1GB、2GB、4GB（x64，SR）204 - Pin DDR3L SODIMM 内存模块详解

在电子设备的设计中，内存模块的选择和使用至关重要。今天我们就来详细了解一下 1GB、2GB、4GB（x64，SR）204 - Pin DDR3L SODIMM 内存模块的相关特性和参数，希望能为各位电子工程师在设计过程中提供一些参考。

文件下载：MT8KTF51264HZ-1G6E1.pdf

一、产品概述

这款 DDR3L SODIMM 内存模块具有多种容量可选，包括 1GB、2GB 和 4GB，采用 204 引脚的小外形双列直插式内存模块（SODIMM）设计，适用于对空间要求较高的设备，如笔记本电脑等。它支持 1.35V 的 DDR3L SDRAM，并且与标准的 1.5V（±0.075V）DDR3 系统向后兼容。

二、产品特性

功能与接口

• DDR3L 功能支持：完全支持组件数据手册中定义的 DDR3L 功能和操作。
• 高速数据传输：具备快速的数据传输速率，支持 PC3 - 14900、PC3 - 12800 或 PC3 - 10600 等规格。
• 引脚设计：204 引脚的 SODIMM 设计，方便安装和连接。

电气特性

• 电压范围：工作电压为 1.35V（1.283 - 1.45V），也可兼容 1.5V（1.425 - 1.575V）。同时，(V_{DDSPD}) 为 3.0 - 3.6V。
• 信号处理：具有标称和动态的片内终端（ODT），用于数据、选通和掩码信号，确保信号的稳定传输。

其他特性

• 单通道设计：采用单通道架构，提供稳定的性能。
• 固定突发参数：通过模式寄存器组（MRS）设置固定的突发切割（BC）为 4 和突发长度（BL）为 8。
• SPD EEPROM：板载 I2C 串行存在检测（SPD）EEPROM，方便系统识别和配置。
• 环保设计：采用无卤设计，符合环保要求。
• 拓扑结构：采用 Fly - by 拓扑结构，优化信号质量。
• 总线终端：控制、命令和地址总线采用终端设计，减少信号反射。

三、关键参数

容量与配置

容量	配置
1GB	128 Meg x 64
2GB	256 Meg x 64
4GB	512 Meg x 64

寻址参数

参数	1GB	2GB	4GB
刷新计数	8K	8K	8K
行地址	16K A[13:0]	32K A[14:0]	64K A[15:0]
设备银行地址	8 BA[2:0]	8 BA[2:0]	8 BA[2:0]
设备配置	1Gb（128 Meg x 8）	2Gb（256 Meg x 8）	4Gb（512 Meg x 8）
列地址	1K A[9:0]	1K A[9:0]	1K A[9:0]
模块通道地址	1 S0#	1 S0#	1 S0#

时序参数

不同的速度等级对应不同的时序参数，例如：	速度等级	行业命名	数据速率（MT/s）	tRCD（ns）	tRP（ns）	tRC（ns）
-1G9	PC3 - 14900	1866	13.125	13.125	47.125
-1G6	PC3 - 12800	1600	13.125	13.125	48.125
-1G4	PC3 - 10600	1333	13.125	13.125	49.125

四、引脚分配与描述

引脚分配

该模块的 204 引脚分为前后两面，每个引脚都有特定的功能，如电源引脚（(V{DD})、(V{SS})）、数据引脚（DQx）、控制引脚（RAS#、CAS#、WE#）等。具体的引脚分配可参考文档中的表格。

引脚描述

不同的引脚具有不同的功能，例如：

• Ax：地址输入引脚，用于提供行地址和列地址等信息。
• BAx：银行地址输入引脚，定义命令所应用的设备银行。
• CKx、CKx#：差分时钟输入引脚，用于采样控制、命令和地址输入信号。

五、DQ 映射

文档中提供了两种 PCB 版本（R/C B2 和 R/C B4）的组件到模块的 DQ 映射表，详细说明了组件的 DQ 引脚与模块引脚的对应关系，这对于电路设计和信号传输的优化非常重要。

六、功能框图

功能框图展示了该内存模块的内部结构和信号流程。需要注意的是，每个 DDR3 组件的 ZQ 球连接到一个外部 240Ω ±1% 的电阻，该电阻接地，用于校准组件的 ODT 和输出驱动器。

七、电气规格

绝对最大额定值

符号	参数	最小值	最大值	单位
(V_{DD})	(V{DD}) 相对于 (V{SS}) 的电源电压	-0.4	1.975	V
(V{IN})、(V{OUT})	任何引脚相对于 (V_{SS}) 的电压	-0.4	1.975	V

工作条件

工作条件包括电源电压、参考电压、电流等参数的范围，例如 (V_{DD}) 的工作范围为 1.283 - 1.45V 或 1.425 - 1.575V，模块环境工作温度为 0 - 70°C 等。

八、DRAM 工作条件

速度等级对应

模块的速度等级与组件的速度等级相关，例如 -1G9 模块速度等级对应 -107 组件速度等级。

设计考虑

• 仿真：为了确保整个内存系统的信号完整性，建议设计师对系统的内存总线信号特性进行仿真。
• 电源设计：工作电压是在 DRAM 处指定的，设计师需要考虑系统在预期功率水平下的电压降，以确保维持所需的电源电压。

九、IDD 规格

不同容量和不同速度等级的内存模块具有不同的电流消耗特性，文档中提供了详细的 (I_{DD}) 规格表，包括各种工作模式下的电流值，如操作电流、预充电功率下降电流、刷新电流等。

十、串行存在检测 EEPROM

数据存储

SPD 数据存储在一个 256 字节的 EEPROM 中，前 128 字节由 Micron 编程，符合 JEDEC 标准 JC - 45，用于识别模块特定的时序参数、配置信息和物理属性，后 128 字节可供客户使用。

操作条件

文档提供了 SPD EEPROM 的直流和交流操作条件，包括电源电压、输入输出电压、时钟频率等参数的范围。

十一、模块尺寸

模块的尺寸图为设计人员提供了物理安装的参考，所有尺寸以毫米（英寸）为单位，需要注意的是，尺寸图仅作为参考。

综上所述，这款 1GB、2GB、4GB（x64，SR）204 - Pin DDR3L SODIMM 内存模块具有丰富的特性和详细的参数，电子工程师在设计过程中需要根据具体的应用需求，综合考虑这些因素，以确保系统的性能和稳定性。大家在实际设计中有没有遇到过类似内存模块的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。