4

五、IDD规格与条件

1. IDD条件

不同的工作状态对应不同的IDD条件，如空闲状态（I DD_IDLE_0、I DD_IDLE_1）、活动状态（I DD_ACTIVE_1、I DD_ACTIVE_2）、训练状态（I DD_TRAINING）、内置自测试状态（I DD_IBIST）和电气空闲状态（I DD_EI）等。

2. IDD规格

对于2GB DDR2 - 667，不同状态下的I CC、I DD和总功率如下：	Symbol	I DD_IDLE_0	I DD_IDLE_1	I DD_ACTIVE_1	I DD_ACTIVE_2	I DD_TRAINING	I DD_IBIST	I DD_EI	Units
I CC	2600	3400	3900	3700	4000	4500	2500	A
I DD	1150	1150	2178	1150	1150	1150	326	A
Total power	6.3	7.5	10.3	8	8.5	9.3	4.6	W

六、模块尺寸

模块尺寸图为设计提供了参考，所有尺寸以毫米（英寸）为单位，同时需要注意这只是参考图，实际尺寸可能会有一定差异。

在设计电子系统时，了解这些详细的特性和参数对于选择合适的内存模块至关重要。各位工程师在实际应用中，需要根据具体的系统需求来综合考虑这些因素，你在使用这类内存模块时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享。